检索结果-内蒙古大学图书馆

通信技术 2019年第11期52卷 2598-2604页

作者：密术超王海龙张书玉龚谦曲阜师范大学物理工程学院山东省激光偏光与信息技术重点实验室山东曲阜273165 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

为了提高全光逻辑门性能,对基于量子点半导体光放大器(Quantum Dot Semiconductor Optical Amplifier,QD-SOA)提出了一种级联XGM与XPM全光逻辑或门的设计方法。在QDSOA三能级模型的基础上,将QD-SOA细化分段,使用牛顿迭代法和四阶龙格-... 详细信息

为了提高全光逻辑门性能,对基于量子点半导体光放大器(Quantum Dot Semiconductor Optical Amplifier,QD-SOA)提出了一种级联XGM与XPM全光逻辑或门的设计方法。在QDSOA三能级模型的基础上,将QD-SOA细化分段,使用牛顿迭代法和四阶龙格-库塔法求解速率方程,对这种全光逻辑或门进行仿真分析。计算结果表明:增大电流强度和有源区宽度,减小最大模式增益和损耗系数,可以提高对比度、Q因子、消光比和转换效率;增大泵浦光功率可以提高消光比和对比度,但是会减小Q因子和转换效率。当泵浦光功率为10 dB、最大模式增益为2500 m^-1、电流强度为60 mA、有源区宽度为2.0μm以及损耗系数为3.2时,全光逻辑或门具有较好的性能。因此,为了提高全光逻辑门的性能,必须优化并选取合适的参数,这对全光逻辑门性能具有一定的指导意义。

关键词： QD-SOA 全光逻辑或门对比度 Q因子消光比

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

硅锗界面热应力的控制及晶圆级GeOI的制备

引用

半导体技术 2018年第9期43卷 689-696页

作者：张润春黄凯林家杰鄢有泉伊艾伦周民游天桂欧欣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049

智能剥离技术是制备绝缘体上锗（GeOI）衬底的常用方法。然而,由于锗与硅之间的热膨胀系数相差较大,硅锗键合界面较大的热应力可能导致键合对裂片或者解键合。通过对硅锗异质键合对的热应力问题进行理论分析,建立了硅锗双平板热应力模... 详细信息

智能剥离技术是制备绝缘体上锗（GeOI）衬底的常用方法。然而,由于锗与硅之间的热膨胀系数相差较大,硅锗键合界面较大的热应力可能导致键合对裂片或者解键合。通过对硅锗异质键合对的热应力问题进行理论分析,建立了硅锗双平板热应力模型。提出4种抑制热应力的实验方案,并得出优化退火条件是解决热应力问题最有效的办法。采用智能剥离技术在优化退火条件下成功制备了4英寸（1英寸=2.54 cm）晶圆级GeOI衬底,转移的锗薄膜厚度偏差小于2%,均方根表面粗糙度低至0.42 nm,喇曼光谱显示转移的锗薄膜内残余应力较小,制备的GeOI衬底可以为后续高迁移率器件制备或硅基Ⅲ-Ⅴ族异质集成提供材料平台。

关键词：绝缘体上锗(GeOI) 异质集成智能剥离晶圆键合热应力

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

2.0μm中红外量子阱激光器研制及其性能测试与分析

引用

光电子．激光 2018年第9期29卷 933-937页

作者：杨维凯王海龙曹春芳严进一赵旭熠周长帅龚谦曲阜师范大学物理系山东省激光偏光与信息技术重点实验室山东曲阜273165 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

利用固态源分子束外延技术在GaSb衬底上生长InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器结构,研制了激射波长为2.0μm波段的GaSb基量子阱激光器。测量了激光器的阈值电流密度随激光器腔长的变化规律,得出无限腔长时器件的阈值电流密度为135A/cm^2,... 详细信息

利用固态源分子束外延技术在GaSb衬底上生长InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器结构,研制了激射波长为2.0μm波段的GaSb基量子阱激光器。测量了激光器的阈值电流密度随激光器腔长的变化规律,得出无限腔长时器件的阈值电流密度为135A/cm^2,在室温连续波工作模式下,测得激光器的内量子效率为61.1%,内部损耗为8.3cm-1,激光输出功率斜效率为112mW/A,最高输出功率达到72mW,器件性能优异。另外,还研究了改变激光器的腔长和改变注入电流的条件下器件激射波长的调谐特性。器件激射波长随注入电流的红移速度为0.475nm/mA。对于不同腔长的器件,腔长越长,器件工作波长越长,工作波长和腔长之间呈单调关系。上述波长变化规律是GaSb量子阱激光器的典型特征。

关键词：分子束外延阈值电流密度量子阱激射波长

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

ICP刻蚀对光刻胶掩模及刻蚀图形侧壁的影响

引用

半导体光电 2018年第2期39卷 216-220页

作者：李雅飞李晓良马英杰陈洁珺徐飞顾溢上海大学理学院物理系上海200444 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用AZ1500光刻胶作为掩模对GaAs和InP进行ICP刻蚀,研究了刻蚀参数对光刻胶掩模及刻蚀图形侧壁的影响。结果表明,光刻胶的碳化变性与等离子体的轰击相关,压强、ICP功率和RF功率的增加以及Cl2比例的减小都会加速光刻胶的碳化变性,Cl2/Ar... 详细信息

