检索结果-内蒙古大学图书馆

传感技术学报 2005年第3期18卷 525-530页

作者：董林玺孙玲玲车录锋王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 杭州电子科技大学微电子CAD研究所杭州310018

分析了梳齿电容式传感器在三种电容驱动方式下,梳齿电容极板的不平行对传感器受到阶跃加速度信号作用时可靠工作条件的影响。得到了梳齿倾斜效应对传感器阶跃加速度响应影响的分析模型。结果表明梳齿电容在同样的电压驱动下,若电容极板... 详细信息

分析了梳齿电容式传感器在三种电容驱动方式下,梳齿电容极板的不平行对传感器受到阶跃加速度信号作用时可靠工作条件的影响。得到了梳齿倾斜效应对传感器阶跃加速度响应影响的分析模型。结果表明梳齿电容在同样的电压驱动下,若电容极板的倾斜角变到0.5°时,对于单边电容结构、双边电容结构和有力反馈的双边电容结构,传感器能够承受的临界阶跃加速度分别变为电容极板完全平行时的0.34、0.44、0.52。并针对DRIE工艺刻蚀梳齿的原理,讨论了改进梳齿不平行的方法。

关键词：电容式传感器惯性传感器可靠工作范围阶跃信号

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偏置电压极性对差分电容微传感器可靠工作条件的影响分析

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机械强度 2005年第4期27卷 465-469页

作者：董林玺孙玲玲王跃林杭州电子科技大学微电子CAD研究所杭州310018 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

为了测得电容式传感器的电容变化,一般需要有直流偏置电压的交流驱动信号加到传感器上,然而驱动信号产生的静电力会干扰传感器的测量和可靠工作条件。文中分析差分电容传感器受到阶跃加速度信号作用时,不同偏置电压极性对可靠工作条件... 详细信息

为了测得电容式传感器的电容变化,一般需要有直流偏置电压的交流驱动信号加到传感器上,然而驱动信号产生的静电力会干扰传感器的测量和可靠工作条件。文中分析差分电容传感器受到阶跃加速度信号作用时,不同偏置电压极性对可靠工作条件的影响,得到不同偏置电压极性下传感器的临界阶跃加速度与随测试信号电压和反馈系数的关系表达式及其变化曲线。结果表明若偏置电压极性为正—正或正—负配置,其电子机械反馈本质上是负反馈,且偏置电压极性为正—负配置时,传感器承受阶跃加速度冲击的能力最强。若偏置电压极性为负—负或负—正配置,其电子机械反馈本质上是正反馈,偏置电压极性为负—正配置时,其抗阶跃加速度冲击的能力最低。

关键词：电容式传感器惯性传感器可靠工作范围阶跃信号偏置电压极性

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应用BCB材料进行硅-玻璃气密性封装的实验与理论研究

应用BCB材料进行硅-玻璃气密性封装的实验与理论研究

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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

作者：刘玉菲刘文平李四华吴亚明罗乐中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室微系统技术国家级重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室微系统技术国家级重点实验室上海200050

应用苯并环丁烯(BCB)材料对硅片和玻璃片进行了250℃条件下的圆片级低温键合实验,同时进行了300℃条件下的硅片与玻璃片阳极键合实验,并对其气密性和剪切力特性进行了对比研究.测试结果表明:在250℃的低温键合条件下,经过5atmHe气保压2... 详细信息

应用苯并环丁烯(BCB)材料对硅片和玻璃片进行了250℃条件下的圆片级低温键合实验,同时进行了300℃条件下的硅片与玻璃片阳极键合实验,并对其气密性和剪切力特性进行了对比研究.测试结果表明:在250℃的低温键合条件下,经过5atmHe气保压2小时,测得BCB封装后样品的气密性达到(5.5±0.5)×10-9atmcc/sHe;剪切力在9.0(∪)13.4MPa之间,完全达到了封装工艺要求;实验中封装成品率达到100﹪.表明应用BCB材料键合是一种有效的圆片级低温气密性封装方法.文章还根据渗流模型理论,讨论了简易模型下气密性(即渗流率)和器件腔体边缘到划片边缘的间距的关系.

