检索结果-内蒙古大学图书馆

机械强度 2005年第4期27卷 465-469页

作者：董林玺孙玲玲王跃林杭州电子科技大学微电子CAD研究所杭州310018 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

为了测得电容式传感器的电容变化,一般需要有直流偏置电压的交流驱动信号加到传感器上,然而驱动信号产生的静电力会干扰传感器的测量和可靠工作条件。文中分析差分电容传感器受到阶跃加速度信号作用时,不同偏置电压极性对可靠工作条件... 详细信息

为了测得电容式传感器的电容变化,一般需要有直流偏置电压的交流驱动信号加到传感器上,然而驱动信号产生的静电力会干扰传感器的测量和可靠工作条件。文中分析差分电容传感器受到阶跃加速度信号作用时,不同偏置电压极性对可靠工作条件的影响,得到不同偏置电压极性下传感器的临界阶跃加速度与随测试信号电压和反馈系数的关系表达式及其变化曲线。结果表明若偏置电压极性为正—正或正—负配置,其电子机械反馈本质上是负反馈,且偏置电压极性为正—负配置时,传感器承受阶跃加速度冲击的能力最强。若偏置电压极性为负—负或负—正配置,其电子机械反馈本质上是正反馈,偏置电压极性为负—正配置时,其抗阶跃加速度冲击的能力最低。

关键词：电容式传感器惯性传感器可靠工作范围阶跃信号偏置电压极性

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

台面型InP/InGaAs PIN光伏探测器的p-InP低阻欧姆接触

引用

红外与激光工程 2011年第12期40卷 2309-2313页

作者：魏鹏朱耀明邓洪海唐恒敬李雪张永刚龚海梅中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室上海200083 中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室上海200083 中国科学院研究生院北京100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

研究了电子束蒸发淀积的非合金膜系Au/Pt/Ti/p-InP(2×1018cm-3)接触的物理特性,通过450℃、4 min的快速退火,获得了欧姆接触,其比接触电阻为7.3×10-5Wcm2。接触电极退火后,采用离子溅射法淀积加厚电极Cr/Au。利用俄歇电子能谱... 详细信息

研究了电子束蒸发淀积的非合金膜系Au/Pt/Ti/p-InP(2×1018cm-3)接触的物理特性,通过450℃、4 min的快速退火,获得了欧姆接触,其比接触电阻为7.3×10-5Wcm2。接触电极退火后,采用离子溅射法淀积加厚电极Cr/Au。利用俄歇电子能谱(AES)进行深度剖面分析,表明Pt层能够相对有效地阻挡Au和InP的互扩散,但仍会有少部分的Au穿透Pt层进入InP层;金属与p-InP低阻欧姆接触的形成由界面处金属和InP的化学及其冶金学反应决定,并且少量的In-Au化合物的形成可能有益于接触特性的改善。结果表明,采用合适的退火条件可以制备出低阻、表面光滑、可靠性高的欧姆接触。

关键词：传输线模型(TLM) p-InP 欧姆接触比接触电阻 AES

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

MEMS悬臂式开关的失效分析

引用

传感技术学报 2004年第3期17卷 492-496页

作者：徐欣郭方敏葛羽屏李成诗于绍欣朱荣锦赖宗声朱自强王跃林陆卫华东师范大学信息科学和技术学院上海200062 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点开放实验室上海200050 中国科学院上海技术物理所红外物理国家重点实验室上海200083

介绍了一种表面微机械系统开关 ,悬臂材料为Au SiOxNy Au铬金作为电欧姆接触。用静电激励 (激励电压为 1 3V)方式 ,测试其隔离度。获得结果为微机械开关在 1～ 4 0GHz的范围内隔离度可高达 35dB。我们采用对开关施加激励方波脉冲的方法... 详细信息

介绍了一种表面微机械系统开关 ,悬臂材料为Au SiOxNy Au铬金作为电欧姆接触。用静电激励 (激励电压为 1 3V)方式 ,测试其隔离度。获得结果为微机械开关在 1～ 4 0GHz的范围内隔离度可高达 35dB。我们采用对开关施加激励方波脉冲的方法测试寿命。结果寿命接近 1 0 5,应用ANSYS对几种不同的MEMS射频接触悬臂开关模型进行了力电耦合分析和失效机理。

关键词：寿命悬臂接触式开关驱动电压失效 ANSYS

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于MEMS静电微镜驱动器的光纤相位调制器

引用

光电子．激光 2012年第9期23卷 1635-1643页

作者：翟雷应徐静吴亚明刘闯雷洪波陶大勇中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术重点实验室传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039 中石油吉林石化分公司化肥厂吉林132021 中石油吉林石化分公司炼油厂吉林132022

