检索结果-内蒙古大学图书馆

无机化学学报 2011年第4期27卷 759-763页

作者：张泽芳俞磊刘卫丽宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

以硝酸铈铵和尿素为反应物,γ-氨丙基三乙氧基硅烷(KH550)为助剂,通过沉淀反应制得了单晶菱形CeOHCO3片状物。然后将CeOHCO3在600℃空气气氛中灼烧获得了菱形CeO2。通过XRD和SEM对反应物中是否含有KH550助剂所得的产物进行了分析,结果... 详细信息

以硝酸铈铵和尿素为反应物,γ-氨丙基三乙氧基硅烷(KH550)为助剂,通过沉淀反应制得了单晶菱形CeOHCO3片状物。然后将CeOHCO3在600℃空气气氛中灼烧获得了菱形CeO2。通过XRD和SEM对反应物中是否含有KH550助剂所得的产物进行了分析,结果发现只有含有KH550才能获得菱形CeOHCO3片状物,并且在灼烧过程中产物的形貌仍保持菱形。然后采用TEM对菱形CeOHCO3和CeO2进行了表征,结果发现CeOHCO3为单晶产物而灼烧后所得的CeO2为多晶产物。

关键词： CeOHCO3 CeO2 KH550 菱形沉淀法

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GaInAsP/InP阶梯量子阱中电子-电子的散射率

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发光学报 2016年第11期37卷 1408-1414页

作者：王海龙李正胡敏李士玲龚谦山东省激光偏光与信息技术重点实验室曲阜师范大学物理工程学院山东曲阜273165 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

在有效质量近似下,利用打靶法和费米黄金定则计算出GaxIn1-xAsyP1-y/In P阶梯量子阱中两个及多个电子从第一激发态子带到基态子带的散射率及平均散射率。计算结果表明,电子-电子的散射率和平均散射率随Ga组分和阱宽的增大而升高,随As组... 详细信息

在有效质量近似下,利用打靶法和费米黄金定则计算出GaxIn1-xAsyP1-y/In P阶梯量子阱中两个及多个电子从第一激发态子带到基态子带的散射率及平均散射率。计算结果表明,电子-电子的散射率和平均散射率随Ga组分和阱宽的增大而升高,随As组分的增大而降低。散射率随电子初态能和外加电场强度的增大而降低,平均散射率随载流子浓度的增大而升高。电子温度对平均散射率的影响不明显,平均散射率随着电子温度的升高而稍微降低。

关键词： GaxIn1-xAsyP1-y/InP 阶梯量子阱电子费米黄金定则散射率

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重碳掺杂p型GaAsSb的GSMBE生长及其特性

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Journal of Semiconductors 2007年第11期28卷 1765-1768页

作者：孙浩齐鸣徐安怀艾立鹍朱福英中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

以四溴化碳(CBr4)作为碳掺杂源,采用气态源分子束外延(GSMBE)技术生长了InP衬底上晶格匹配的重碳掺杂p型GaAsSb材料.通过改变CBr4压力,研究了掺杂浓度在(1～20)×1019cm-3范围内的掺杂特性,得到的最大掺杂浓度为2.025×1020cm-3... 详细信息

以四溴化碳(CBr4)作为碳掺杂源,采用气态源分子束外延(GSMBE)技术生长了InP衬底上晶格匹配的重碳掺杂p型GaAsSb材料.通过改变CBr4压力,研究了掺杂浓度在(1～20)×1019cm-3范围内的掺杂特性,得到的最大掺杂浓度为2.025×1020cm-3,相应的空穴迁移率为20.4cm2/(V.s).研究了不同生长温度对掺碳GaAsSb外延层组分、晶格质量和表面粗糙度的影响,结果表明480℃是生长优良晶格质量的最优温度.

关键词：异质结双极晶体管 InP GaAsSb 碳掺杂气态源分子束外延

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离子注入方法形成电流限制孔径及其对器件光电特性的影响

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Journal of Semiconductors 2008年第4期29卷 765-769页

作者：刘成曹春芳劳燕锋曹萌吴惠桢中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

采用离子注入方法和后续的退火工艺制作了1.3μm面发射电致发光(EL)器件结构的电流限制孔径,通过对此结构的电学和光学特性进行测试分析,获得了离子注入和退火温度的优化参数,工艺参数为离子注入剂量5×1014cm-2和450℃退火1min.结... 详细信息

采用离子注入方法和后续的退火工艺制作了1.3μm面发射电致发光(EL)器件结构的电流限制孔径,通过对此结构的电学和光学特性进行测试分析,获得了离子注入和退火温度的优化参数,工艺参数为离子注入剂量5×1014cm-2和450℃退火1min.结果显示随着电流限制孔径的缩小,器件的电阻呈线性增大;电流限制孔径的形成显著增强1.3μm面发射器件结构的电致发光强度,孔径为15μm的样品是没有限制孔径样品的4倍(注入电流3mA),并就电流限制孔对EL器件结构电致发光的影响进行了物理解释.

