检索结果-内蒙古大学图书馆

微电子学 2011年第6期41卷 848-851页

作者：富聪宋志棠陈后鹏蔡道林王倩丁晟李喜宏潇中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

针对相变存储器中编程驱动电路的电源效率问题,设计了一种1.5X/2X/3X自适应高效电荷泵,电路采用跳周期模式稳定输出电压。在中芯国际0.18μm标准CMOS工艺模型下,对电路进行了仿真。结果表明,在输入电压为2.2～4.8V时,输出5V电压,最大负... 详细信息

针对相变存储器中编程驱动电路的电源效率问题,设计了一种1.5X/2X/3X自适应高效电荷泵,电路采用跳周期模式稳定输出电压。在中芯国际0.18μm标准CMOS工艺模型下,对电路进行了仿真。结果表明,在输入电压为2.2～4.8V时,输出5V电压,最大负载电流为10mA,电源效率最高可达94%。

关键词：电荷泵 DC-DC变换器相变存储器

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高电源抑制比低温漂带隙基准源设计

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微电子学 2012年第1期42卷 34-37页

作者：胡佳俊陈后鹏蔡道林宋志棠周桂华中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

根据带隙基准的基本原理,结合含三条支路负反馈的电流源,设计了一种高阶补偿的带隙基准源电路。实现了对温度的2阶补偿和3阶补偿,获得了一种高电源抑制比、低温漂、不受电源变化影响的电压基准源。设计采用0.35μm CMOS工艺,仿真结果表... 详细信息

根据带隙基准的基本原理,结合含三条支路负反馈的电流源,设计了一种高阶补偿的带隙基准源电路。实现了对温度的2阶补偿和3阶补偿,获得了一种高电源抑制比、低温漂、不受电源变化影响的电压基准源。设计采用0.35μm CMOS工艺,仿真结果表明,在-40℃～125℃温度范围内,输出电压的温度系数为7.70×10-7/℃,在1kHz时,电源抑制比为-82.3dB。

关键词：带隙基准源负反馈电源抑制比 BiCMOS

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一种适用于相变存储器锁相环时钟的新型电荷泵

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电路与系统学报 2013年第1期18卷 449-452页

作者：宏潇陈后鹏宋志棠刘波中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

设计了一款低噪声、低功耗的电荷泵,适用于相变存储器驱动电路中的锁相环时钟。与其它结构的电荷泵相比较,此款电路对时钟馈通与电荷注入等干扰免疫力强。根据相变存储器对驱动电路低噪声的性能要求,本电路具有低的热噪声和1/f噪声。仿... 详细信息

设计了一款低噪声、低功耗的电荷泵,适用于相变存储器驱动电路中的锁相环时钟。与其它结构的电荷泵相比较,此款电路对时钟馈通与电荷注入等干扰免疫力强。根据相变存储器对驱动电路低噪声的性能要求,本电路具有低的热噪声和1/f噪声。仿真结果表明输出电压在0℃～80℃温度范围内最大仅有11mV的偏差,其与PFD所产生的相位噪声在1MHz频率下为-102dB。电路采用40nm CMOS工艺设计,电源电压2.5V,功耗0.125mW,芯片面积60 m×55 m。

关键词：电荷泵锁相环相位噪声相变存储器

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一种相变存储器读出电路及其快速读出方法

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微电子学 2012年第1期42卷 21-24页

作者：李喜宋志棠陈后鹏富聪丁晟中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

针对大规模相变存储器所具有的寄生电容大、可能出现读破坏现象等特性,提出了一种读电压模式的相变存储器读出电路及其快速读出方法。基于SMIC 40nm CMOS工艺的仿真结果表明,在2.5V电源电压下,该方法可以在90ns的读出周期内正确读出位... 详细信息

针对大规模相变存储器所具有的寄生电容大、可能出现读破坏现象等特性,提出了一种读电压模式的相变存储器读出电路及其快速读出方法。基于SMIC 40nm CMOS工艺的仿真结果表明,在2.5V电源电压下,该方法可以在90ns的读出周期内正确读出位线寄生电容为30pF的存储单元数据,同时,该读出周期随位线寄生电容的减小而减小。另外,该方法可以和传统的Burst等快速读出方式并存,非常适用于带数据预读机制的高端存储器技术。

关键词：相变存储器读出电路灵敏放大器

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相变存储器中灵敏放大器的设计

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微电子学 2012年第6期42卷 762-764,769页

作者：张怡云陈后鹏龚亮王倩蔡道林陈一峰宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

设计了一种用于相变存储器(PCRAM)的全对称差分灵敏放大器电路,该电路采用预充电技术、限幅电路和防抖动电阻,具有抗干扰能力强、灵活性好、系统性失配小等优点。基于0.13μm CMOS工艺,设计了一个8Mb的PCRAM测试芯片,并进行了流片。测... 详细信息

设计了一种用于相变存储器(PCRAM)的全对称差分灵敏放大器电路,该电路采用预充电技术、限幅电路和防抖动电阻,具有抗干扰能力强、灵活性好、系统性失配小等优点。基于0.13μm CMOS工艺,设计了一个8Mb的PCRAM测试芯片,并进行了流片。测试结果表明,设计的电路在读周期为2μs时能达到很好的读出效果。

关键词：相变存储器灵敏放大器预充电

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一种瞬态响应增强的片上LDO系统设计

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微电子学 2012年第3期42卷 376-379页

作者：胡佳俊陈后鹏王倩蔡道林宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

分析了传统LDO提高系统稳定性及瞬态响应的局限性,提出了一种片内集成补偿技术。该技术无需外挂电容和等效串联电阻(ESR),即可使系统在全负载范围内保持稳定,并具有良好的纹波抑制能力。仿真结果表明,系统空载时静态电流为46μA,且能提... 详细信息

