检索结果-内蒙古大学图书馆

第八届全国氢能学术会议

作者：余学斌吴铸黄铁生中国科学院上海微系统与信息技术研究所能源科学与技术研究室上海200050

本文研究了LiBH4/MgH2 复合体系的储氢性能。热重和质谱结果表明， Mg 可以使得 LiBH4 放氢性能得到明显的改善。LiBH4 的放氢温度随着混合体系中MgH2 含量的增高而降低。对于80％含量MgH2 的该混合体系，LiBH4 的所有的氢气在500 oC ... 详细信息

本文研究了LiBH4/MgH2 复合体系的储氢性能。热重和质谱结果表明， Mg 可以使得 LiBH4 放氢性能得到明显的改善。LiBH4 的放氢温度随着混合体系中MgH2 含量的增高而降低。对于80％含量MgH2 的该混合体系，LiBH4 的所有的氢气在500 oC 以下得到完全的释放。进一步，该复合体系在放氢之后，在400 oC 和100atm 的条件下可以完全可逆，而纯的LiBH4 在该条件下不能可逆。原位XRD 结果表明，导致LiBH4/MgH2 复合体系储氢性能改善的原因是该体系放氢过程中Li-Mg 合金的形成。

关键词：复合氢化物 LiBH4/MgH2 复合体系储氢性能放氢温度

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一种镍氢电池负极的制备方法

一种镍氢电池负极的制备方法

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作者：李志林黄铁生程利芳盛小海刘睿王润博何丹农 200050上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种镍氢电池负极的制备方法,包括如下步骤：称取一定量的储氢合金粉,加入质量百分数为2％-5％的乙炔黑作导电剂后,混合均匀, 然后加入浓度为5％PVA溶液,搅拌均匀后涂抹于泡沫镍上,将泡沫镍折叠并压紧,点焊上镍条即完成极...

标准号: CN101304087

本发明涉及一种镍氢电池负极的制备方法,包括如下步骤：称取一定量的储氢合金粉,加入质量百分数为2％-5％的乙炔黑作导电剂后,混合均匀, 然后加入浓度为5％PVA溶液,搅拌均匀后涂抹于泡沫镍上,将泡沫镍折叠并压紧,点焊上镍条即完成极耳的制备。本发明与现有技术相比,电极制备过程简单,省时省力(不用压片),省原材料(不用加镍粉或铜粉),还可在不同的循环次数下取出合金粉来测试XRD(没有加镍粉或铜粉做准动态XRD 时没有镍或铜衍射峰的干扰),为研究容量衰减与合金粉动态微结构的变化提供了实验条件。

关键词：

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基于Symbian OS智能手机的二维码识别系统

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微计算机信息 2011年第6期27卷 103-104页

作者：何宇周志刚卜智勇中国科学院上海微系统与信息技术研究所宽带无线移动通信研究室上海200050

本文针对各级教育部门考试管理中的身份快速认证和查询问题,提出并实现了基于SymbianOS的二维码识别系统,并进行了相应测试验证。系统利用智能手机完成二维码的扫描、解码,可实现考生身份信息的快速识别与认证。

关键词：二维码识别检索 Symbian操作系统

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模板法制备超级电容器中孔炭电极材料(P.1421-1425)

模板法制备超级电容器中孔炭电极材料(P.1421-1425)

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2005中国储能电池与动力电池及其关键材料学术研讨会

作者：赵家昌赖春艳戴扬解晶莹中国科学院上海微系统与信息技术研究所能源科学与技术研究室上海200050 中国科学院研究生院北京100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所能源科学与技术研究室上海200050

以硅溶胶为模板剂、以葡萄糖为炭源,采用模板法制备了超级电容器中孔炭电极材料(SMC).采用液氮吸附等温线对其孔结构进行了表征,考察了其在有机非水Et4NBF4/PC电解液中的电容特性和倍率性能,采用交流阻抗法测试了其频率响应特性,并与商... 详细信息

以硅溶胶为模板剂、以葡萄糖为炭源,采用模板法制备了超级电容器中孔炭电极材料(SMC).采用液氮吸附等温线对其孔结构进行了表征,考察了其在有机非水Et4NBF4/PC电解液中的电容特性和倍率性能,采用交流阻抗法测试了其频率响应特性,并与商品化微孔活性炭进行了比较.结果表明:模板法制得的中孔炭的最可几孔径分布集中在6.3和19.0nm,呈双峰分布,与商品化微孔活性炭相比,由于SMC孔径更大而具有更优异的频率响应特性和倍率性能.