设计并制作出了一种基于MEMS静电微镜驱动器的光纤相位调制器。MEMS静电驱动器采用垂直梳齿驱动技术,驱动硅微反射镜沿其法线方向的垂直平移运动以实现入射光波的光相位调制。MEMS静电微镜驱动器与光纤准直器耦合构成MEMS光纤相位调制器... 详细信息

设计并制作出了一种基于MEMS静电微镜驱动器的光纤相位调制器。MEMS静电驱动器采用垂直梳齿驱动技术,驱动硅微反射镜沿其法线方向的垂直平移运动以实现入射光波的光相位调制。MEMS静电微镜驱动器与光纤准直器耦合构成MEMS光纤相位调制器,避免了拉伸光纤或改变折射率的困难,具有MEMS技术批量制造、低成本等优势。采用MEMS工艺成功制作出MEMS光纤相位调制器,并实现Michelson光纤干涉仪。利用ASE宽带光源对光纤相位调制器的静态调制特性进行测试,采用Michelson光纤干涉仪对光纤相位调制器的动态调制特性进行测试,结果表明,MEMS光纤相位调制器50V偏压实现了1 550nm光波的2π相位调制,当器件谐振频率为7.15kHz以及交、直流电压幅值分别为12.5V时,响应幅值可达6.8μm,可以实现多个2π的相位的正弦调制。

关键词：光纤相位调制器 MEMS 垂直梳齿微镜光纤传感器

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

大位移MEMS静电梳齿驱动器的设计及制作

引用

功能材料与器件学报 2009年第1期15卷 7-14页

作者：明安杰李铁王跃林传感技术联合国家重点实验室微系统技术国家级重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院研究生院北京100039

文章提出了一种大位移低驱动电压的MEMS静电梳齿驱动器,对器件进行了设计、模拟、制作以及测试。梳齿驱动器的侧向不稳定性即侧向吸合现象限制了梳齿驱动器的最大驱动位移,发现侧向稳定因子S,随支撑梁刚度比ky/kx以及梳齿间隙g的增加而... 详细信息

文章提出了一种大位移低驱动电压的MEMS静电梳齿驱动器,对器件进行了设计、模拟、制作以及测试。梳齿驱动器的侧向不稳定性即侧向吸合现象限制了梳齿驱动器的最大驱动位移,发现侧向稳定因子S,随支撑梁刚度比ky/kx以及梳齿间隙g的增加而增加,随梳齿交叠长度的增加而减小;而驱动器的驱动电压随梳齿间隙的增加而升高。在以上研究的基础上,提出了一种采用小间隙无初始交叠、长度线性递增梳齿结构和高纵/横向刚度比的预弯曲支撑梁结构的梳齿驱动器。器件测试结果表明,驱动电压71V时,可以达到100μm的驱动位移,进一步测试表明,驱动器的基模共振频率为573Hz,Q值为35.88。

关键词： MEMS 梳齿驱动器侧向稳定性预弯曲梁

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于Verilog-A的电容式MEMS加速度计模型

引用

传感技术学报 2008年第6期21卷 942-945页

作者：赵楷熊斌车录锋中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

本文分析了传统MEMS电容式加速度计模型的不足,根据三明治结构电容式加速度计的特点,考虑了寄生电容和热机械噪声的影响,建立了用Verilog-A硬件描述语言实现的模型。该模型与主流集成电路设计环境相兼容,具有很强的可移植性。模拟验证... 详细信息

本文分析了传统MEMS电容式加速度计模型的不足,根据三明治结构电容式加速度计的特点,考虑了寄生电容和热机械噪声的影响,建立了用Verilog-A硬件描述语言实现的模型。该模型与主流集成电路设计环境相兼容,具有很强的可移植性。模拟验证结果表明,该模型如实反映了MEMS电容式加速度计的工作状态,能够为设计单片集成的微弱电容检测电路提供有效的帮助。

关键词： MEMS加速度计 Verilog-A模型寄生电容热机械噪声

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

带温度补偿结构的高灵敏度光读出红外成像阵列器件设计

引用

功能材料与器件学报 2009年第1期15卷 46-52页

作者：李珂冯飞熊斌王跃林传感技术联合国家重点实验室微系统技术国家级重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院研究生院北京100039

本文提出了一种光读出红外成像阵列器件的结构设计,该设计提高了器件的热-机械灵敏度,同时能有效降低周围环境温度变化所带来的影响。理论计算表明,该阵列器件的关键性能指标热-机械灵敏度和噪声等效温差分别为2.39×10-3和2.42,此... 详细信息

