检索结果-内蒙古大学图书馆

细胞生物学杂志 2009年第4期31卷 481-485页

作者：翟万银周双雯贾春平徐元森中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室上海200050 复旦大学生命科学学院上海200433

藤黄酸是传统中药藤黄中的重要成分。近年来,由于它显著的抗癌作用和低细胞毒性,受到越来越多研究人员的关注。目前细胞生物学作用机制研究在(1)藤黄酸及其衍生物对肿瘤细胞增殖的抑制和促凋亡作用,(2)激活T淋巴细胞诱导肿瘤细胞凋亡,以... 详细信息

藤黄酸是传统中药藤黄中的重要成分。近年来,由于它显著的抗癌作用和低细胞毒性,受到越来越多研究人员的关注。目前细胞生物学作用机制研究在(1)藤黄酸及其衍生物对肿瘤细胞增殖的抑制和促凋亡作用,(2)激活T淋巴细胞诱导肿瘤细胞凋亡,以及(3)肿瘤血管生成的抑制作用等方面取得一系列重要进展。虽然其作用的分子机制有可能尚未被完全揭示,但这些机制为后续研究及临床应用打下了良好的基础。

关键词：藤黄酸肿瘤凋亡血管生成

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我国相变存储器的研究现状与发展前景

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微纳电子技术 2007年第2期44卷 55-61页

作者：刘波宋志棠封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室上海200050

介绍了我国相变存储器的研究现状及面临的关键问题。提出了我国相变存储器的发展思路和目标:加强新型材料和器件结构等方面的基础研究,形成创新性的成果,同时加强专利战略布局;加强与国内半导体公司的合作,共同推进相变存储器的产业化进... 详细信息

介绍了我国相变存储器的研究现状及面临的关键问题。提出了我国相变存储器的发展思路和目标:加强新型材料和器件结构等方面的基础研究,形成创新性的成果,同时加强专利战略布局;加强与国内半导体公司的合作,共同推进相变存储器的产业化进程;探索相变存储器的新应用领域,寻求在通信、金融、交通、医疗、身份证等领域的应用。

关键词：相变存储器研究现状发展前景

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相变存储器中选通二极管的模型与优化

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功能材料与器件学报 2010年第6期16卷 536-541页

作者：李宜瑾凌云宋志棠贾晓玲罗胜钦同济大学电子与信息工程学院上海201804 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

设计了0.13um标准CMOS工艺下相变存储器(PCM)中选通二极管的二维工艺模型,利用数值模拟方法进行仿真,对模型中关键参数的优化,得到了一个性能优化的P+/N-/N+结构的选通二极管,此选通二极管可在1.47V电压下达到1 mA的RESET电流,并且反向... 详细信息

设计了0.13um标准CMOS工艺下相变存储器(PCM)中选通二极管的二维工艺模型,利用数值模拟方法进行仿真,对模型中关键参数的优化,得到了一个性能优化的P+/N-/N+结构的选通二极管,此选通二极管可在1.47V电压下达到1 mA的RESET电流,并且反向击穿电压可以达到11V。文章最后还讨论了工艺尺寸从0.13um到22nm等比例缩小下选通二极管的性能,仿真结果表明这些选通二极管均能在较低电压下提供满足RESET操作的电流。

关键词：相变存储器选通二极管数值模拟

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相变存储器测试系统中的脉冲信号的改善

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计算机测量与控制 2007年第10期15卷 1281-1282,1294页

作者：梁爽宋志棠刘波陈小刚封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室

相变存储器测试系统由于PCI控制卡中的总线信号之间的串扰,严重影响了施加在器件单元上的波形;以保证对C-RAM(Chalcogenide-Random Access Memory)进行非晶化操作时脉冲信号下降沿的速度和整个信号的完整性,针对以上问题分别从串口与单... 详细信息

相变存储器测试系统由于PCI控制卡中的总线信号之间的串扰,严重影响了施加在器件单元上的波形;以保证对C-RAM(Chalcogenide-Random Access Memory)进行非晶化操作时脉冲信号下降沿的速度和整个信号的完整性,针对以上问题分别从串口与单片机通信控制继电器和利用PCI控制卡控制继电器两个方面提出了解决方案,并进行了相应的硬件电路和软件设计;结果发现非晶化操作时脉冲信号下降速度加快,并且消除了信号的失真;改善后的测试系统对器件一致性的参数的提取发挥了重要作用,为芯片的电路设计奠定了基础。