关键词：电致发光器件结构电流限制孔径离子注入

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Cl_2基气体感应耦合等离子体刻蚀GaN的工艺

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Journal of Semiconductors 2006年第7期27卷 1335-1338页

作者：刘北平李晓良朱海波中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

采用Cl2/He对GaN基片进行感应耦合等离子体刻蚀,并比较了相同条件下使用Cl2/He,Cl2/Ar对GaN基片进行刻蚀的优劣.实验中通过改变ICP功率、直流自偏压、气体总流量和气体组分等方式,讨论了这些因素对刻蚀速率和刻蚀后表面粗糙度的影响.实... 详细信息

采用Cl2/He对GaN基片进行感应耦合等离子体刻蚀,并比较了相同条件下使用Cl2/He,Cl2/Ar对GaN基片进行刻蚀的优劣.实验中通过改变ICP功率、直流自偏压、气体总流量和气体组分等方式,讨论了这些因素对刻蚀速率和刻蚀后表面粗糙度的影响.实验结果表明,用Cl2/He气体刻蚀GaN材料可以获得较高的刻蚀速率,最高可达420nm/min.同时刻蚀后GaN材料的表面形貌也较为平整,均方根粗糙度(RMS)可达1nm以下.SEM图像显示刻蚀后表面光洁,刻蚀端面陡直.最后比较了相同条件下使用Cl2/He,Cl2/Ar刻蚀GaN基片的刻蚀速率、表面形貌,以及制作n型电极后的比接触电阻.

关键词：干法刻蚀感应耦合等离子体 GaN 刻蚀速率 Cl2/He Cl2/Ar

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InAs/GaAs量子点激光器的增益和线宽展宽因子

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发光学报 2015年第5期36卷 567-571页

作者：许海鑫王海龙严进一汪洋曹春芳龚谦山东省激光偏光与信息技术重点实验室曲阜师范大学物理系山东曲阜273165 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

利用气源分子束外延技术生长In As/Ga As量子点激光器材料,制作了由5层量子点组成的500μm腔长的激光器。首次使用增益拟合和波长加权的方法计算了激光器的线宽展宽因子。其中,增益拟合是对Hakki-Paoli方法计算增益的重要补充,对判断不... 详细信息

利用气源分子束外延技术生长In As/Ga As量子点激光器材料,制作了由5层量子点组成的500μm腔长的激光器。首次使用增益拟合和波长加权的方法计算了激光器的线宽展宽因子。其中,增益拟合是对Hakki-Paoli方法计算增益的重要补充,对判断不同电流下的增益是否饱和具有重要作用。对最大模式增益求导数,当电流为50 m A时,差分增益最大值为1.33 cm-1/m A,然后迅速减小到0.34 cm-1/m A,此时电流为57m A（≈0.99Ith）。第一次使用加权波长来计算中心波长的移动,发现Δλ慢慢减小直至接近于0。整个计算方法避免了在直接选取数据点时造成的误差,线宽展宽因子计算值为0.12~2.75。

关键词：激光器增益差分增益波长移动线宽展宽因子

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基于边缘剪切转移技术制备硅基柔性光波导

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中国科学：物理学、力学、天文学 2016年第4期46卷 92-98页

作者：郭庆磊张苗狄增峰黄高山梅永丰复旦大学材料科学系上海200433 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

无机柔性光电子技术由于具有柔性、便携、大面积等优点而受到科研人员的广泛关注,并取得了长足的进展.制备无机柔性光电子器件的技术关键是将传统刚性衬底上的纳米"构筑单元"(Building Blocks)以一种可控的、精确的、具有超... 详细信息

无机柔性光电子技术由于具有柔性、便携、大面积等优点而受到科研人员的广泛关注,并取得了长足的进展.制备无机柔性光电子器件的技术关键是将传统刚性衬底上的纳米"构筑单元"(Building Blocks)以一种可控的、精确的、具有超高对准度的方式集成在柔性基底上.本文针对"转印"(Transfer Printing)技术中纳米"构筑单元"向柔性衬底集成时的可控转移及确定性组装(Deterministic Assembly)等难题,提出了边缘剪切转移技术,实现了柔性硅纳米带阵列在柔性基底上的制备及确定性组装.结合悬臂梁模型及有限元模拟,得出悬空硅纳米带内部在边缘剪切转移过程中所产生的应力与其厚度、宽度之间的函数关系.此外,本文还研究了不同方向硅条带在边缘剪切转移的过程中所制备硅纳米带的边缘形貌,并优化初始硅条带的方向,得到边缘平整的硅纳米带.最终,利用该技术制备出柔性衬底上的硅基光波导.