采用AZ1500光刻胶作为掩模对GaAs和InP进行ICP刻蚀,研究了刻蚀参数对光刻胶掩模及刻蚀图形侧壁的影响。结果表明,光刻胶的碳化变性与等离子体的轰击相关,压强、ICP功率和RF功率的增加以及Cl2比例的减小都会加速光刻胶的碳化变性,Cl2/Ar比Cl2/BCl3更易使光刻胶发生变性。对于GaAs样品刻蚀,刻蚀气体中Cl2含量越高,刻蚀图形侧壁的横向刻蚀越严重。Cl2/BCl3对GaAs的刻蚀速率比Cl2/Ar慢,但刻蚀后样品的表面粗糙度比Cl2/Ar小。刻蚀InP时的刻蚀速率比GaAs样品慢,且存在图形侧壁倾斜现象。该工作有助于推动在器件制备工艺中以光刻胶作为掩模进行ICP刻蚀,从而提高器件制备效率。

关键词： ICP刻蚀 Cl2/Ar Cl2/BCl3 光刻胶碳化变性刻蚀图形侧壁

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于小波变换的提高输电线路雷击定位精度研究

引用

功能材料与器件学报 2019年第1期25卷 48-53页

作者：曾宪武李生福靳鹏飞李伟贵州电网有限责任公司遵义供电局遵义563000 中光华研电子科技有限公司上海200000 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200000

为了满足基于OPGW偏振态信号的输电线路雷击点定位的技术要求,根据雷击OPGW产生的偏振态突变信号特征,利用Matlab对峰值检测法和希尔伯特-黄变换法进行仿真研究,在研究的基础上提出了一种基于小波变换模极大值的定位方法。通过仿真分析... 详细信息

为了满足基于OPGW偏振态信号的输电线路雷击点定位的技术要求,根据雷击OPGW产生的偏振态突变信号特征,利用Matlab对峰值检测法和希尔伯特-黄变换法进行仿真研究,在研究的基础上提出了一种基于小波变换模极大值的定位方法。通过仿真分析,对比了三种算法的优缺点,结果表明小波变换的效果最优,可将雷击定位误差控制在米量级。

关键词：光偏振态定位精度小波变换误差分析

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

使用Y函数方法提取MoS2 FET双向扫描电学参数

引用

半导体技术 2018年第2期43卷 125-130,159页

作者：赵宇航卢意飞刘强上海集成电路研发中心有限公司上海201210 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

利用机械剥离法制备了多层背栅MoS_2场效应晶体管（FET）,通过双向栅压扫描提取了器件的转移特性曲线,并利用Y函数方法提取了器件的电学参数。结果表明,利用Y函数法提取的载流子迁移率值明显大于利用跨导法提取的载流子迁移率值。这两... 详细信息

利用机械剥离法制备了多层背栅MoS_2场效应晶体管（FET）,通过双向栅压扫描提取了器件的转移特性曲线,并利用Y函数方法提取了器件的电学参数。结果表明,利用Y函数法提取的载流子迁移率值明显大于利用跨导法提取的载流子迁移率值。这两种提取方法的不同之处在于Y函数方法考虑了寄生电阻的影响,而跨导法则将其忽略了,这说明寄生电阻带来的影响是显著的。此外,该器件在双向扫描过程中出现了明显的回滞特性,这主要是MoS_2材料吸附外界杂质电荷造成的。无论采用跨导法还是Y函数方法,其正向扫描和反向扫描时对应的电学参数都不完全一致。这表明在分析MoS_2 FET的电学性能时,除了考虑器件的寄生电阻外,还需要考虑界面电荷的影响。

关键词： MoS2场效应晶体管(FET) Y函数方法寄生电阻杂质电荷回滞特性

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于振动信号的输电铁塔螺栓松动检测技术研究

引用

功能材料与器件学报 2019年第3期25卷 214-219页

作者：何冰王媚张羽公俞杰靳鹏飞国网上海市电力公司检修公司上海200063 中光华研电子科技有限公司上海2018003.中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

针对目前输电线路铁塔螺栓松动情况不易检测的问题,本问提出一种基于振动信号的输电铁塔螺栓松动检测方法。首先说明振动信号的产生即通过激振的方式产生冲击弹性波,根据弹性波的理论,介绍了利用冲击弹性波检测铁塔螺栓松动的原理,最后... 详细信息

针对目前输电线路铁塔螺栓松动情况不易检测的问题,本问提出一种基于振动信号的输电铁塔螺栓松动检测方法。首先说明振动信号的产生即通过激振的方式产生冲击弹性波,根据弹性波的理论,介绍了利用冲击弹性波检测铁塔螺栓松动的原理,最后利用激振器、光纤振动传感系统开展铁塔螺栓松动现场检测试验,研究螺栓松动前后的振动信号变化特征,经FFT变换后,分析验证了该方法的有效性,为电网输电铁塔螺栓松动检测提供了一种解决方法,为后续进一步研究提供了有效的数据参考。