关键词：超级电容器电极材料中孔炭模板法孔径分布

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合金靶溅射与共溅射制备的Si2Sb2Te5性能区别

合金靶溅射与共溅射制备的Si2Sb2Te5性能区别

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2008年上海纳米科技与产业发展研讨会

作者：顾怡峰宋志棠张挺刘波封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050 中国科学院研究生院北京100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

分别用Si2Sb2Te5合金靶和Si、Sb、Te单质靶三靶共溅射制备相变材料Si2Sb2Te5薄膜,用原位升温测试前者得到的样品的结晶温度为223℃,而后者的结晶温度为275℃.前者的结晶速率较快,二者的高低阻的差异也较大.利用XRD测试对二者进行结构研... 详细信息

分别用Si2Sb2Te5合金靶和Si、Sb、Te单质靶三靶共溅射制备相变材料Si2Sb2Te5薄膜,用原位升温测试前者得到的样品的结晶温度为223℃,而后者的结晶温度为275℃.前者的结晶速率较快,二者的高低阻的差异也较大.利用XRD测试对二者进行结构研究,前者的结晶态为Si2Te3和Sb2Te3两者的混合态,而后者的结晶态在不同退火温度下并不稳定.另外,用SEM对前者退火后的Si2Sb2Te5薄膜进行观察,发现当退火温度达到300℃和350℃时样品表面出现了破损现象.

关键词： Si2Sb2Te5 phase-change material crystallization temperature structure

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相变存储器中驱动二极管之间串扰电流的分析与减小方法

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电子器件 2010年第3期33卷 271-274页

作者：李宜瑾凌云宋志棠龚岳峰罗胜钦贾晓玲同济大学电子与信息工程学院上海201804 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

由于二极管在单元尺寸上的优势,被认为是高密度相变存储器中驱动管的不二之选。如果制备二极管的工艺参数不恰当,则大的漏电流会影响PCRAM存储数据的准确性和长久的保持力。首先简要介绍了具有自主知识产权的相变存储器中驱动二极管阵... 详细信息

由于二极管在单元尺寸上的优势,被认为是高密度相变存储器中驱动管的不二之选。如果制备二极管的工艺参数不恰当,则大的漏电流会影响PCRAM存储数据的准确性和长久的保持力。首先简要介绍了具有自主知识产权的相变存储器中驱动二极管阵列的制备方法,然后从载流子分布以及半导体器件角度,分析了驱动二极管之间串扰电流的产生原因,最后,依据工艺流程介绍了一种简单的方法来减小驱动二极管之间的串扰电流。依据SM IC的工艺进行TCAD仿真,结果表明此种方法能够在增大驱动电流的同时大大减小串扰电流。

关键词：相变存储器驱动二极管串扰电流 TCAD

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InN Stillinger-Weber参数:用于InxGa1-xN合金

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Journal of Semiconductors 2007年第Z1期28卷 12-15页

作者：雷华平蒋寻涯于广辉 Chen J Petit S Ruterana P Nouet G 薄膜界面结构和功能实验室(SIFCOM) 国家科研中心混合实验室UMR CNRS 6176Caen 14050法国中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 CAEN大学ALENCON技术学院新材料性能研究室Damigny61250法国薄膜界面结构和功能实验室(SIFCOM) 国家科研中心混合实验室UMR CNRS 6176Caen14050法国

使用Stillinger-Weber(SW)类型经典势,研究了InxGa1-xN合金的原子结构以及富铟Clusters引起的InGaN/GaN量子阱的形变.SW参数来自氮化铟晶体常数和闪锌矿及铅锌矿结构中的弹性常数.还给出了含有富铟团簇的量子阱的能量.