分析了传统LDO提高系统稳定性及瞬态响应的局限性,提出了一种片内集成补偿技术。该技术无需外挂电容和等效串联电阻(ESR),即可使系统在全负载范围内保持稳定,并具有良好的纹波抑制能力。仿真结果表明,系统空载时静态电流为46μA,且能提供200mA的最大负载电流,低频电源抑制比达到-65.6dB,启动时间只有16μs,在输出电容为10pF、负载电流以200mA/2μs突变时,最大下冲电压为120mV,上冲电压为160mV。

关键词： LDO 瞬态响应相位裕度

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基于编程电流／电压的相变存储器写驱动电路

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微电子学 2013年第5期43卷 637-640,645页

作者：范茜陈后鹏许伟义王倩蔡道林金荣宏潇李喜陈一峰宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

相变存储器发生相变时各个单元存在差异性,为了改善其写入数据时的可靠性及芯片的成品率,设计了一种可分别用电流和电压脉冲编程的写驱动电路。针对相变存储器SET过程的特性,写驱动电路可有选择地产生电流阶梯波或电压阶梯波。设计采用S... 详细信息

相变存储器发生相变时各个单元存在差异性,为了改善其写入数据时的可靠性及芯片的成品率,设计了一种可分别用电流和电压脉冲编程的写驱动电路。针对相变存储器SET过程的特性,写驱动电路可有选择地产生电流阶梯波或电压阶梯波。设计采用SMIC 130nm CMOS标准工艺库。对相变存储单元进行了测试,结果表明,用电流梯度波写驱动电路替代传统单一脉高电流脉冲波写驱动电路,相变存储器的低阻分布更加集中,可提高实验芯片的成品率。

关键词：相变存储器写驱动电路擦操作阶梯波

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工艺条件对蓝宝石化学机械抛光的影响

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功能材料与器件学报 2010年第3期16卷 206-210页

作者：汪海波俞沁聪刘卫丽宋志棠张楷亮中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

系统研究了抛光液的pH值、抛光压力和相对转速等因素对蓝宝石抛光速率和表面粗糙度的影响,研究结果表明:随pH值(9-12)的升高,抛光速率增加,表面粗糙度先降低后升高;随抛光压力和相对转速的增加,抛光速率先增加后降低,表面粗糙度先降低... 详细信息

系统研究了抛光液的pH值、抛光压力和相对转速等因素对蓝宝石抛光速率和表面粗糙度的影响,研究结果表明:随pH值(9-12)的升高,抛光速率增加,表面粗糙度先降低后升高;随抛光压力和相对转速的增加,抛光速率先增加后降低,表面粗糙度先降低后升高。研究分析认为:pH值因影响在蓝宝石表面形成的水化层从而影响抛光速率和粗糙度;与抛光压力和相对转速相关的Hersey系数对抛光效果影响很大,当Hersey系数为24时,蓝宝石的抛光速率和表面平整度均达到最佳。

关键词：蓝宝石化学机械抛光(CMP) 二氧化硅 pH值 Heresy系数

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一种特别适用于片上LDO系统的过流保护电路

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电路与系统学报 2013年第1期18卷 1-4页

作者：胡佳俊陈后鹏金荣王倩宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200005

依据电压比较器高低电平判决的基本原理,结合精确电流采样支路,设计了一种固定限流装置。此外,通过第二条电流采样支路,达到返送(foldback)功能,使得短路电流不到最大负载电流的10%,有效降低了LDO(LowDrop-out)系统的过流关断功耗。基于... 详细信息

依据电压比较器高低电平判决的基本原理,结合精确电流采样支路,设计了一种固定限流装置。此外,通过第二条电流采样支路,达到返送(foldback)功能,使得短路电流不到最大负载电流的10%,有效降低了LDO(LowDrop-out)系统的过流关断功耗。基于CZ6H 0.35μm标准CMOS工艺,应用Cadence工具进行仿真,结果显示,该过流保护电路可以把稳压器的最大输出电流限定在300mA,输出短路电流不到20mA,在无片外电容的条件下,系统表现出良好的瞬态响应效果;此外,该过流保护模块非常易于调节来适应于不同的标准输出电压。

关键词：过流保护短路电流返送

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基于角度扩展的稳健自适应波束形成算法

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计算机应用 2014年第A1期34卷 15-17页

作者：程晶唐亮郑敏中国科学院上海微系统与信息技术研究所宽带无线移动通信研究室上海200050

导向矢量误差是影响自适应波束形成算法稳健性的关键要素之一,针对该问题提出基于角度扩展的稳健自适应波束形成算法。在期望信号到达角(DOA)给定范围内对导向矢量误差积分求和,展宽方向图主瓣,实现角度扩展。后续采用最陡下降迭代法降... 详细信息

导向矢量误差是影响自适应波束形成算法稳健性的关键要素之一,针对该问题提出基于角度扩展的稳健自适应波束形成算法。在期望信号到达角(DOA)给定范围内对导向矢量误差积分求和,展宽方向图主瓣,实现角度扩展。后续采用最陡下降迭代法降低计算复杂度。数值仿真表明,该算法解决了系统性能因导向矢量误差而急剧下降的问题,在小误差情况下,系统性能提高约20%。

关键词：导向矢量误差自适应波束形成角度扩展最陡下降稳健性

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