关键词：输电铁塔螺栓松动振动

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

超导纳米线单光子探测系统数字化监控平台研究

引用

信息技术与网络安全 2019年第6期38卷 69-75页

作者：汪旭尤立星成明蒋燕阳王永良中国科学技术大学微电子学院安徽合肥230026 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 上海赋同科技有限公司上海200000 浙江赋同科技有限公司浙江嘉兴314000

超导纳米线单光子探测是新型光电探测技术,因具有高探测效率、低时间抖动、低暗计数等优良特性被广泛应用到量子信息技术等领域。系统包括电子学模块、制冷模块、探测器和真空模块。通过搭建硬件集成系统和使用软件开发技术,研发出基于... 详细信息

超导纳米线单光子探测是新型光电探测技术,因具有高探测效率、低时间抖动、低暗计数等优良特性被广泛应用到量子信息技术等领域。系统包括电子学模块、制冷模块、探测器和真空模块。通过搭建硬件集成系统和使用软件开发技术,研发出基于传输/网际协议和RS-232串口协议通信的数字化监控平台。该平台能有效提升探测系统的可操作性,有效提高测量实验的工作效率,推进单光子探测技术产业化进程的发展和相关领域的应用。平台能实时采集与分析探测系统中的温度、真空度等参数,同时包括对系统安保监控信息呈动态展示,并自动控制系统从液氦温区到室温(4~300K)的升降温过程。

关键词：超导纳米线单光子探测数字化自动控制量子通信

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

带轻载变频模式的升压式DC-DC转换器设计

引用

上海交通大学学报 2017年第6期51卷 657-664页

作者：胡佳俊陈后鹏王倩李喜苗杰雷宇宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

分析了传统升压式DC-DC转换器在全负载范围内实现高电源转换效率的局限性,在此基础上,提出了一种轻载检测和自适应变频机制.该技术无需额外的芯片管脚和器件,即能使转换器在电感电流断续模式下精确检测出负载状况.将所设计的升压式DC-D... 详细信息

分析了传统升压式DC-DC转换器在全负载范围内实现高电源转换效率的局限性,在此基础上,提出了一种轻载检测和自适应变频机制.该技术无需额外的芯片管脚和器件,即能使转换器在电感电流断续模式下精确检测出负载状况.将所设计的升压式DC-DC转换器在CZ6H0.35μm标准CMOS工艺条件下进行仿真.结果表明,当负载电流发生变化时,转换器能够根据负载检测值的大小自适应地进行跳频变换.在负载电流为1mA的条件下,电源转换效率达到82%.系统环路能够在全负载范围内保持良好的稳定性,当负载电流以1.5μA/20μs跳变时,最大下冲和上冲电压分别为300和200mV,恢复时间分别只需80和60μs,版图面积约为1.26mm2.

关键词：瞬态响应相位裕度变频模式电感电流取样电源转换效率

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

SOI材料和器件抗辐射加固技术

引用

科学通报 2017年第10期62卷 1004-1017页

作者：张正选邹世昌中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

绝缘体上硅(SOI)技术是一种在硅材料与硅集成电路巨大成功的基础上发展起来的,有独特优势的并且能够突破传统硅集成电路限制的新技术.绝缘埋层(BOX)的存在使得SOI技术从根本上消除了体硅CMOS中的闩锁效应.在同等工艺节点下其单粒子翻转... 详细信息

绝缘体上硅(SOI)技术是一种在硅材料与硅集成电路巨大成功的基础上发展起来的,有独特优势的并且能够突破传统硅集成电路限制的新技术.绝缘埋层(BOX)的存在使得SOI技术从根本上消除了体硅CMOS中的闩锁效应.在同等工艺节点下其单粒子翻转截面较体硅CMOS技术小了1~2个数量级,抗瞬时剂量率的能力也提高了2个数量级以上.这些固有优势使得SOI技术在军事和空间应用中具有举足轻重的地位.然而,在空间和核爆等电离辐射环境下,辐射将会在BOX层中引入大量的陷阱电荷.这些辐射感生的陷阱电荷会导致SOI器件和电路性能的退化,从而严重阻碍和制约了SOI技术在抗辐射加固中的应用.另一方面,SOI器件的寄生三极管放大效应会削弱SOI技术在抗单粒子辐射和瞬态辐射方面的优势,这使得抗辐射SOI器件与电路的加固设计面临着严峻的挑战.本文介绍了SOI器件中3种主要的电离辐射效应并对比了体硅器件和SOI器件辐射效应的差异.针对寄生双极晶体管导致SOI器件单粒子效应和剂量率效应敏感性增强的问题,提出了相应地减弱寄生双极晶体管效应的加固方法.针对SOI器件抗总剂量效应差的问题,分别从材料工艺和器件结构两个层次介绍了SOI器件的总剂量加固技术.

关键词：绝缘体上硅总剂量效应单粒子效应瞬时剂量率效应辐射加固技术

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：