关键词：氮化铟 SW参数 InGaN量子阱富铟团簇

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CMP专用大粒径纳米二氧化硅研磨料的研究

CMP专用大粒径纳米二氧化硅研磨料的研究

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第三届上海纳米科技与产业发展研讨会

作者：张楷亮王良咏宋志棠封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室半导体功能薄膜材料工程技术研究中心上海 200050

低应力、低损伤CMP要求抛光压力有所降低,从而影响了抛光效率。为改善抛光效率,大粒径胶体二氧化硅成为CMP所急需的研磨料。本文以廉价的水玻璃为原料,采用离子交换一分水控制工艺,在分析其粒径生长机理基础上进行了工艺优化,并对其进... 详细信息

低应力、低损伤CMP要求抛光压力有所降低,从而影响了抛光效率。为改善抛光效率,大粒径胶体二氧化硅成为CMP所急需的研磨料。本文以廉价的水玻璃为原料,采用离子交换一分水控制工艺,在分析其粒径生长机理基础上进行了工艺优化,并对其进行纯化研究。SEM结果表明:硅酸加料速度为影响粒径均匀的关键因素,适当加料速度下可以制得30～100nm范围内均匀分散的不同粒径的胶体二氧化硅研磨料。金属离子含量测试结果表明:通过离子交换纯化工艺可将胶体二氧化硅研磨料的金属离子含量降低至64.72ppm,低于国内外同类产品,为其在抛光液和CMP工艺应用提供了可能。

关键词：胶体二氧化硅研磨料抛光效率水玻璃离子交换分水控制粒径生长纳米磨料

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超导纳米线单光子探测器件的制备

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低温与超导 2010年第11期38卷 1-4页

作者：杨晓燕尤立星张礼杰黄少铭 Mintu Mondal Sanjeev Kumar John Jesudasan Pratap Raychaudhuri 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 温州大学纳米材料与化学重点实验室温州325027 Tata Institute of Fundamental Research Homi Bhabha Rd.ColabaMumbai 400005India

超导纳米线单光子探测器件(SNSPD)是超导单光子探测系统的核心器件。文中介绍了成功制备的基于5nm厚的NbN超导超薄薄膜的SNSPD器件。器件核心结构为150nm宽的纳米曲折线结构,纳米线条占空比为75%,面积为20μm×20μm。超导纳米线是... 详细信息

超导纳米线单光子探测器件(SNSPD)是超导单光子探测系统的核心器件。文中介绍了成功制备的基于5nm厚的NbN超导超薄薄膜的SNSPD器件。器件核心结构为150nm宽的纳米曲折线结构,纳米线条占空比为75%,面积为20μm×20μm。超导纳米线是利用电子束曝光(EBL)技术和反应离子刻蚀(RIE)等工艺技术制备的。所制备的SNSPD样品,在温度3.5K下的临界电流约12.9μA;在1310nm波长光波辐照,12.5μA的偏置电流下,探测效率约0.016%。

关键词：超导纳米线单光子探测器电子束曝光反应离子刻蚀探测效率

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防锈油膜在5% Na_2SO_4溶液中的半导体导电行为

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腐蚀科学与防护技术 2004年第5期16卷 276-279页

作者：钟庆东郑金徐乃欣印仁和周国定上海电力学院电化学研究室国家电力公司热力设备腐蚀与防护(部级)重点实验室上海大学化学系上海200436 中国科学院上海微系统及信息技术研究所

采用电位—电容法及Mott-Schottky分析技术研究了自腐蚀电位条件下防锈油膜在 5 %Na2 SO4溶液中失效过程的导电机制转变行为 .防锈油膜在 5 %Na2 SO4溶液中的失效过程存在半导体导电特征 ,随着浸泡时间的延长 ,防锈油膜从浸泡初期的p型... 详细信息

采用电位—电容法及Mott-Schottky分析技术研究了自腐蚀电位条件下防锈油膜在 5 %Na2 SO4溶液中失效过程的导电机制转变行为 .防锈油膜在 5 %Na2 SO4溶液中的失效过程存在半导体导电特征 ,随着浸泡时间的延长 ,防锈油膜从浸泡初期的p型半导体转变为n型半导体 ,转变过程中 ,防锈油膜中出现两个空间电荷过渡层 .随着浸泡时间的延长 ,防锈油膜中的空间电荷层厚度皆逐渐减小 ,载流子密度则逐渐增加 ,并且计算了不同转变时期防锈油膜中的电子给体 (ND)和电子受体 (NA)

关键词：防锈油 Na2SO4 自腐蚀电位油膜 n型半导体过渡层导电机制行为初期层厚

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