超薄基体埋氧全耗尽绝缘层基硅(Ultra Thin body and BOX- Fully Depleted - silicon on insulator,UTBB-FD-SOI,以下简称FD-SOI),是一种基于两大创新来实现平面晶体管结构的工艺技术:一是,在体硅中引入了超薄的埋氧(BOX)层,作为绝缘层...
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超薄基体埋氧全耗尽绝缘层基硅(Ultra Thin body and BOX- Fully Depleted - silicon on insulator,UTBB-FD-SOI,以下简称FD-SOI),是一种基于两大创新来实现平面晶体管结构的工艺技术:一是,在体硅中引入了超薄的埋氧(BOX)层,作为绝缘层;二是,用超薄的顶硅层制造出全耗尽的晶体管沟道。FD-SOI最大的特点是可以在无需全面改造设备结构、完整性和生产流程的前提下实现摩尔定律下的芯片面积微缩、能耗节省、性能提升及功能拓展。FD-SOI晶体管的结构如图1所示。
介绍了一种基于高性能SOC(System on Chip)C8051F020的微流控芯片多功能控制系统,它针对不同芯片管道结构可以实现灵活多样的控制,同时系统还可采用外部接触法对微芯片温度进行实时PID模糊监控。系统是基于高性能C8051内核,外围扩展出I/...
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介绍了一种基于高性能SOC(System on Chip)C8051F020的微流控芯片多功能控制系统,它针对不同芯片管道结构可以实现灵活多样的控制,同时系统还可采用外部接触法对微芯片温度进行实时PID模糊监控。系统是基于高性能C8051内核,外围扩展出I/O、A/D、D/A、通信等功能模块,与PC和触摸屏构成了一套完整的多功能微芯片电泳控制系统。系统可灵活设定微芯片的电泳进样分离时间及电压,并且采用光耦隔离I/O实现高压隔离,双级继电器以实现高压无缝极间切换,具有较高的智能自动化。
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