关键词：相变存储器测试系统串口 PCI控制卡

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基于级联卷积网络的面部关键点定位算法

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中国科学院大学学报（中英文） 2020年第4期37卷 562-569页

作者：孙铭堃梁令羽汪涵何为赵鲁阳中国科学院上海微系统与信息技术研究所宽带无线移动通信研究室上海201800 中国科学院大学北京100049

目前,人的面部关键点定位算法在限定环境下已达到很高的识别率,但在非限定环境下,仍易受到环境光线不均、测试角度范围广、检测目标姿态多样及遮挡模糊等因素的影响。提出一种级联卷积网络以提高关键点定位的精度与鲁棒性。在进行人脸... 详细信息

目前,人的面部关键点定位算法在限定环境下已达到很高的识别率,但在非限定环境下,仍易受到环境光线不均、测试角度范围广、检测目标姿态多样及遮挡模糊等因素的影响。提出一种级联卷积网络以提高关键点定位的精度与鲁棒性。在进行人脸检测时,该算法在Light-VGGNet的基础上提出一种DPM-CNN网络结构,引入五官可变形部件,将人脸检测与五官定位同时进行,提高人脸检测精度并降低人脸检测对面部关键点定位的影响。在进行内部关键点定位时,采用由粗到细的算法思想,将两层不同的网络级联实现对内外关键点的定位。利用FDDB数据集进行测试,无论在人脸检测,还是面部关键点定位上,所提出的卷积网络结构准确度和检测速度均高于其他算法,在非限定环境下表现出很好的鲁棒性。

关键词：非限定环境级联卷积网络 Light-VGGNet DPM-CNN 人脸检测面部关键点定位

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图案化GaAs衬底外延InP局域表面成核层生长

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半导体技术 2015年第6期40卷 448-454页

作者：戚永乐张瑞英张震王岩岩朱健孙玉润赵勇明董建荣王庶民中国科学技术大学纳米学院江苏苏州215123 中国科学院苏州纳米技术-9纳米仿生研究所江苏苏州215123 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

使用光学显微镜、原子力显微镜和微区喇曼光谱对在纳球光刻图案化GaAs衬底的孔洞区进行金属有机化学气相沉积(MOCVD)进而对InP成核层进行了研究。实验结果表明,该局域表面InP的成核层生长和孔洞的大小、方向、位置关系不大,与MOCVD的生... 详细信息

使用光学显微镜、原子力显微镜和微区喇曼光谱对在纳球光刻图案化GaAs衬底的孔洞区进行金属有机化学气相沉积(MOCVD)进而对InP成核层进行了研究。实验结果表明,该局域表面InP的成核层生长和孔洞的大小、方向、位置关系不大,与MOCVD的生长条件相关。与渐变缓冲层生长相比,在InP的成核层中没有出现穿透位错,其结晶质量随着温度的升高而提高,但其表面粗糙度会随着温度的升高而增加,这个现象可能和它的3D岛状生长有关。AFM测试结果表明,提高V/III比可以在较低的温度下抑制其表面粗糙度降至纳米量级。微区喇曼光谱测试表明,在适当条件生长下可获得InP成核层的二维生长方式。该研究为进一步基于ART机理在二维图案化GaAs衬底开展InP异质外延研究奠定基础。

关键词：图形化衬底 GaAs/InP异质外延表面形貌粗糙度应力

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基于PCRAM的射频标签模拟前端关键电路设计

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微电子学 2012年第5期42卷 651-654页

作者：王兆敏蔡道林陈后鹏宋志棠傅忠谦中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050 中国科学技术大学电子科学与技术系合肥230027

基于相变存储器,对无源超高频电子标签模拟前端四个关键电路进行低功耗设计。整流电路采用9级电荷泵,结合储能电容和过压保护电路,得到了很好的整流效果。上电复位电路在箝位电路的基础上利用简单的缓冲器及异或逻辑,得到性能良好的矩... 详细信息

基于相变存储器,对无源超高频电子标签模拟前端四个关键电路进行低功耗设计。整流电路采用9级电荷泵,结合储能电容和过压保护电路,得到了很好的整流效果。上电复位电路在箝位电路的基础上利用简单的缓冲器及异或逻辑,得到性能良好的矩形脉冲复位信号PORB,通过PMOS栅交叉耦合,极大地降低了电路静态电流(<1nA)。在基准电源电路中,设计了双极晶体管和MOS晶体管,兼具功耗低和准确性高的优势。稳压电路采用串联稳压结构,电源抑制比达到28.2dB。仿真结果显示,功耗达到nA级,输出直流电压为3V。