关键词：低温键合气密性封装苯并环丁烯渗流模型气密性

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从微到纳尺度缩小进程中的传感器技术应对方略探讨

从微到纳尺度缩小进程中的传感器技术应对方略探讨

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第九届全国敏感元件与传感器学术会议

作者：李昕欣王跃林鲍敏杭焦继伟李铁杨恒罗乐车录锋传感技术国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 复旦大学微电子学系上海200433

本文回顾和概括了MEMS传感器进入微米尺度后解决的几个关键性问题.文中结合微传感器发展的典型事例进行分析,并对我国科学工作者在其中的贡献给予肯定.在总结的基础上分析目前传感器走向纳米尺度的一些相关概念理解和需要着重研究的纳... 详细信息

本文回顾和概括了MEMS传感器进入微米尺度后解决的几个关键性问题.文中结合微传感器发展的典型事例进行分析,并对我国科学工作者在其中的贡献给予肯定.在总结的基础上分析目前传感器走向纳米尺度的一些相关概念理解和需要着重研究的纳米效应问题.对传感器从微到纳的发展趋势进行了展望.

关键词：传感器微米尺度纳米效应

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MEMS悬臂式开关的失效分析

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传感技术学报 2004年第3期17卷 492-496页

作者：徐欣郭方敏葛羽屏李成诗于绍欣朱荣锦赖宗声朱自强王跃林陆卫华东师范大学信息科学和技术学院上海200062 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点开放实验室上海200050 中国科学院上海技术物理所红外物理国家重点实验室上海200083

介绍了一种表面微机械系统开关 ,悬臂材料为Au SiOxNy Au铬金作为电欧姆接触。用静电激励 (激励电压为 1 3V)方式 ,测试其隔离度。获得结果为微机械开关在 1～ 4 0GHz的范围内隔离度可高达 35dB。我们采用对开关施加激励方波脉冲的方法... 详细信息

介绍了一种表面微机械系统开关 ,悬臂材料为Au SiOxNy Au铬金作为电欧姆接触。用静电激励 (激励电压为 1 3V)方式 ,测试其隔离度。获得结果为微机械开关在 1～ 4 0GHz的范围内隔离度可高达 35dB。我们采用对开关施加激励方波脉冲的方法测试寿命。结果寿命接近 1 0 5,应用ANSYS对几种不同的MEMS射频接触悬臂开关模型进行了力电耦合分析和失效机理。

关键词：寿命悬臂接触式开关驱动电压失效 ANSYS

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相位连续可调毫米波MEMS移相器的研制

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华东师范大学学报（自然科学版） 2004年第1期 49-55页

作者：郭方敏朱守正魏华征郑莹朱荣锦忻佩胜朱自强赖宗声杨根庆陆卫华东师范大学信息科学技术学院上海 200062 中国科学院上海技术物理所红外物理国家重点实验室华东师范大学信息科学技术学院中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合开放实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所中国科学院上海技术物理所

MEMS毫米波相移器是MEMS毫米波相控阵天线的关键部件之一,它的性能直接决定了毫米波相控阵天线的性能。该文介绍毫米波MEMS相移器的设计,研究低损耗衬底,Au,AlxSi1-x可动膜对下拉电压和传输损耗的影响,测试表明:21桥相位连续可调的分布... 详细信息

MEMS毫米波相移器是MEMS毫米波相控阵天线的关键部件之一,它的性能直接决定了毫米波相控阵天线的性能。该文介绍毫米波MEMS相移器的设计,研究低损耗衬底,Au,AlxSi1-x可动膜对下拉电压和传输损耗的影响,测试表明:21桥相位连续可调的分布式压控开关阵列一毫米波相移器在35GHz时,启动电压5V,20V时相移量达到372°/3.5 mm,并能在不同的控制电压下根据要求改变相移量。

关键词： MEMS 毫米波相移器相位连续可调传输损耗插入损耗启动电压

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先进体硅机械加工技术——从微米到纳米

先进体硅机械加工技术——从微米到纳米

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第一届长三角地区传感技术学术交流会

作者：李昕欣王跃林李铁杨恒焦继伟传感技术国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所

介绍了多种自主研发的先进体硅机械加工技术。在湿法各向异性腐蚀技术方面,开发了一种“掩模-无掩模三维腐蚀技术”,只进行一次光刻,就可以用顺序的腐蚀过程实现多层微机械结构,用该技术可以制备多种先进MEMS器件。介绍用ICP-DRIE深刻... 详细信息