本文提出了一种光读出红外成像阵列器件的结构设计,该设计提高了器件的热-机械灵敏度,同时能有效降低周围环境温度变化所带来的影响。理论计算表明,该阵列器件的关键性能指标热-机械灵敏度和噪声等效温差分别为2.39×10-3和2.42,此外,ANSYS模拟仿真的结果验证了该设计能抑制周围环境温度波动对器件红外目标探测的影响。

关键词：光读出红外成像阵列器件热-机械灵敏度噪声等效温差温度补偿

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于电容检测MEMS磁传感器的设计与制作

引用

纳米技术与精密工程 2013年第3期11卷 222-230页

作者：龙亮钟少龙吴亚明中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 中国科学院大学微系统与信息技术学院上海200050

为实现微型化、低功耗、低成本和高灵敏度的磁传感器,提出了一种基于微型磁扭摆结构的磁传感器,并利用对角度变化非常敏感的差分电容检测技术对磁扭摆的扭转角度进行检测.设计的磁传感器包括微扭摆结构、磁性敏感薄膜和差分检测电容等部... 详细信息

为实现微型化、低功耗、低成本和高灵敏度的磁传感器,提出了一种基于微型磁扭摆结构的磁传感器,并利用对角度变化非常敏感的差分电容检测技术对磁扭摆的扭转角度进行检测.设计的磁传感器包括微扭摆结构、磁性敏感薄膜和差分检测电容等部分.分析了器件的磁敏感原理和电容检测原理,给出了器件的结构参数和综合设计考虑.利用体硅加工工艺成功制作出了磁传感器样品,并进行了实验测试.测试结果表明磁传感器有良好的线性度和重复性,其磁场检测的电容灵敏度可达到0.2 fF/Gauss.根据对磁传感器的热噪声分析,可得到磁传感器最小可分辨的磁场为6.72μT.该磁传感器结构简凑、工艺简单,无需电流激励,大大降低了磁传感器功耗.

关键词：磁传感器电容检测 MEMS 磁性薄膜

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

三维掩膜硅各向异性腐蚀工艺释放微悬空结构

引用

微纳电子技术 2011年第5期48卷 326-332页

作者：黄占喜吴亚明中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

提出了一种新颖的基于三维掩膜的硅各向异性腐蚀工艺,即利用深反应离子刻蚀、湿法腐蚀等常规体硅刻蚀工艺和氧化、化学气相沉积(CVD)等薄膜工艺制作出具有三维结构的氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)薄膜,以该三维薄膜作为掩膜进行各向异性... 详细信息

提出了一种新颖的基于三维掩膜的硅各向异性腐蚀工艺,即利用深反应离子刻蚀、湿法腐蚀等常规体硅刻蚀工艺和氧化、化学气相沉积(CVD)等薄膜工艺制作出具有三维结构的氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)薄膜,以该三维薄膜作为掩膜进行各向异性腐蚀,该工艺可以应用于MEMS微悬空结构的制作。利用该工艺成功地在单片n-Si(100)衬底上完成了一种十字梁结构的释放,并对腐蚀的过程和工艺参数进行了研究。

关键词：微悬空结构释放体硅工艺三维掩膜各向异性腐蚀腐蚀模拟

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

空间遥感用近红外InGaAs焦平面组件(英文)

引用

红外与激光工程 2009年第4期38卷 574-582页

作者：龚海梅唐恒敬李雪张可锋李永富李淘宁锦华汪洋缪国庆宋航张永刚方家熊中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室上海200083 中国科学院研究生院北京100039 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室吉林长春130033 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

介绍了InGaAs PIN探测器的结构和主要性能指标,综述了InGaAs探测器的研究进展,特别是我国空间遥感用高均匀性长线列InGaAs焦平面组件的关键技术和主要性能结果。近年来,我国空间遥感用InGaAs得到了较快发展,研制出光谱响应为0.9～1.7μ... 详细信息

介绍了InGaAs PIN探测器的结构和主要性能指标,综述了InGaAs探测器的研究进展,特别是我国空间遥感用高均匀性长线列InGaAs焦平面组件的关键技术和主要性能结果。近年来,我国空间遥感用InGaAs得到了较快发展,研制出光谱响应为0.9～1.7μm的正照射和背照射256×1元InGaAs线列焦平面组件,室温下其峰值响应率分别为7.8×1011cm·Hz1/2/W和4.5×1011cm·Hz1/2/W,而且利用正照射256×1元InGaAs线列焦平面组件实现了扫描成像,图像清晰。此外,研制了光谱响应延展至2.4μm的256×1元InGaAs线列焦平面组件,其室温下峰值探测率为2.5×1010cm·Hz1/2/W。这些研究结果为下一步更长线列焦平面组件的研制提供了坚实的基础,同时器件的性能需要进一步提高,以满足空间遥感应用的要求。

关键词： InGaAs 焦平面组件红外探测器空间应用

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：