关键词：相变存储器电子标签模拟前端低功耗

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一种新型复合磨料对铜的化学机械抛光研究

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功能材料与器件学报 2011年第5期17卷 520-525页

作者：张磊汪海波张泽芳王良咏刘卫丽宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050 上海新安纳电子科技有限公司上海201506 中国科学院研究生院北京100049

磨料是化学机械抛光(CMP)中重要的组成部分,是决定抛光平坦化的重要影响因素。采用两步法制备了新型的氧化硅包覆聚苯乙烯(PS)核壳型复合磨料,采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM),X射线能量色散谱(EDX)等对复合磨料进行了表... 详细信息

磨料是化学机械抛光(CMP)中重要的组成部分,是决定抛光平坦化的重要影响因素。采用两步法制备了新型的氧化硅包覆聚苯乙烯(PS)核壳型复合磨料,采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM),X射线能量色散谱(EDX)等对复合磨料进行了表征。结果表明所制备的复合磨料具有核壳结构,且表面光滑。随后复合磨料对比硅溶胶对铜化学机械抛光进行研究,采用原子力显微镜(AFM)观测表面的微观形貌,并测量了表面粗糙度。经过复合磨料抛光后的铜片粗糙度为0.58nm,抛光速率为40nm/min。硅溶胶抛光后的铜片的粗糙度是1.95nm,抛光速率是37nm/min。

关键词： PS/SiO2 复合磨料铜化学机械抛光

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高性能超级电容器有序中孔炭材料的研制

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功能材料与器件学报 2009年第5期15卷 477-482页

作者：赵家昌张熙贵郑静孙锦晶徐菁利上海工程技术大学化学化工学院上海201620 中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术实验室上海200050

采用微湿含浸法制备了一系列具有不同比表面积和孔径分布的超级电容器有序中孔炭材料。采用液氮吸附脱附等温线、小角XRD以及TEM表征了有序中孔炭的孔结构,在1MEt4NBF4|PC电解液中测试了其电化学性能。结果表明,所制得的有序中孔炭的BE... 详细信息

采用微湿含浸法制备了一系列具有不同比表面积和孔径分布的超级电容器有序中孔炭材料。采用液氮吸附脱附等温线、小角XRD以及TEM表征了有序中孔炭的孔结构,在1MEt4NBF4|PC电解液中测试了其电化学性能。结果表明,所制得的有序中孔炭的BET比表面积随糠醇加入量的增加先增加后减小,糠醇加入量少制得具有CMK-5结构的有序中孔炭,加入量多制得的CMK-3结构。电化学性能测试结果表明,在1mA·cm-2的充放电电流密度下各有序中孔炭材料比电容的大小顺序与其BET比表面积的大小顺序基本一致,具有CMK-3结构的有序中孔炭的倍率性能最好,并且也好于无序中孔炭的。

关键词：超级电容器有序中孔炭糠醇电化学性能

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不同碱和分散剂对蓝宝石基片研磨的影响

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半导体技术 2012年第4期37卷 267-270页

作者：张泽芳刘卫丽宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050 上海新安纳电子科技有限公司上海201506

在LED制造工艺中,金刚石研磨液是一种关键的耗材,用于蓝宝石衬底的研磨和外延片的背减薄,但目前金刚石研磨液均以有机物作为分散介质。采用水为分散介质、多晶金刚石微粉为磨料,在相同研磨条件下,研究了不同种类的碱和分散剂对蓝宝石研... 详细信息

在LED制造工艺中,金刚石研磨液是一种关键的耗材,用于蓝宝石衬底的研磨和外延片的背减薄,但目前金刚石研磨液均以有机物作为分散介质。采用水为分散介质、多晶金刚石微粉为磨料,在相同研磨条件下,研究了不同种类的碱和分散剂对蓝宝石研磨性能的影响。分别采用分析天平称重法和原子力显微镜测试了研磨速率和蓝宝石的表面粗糙度。结果表明,抛光后蓝宝石表面质量和抛光液分散性有严格的依赖关系,而抛光速率和研磨液分散性并不严格相关。最后,采用三乙醇胺为pH值调节剂,Orotan1124为分散剂,获得了相对较高的去除率和较好的表面质量。

关键词：多晶金刚石三乙醇胺分散剂蓝宝石研磨

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