介绍了多种自主研发的先进体硅机械加工技术。在湿法各向异性腐蚀技术方面,开发了一种“掩模-无掩模三维腐蚀技术”,只进行一次光刻,就可以用顺序的腐蚀过程实现多层微机械结构,用该技术可以制备多种先进MEMS器件。介绍用ICP-DRIE深刻蚀工艺实现的多种先进MEMS结构和开发的传感器。充分结合硅材料的各向异性和加工技术的高度选择性,体硅加工技术可以有力延伸到制造具有纳米特征尺度的纳机电器件。本文以集成探针和纳米硅谐振梁的体硅加工为例,表明了体硅加工技术的能力和发展前景。

关键词：机械加工技术

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一种新型腔体式共面波导型微机械射频开关

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功能材料与器件学报 2004年第3期10卷 350-354页

作者：黄蓉焦继伟王跃林传感技术国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所中国科学院研究生院北京100039

提出了一种新型的腔体式共面波导型微机械射频开关的结构,可动的金属/电介质的复合膜结构的共面波导既可作射频开关,同时也构成微波信号的传输路径。在普通电阻率(4-8Ω·cm)的硅片上,采用表面微机械加工技术制作出体积大小为:1000... 详细信息

提出了一种新型的腔体式共面波导型微机械射频开关的结构,可动的金属/电介质的复合膜结构的共面波导既可作射频开关,同时也构成微波信号的传输路径。在普通电阻率(4-8Ω·cm)的硅片上,采用表面微机械加工技术制作出体积大小为:1000μm×600μm×300μm的射频开关,驱动电压为35V,在射频信号频率为50MHz到10GHz的范围内,该开关的插入损耗低于2dB,隔离度高于40dB。

关键词：微电子机械系统射频开关共面波导微机械

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压阻式高量程微加速度计的冲击校准

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传感器技术 2003年第11期22卷 78-80页

作者：郇勇张泰华杨业敏王钻开陆德仁中国科学院力学研究所非线性力学国家重点实验室北京100080 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家实验室上海200050

采用体硅微机械加工技术和扩散技术,制作压阻式高量程微加速度计,设计量程为50000gn。芯片材料为单晶硅,采用双列扁平陶瓷封装。为了测量其动态灵敏度,使用Hopkinson杆在约40000gn的加速度水平下进行了冲击校准。在电桥电压为6.33V的情... 详细信息

采用体硅微机械加工技术和扩散技术,制作压阻式高量程微加速度计,设计量程为50000gn。芯片材料为单晶硅,采用双列扁平陶瓷封装。为了测量其动态灵敏度,使用Hopkinson杆在约40000gn的加速度水平下进行了冲击校准。在电桥电压为6.33V的情况下,被测微加速度计的灵敏度为1.26μV/gn。

关键词：微电子机械系统微加速度计 Hopkinmn杆校准扩散技术芯片结构

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悬臂式RF MEMS开关的设计与研制

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Journal of Semiconductors 2003年第11期24卷 1190-1195页

作者：郭方敏赖宗声朱自强贾铭初建朋范忠朱荣锦戈肖鸿杨根庆陆卫华东师范大学信息科学和技术学院上海200062 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083

介绍了一种制作在低阻硅 (3～ 8Ω· cm)上的悬臂式 RF MEMS开关 .在 Cr/ Au CPW共面波导上 ,金 /Si Ox Ny/金三明治结构或电镀金作为悬置可动臂 ,静电受激作为开关机理 .当开关处于“关断”态 ,其隔离度小于- 35 d B(2 0～ 4 0 GHz... 详细信息

介绍了一种制作在低阻硅 (3～ 8Ω· cm)上的悬臂式 RF MEMS开关 .在 Cr/ Au CPW共面波导上 ,金 /Si Ox Ny/金三明治结构或电镀金作为悬置可动臂 ,静电受激作为开关机理 .当开关处于“关断”态 ,其隔离度小于- 35 d B(2 0～ 4 0 GHz) ;阈值电压为 13V ;开关处于“开通”态 ,插入损耗为 4～ 7d B(1～ 10 GHz) ,反射损耗为 - 15 d B.另外 ,还分析了开关的悬臂梁弯曲度与驱动电压的关系 ,并应用 ANSYS软件对开关进行了电学。

关键词：悬臂梁插入损耗隔离度 ANSYS软件阈值电压

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