关键词：边缘剪切转移纳米薄膜硅波导柔性光电子技术

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台面型InP/InGaAs PIN光伏探测器的p-InP低阻欧姆接触

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红外与激光工程 2011年第12期40卷 2309-2313页

作者：魏鹏朱耀明邓洪海唐恒敬李雪张永刚龚海梅中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室上海200083 中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室上海200083 中国科学院研究生院北京100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

研究了电子束蒸发淀积的非合金膜系Au/Pt/Ti/p-InP(2×1018cm-3)接触的物理特性,通过450℃、4 min的快速退火,获得了欧姆接触,其比接触电阻为7.3×10-5Wcm2。接触电极退火后,采用离子溅射法淀积加厚电极Cr/Au。利用俄歇电子能谱... 详细信息

研究了电子束蒸发淀积的非合金膜系Au/Pt/Ti/p-InP(2×1018cm-3)接触的物理特性,通过450℃、4 min的快速退火,获得了欧姆接触,其比接触电阻为7.3×10-5Wcm2。接触电极退火后,采用离子溅射法淀积加厚电极Cr/Au。利用俄歇电子能谱(AES)进行深度剖面分析,表明Pt层能够相对有效地阻挡Au和InP的互扩散,但仍会有少部分的Au穿透Pt层进入InP层;金属与p-InP低阻欧姆接触的形成由界面处金属和InP的化学及其冶金学反应决定,并且少量的In-Au化合物的形成可能有益于接触特性的改善。结果表明,采用合适的退火条件可以制备出低阻、表面光滑、可靠性高的欧姆接触。

关键词：传输线模型(TLM) p-InP 欧姆接触比接触电阻 AES

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侧向腐蚀在1.3μm垂直腔面发射激光器中的应用

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固体电子学研究与进展 2011年第3期31卷 305-309页

作者：刘成曹春芳劳燕锋吴惠桢中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 上海空间电源研究所上海200233

研究了广泛应用于垂直腔面发射激光器(VCSEL)等Ⅲ-Ⅴ族光电子器件制作的侧向腐蚀技术。分别采用C_6H_8O_7:H_2O_2溶液、HCl:H_3PO_4溶液对InAlAs材料、InP材料进行了侧向腐蚀试验,获得了较稳定的速率,并对其腐蚀机制和晶向选择性进行了... 详细信息

研究了广泛应用于垂直腔面发射激光器(VCSEL)等Ⅲ-Ⅴ族光电子器件制作的侧向腐蚀技术。分别采用C_6H_8O_7:H_2O_2溶液、HCl:H_3PO_4溶液对InAlAs材料、InP材料进行了侧向腐蚀试验,获得了较稳定的速率,并对其腐蚀机制和晶向选择性进行了分析。采用侧向腐蚀技术制备了电流限制孔径分别为11μm和5μm的1.3μm垂直腔面发射激光器,器件在室温下均连续激射。

关键词：侧向腐蚀电流限制孔径垂直腔面发射激光器

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分子束外延PbTe薄膜中的红外光电导探测器

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红外与激光工程 2010年第1期39卷 22-25页

作者：何展魏晓东蔡春锋斯剑霄吴惠桢张永刚方维政戴宁浙江大学物理系现代光学仪器国家重点实验室浙江杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083

中红外探测器在诸多领域具有重要的应用,目前,我国在PbTe、PbSe中红外探测器方面研制较少,通过分子束外延技术、以CdZnTe(111)为衬底生长PbTe外延薄膜,XRD表征表明:PbTe外延薄膜是单晶薄膜,且与衬底具有相同(111)取向,光吸收光谱测量得... 详细信息

中红外探测器在诸多领域具有重要的应用,目前,我国在PbTe、PbSe中红外探测器方面研制较少,通过分子束外延技术、以CdZnTe(111)为衬底生长PbTe外延薄膜,XRD表征表明:PbTe外延薄膜是单晶薄膜,且与衬底具有相同(111)取向,光吸收光谱测量得到外延薄膜的光学吸收边位于3.875μm,光致发光谱显示发光波长位于3.66μm,蓝移是红外激光泵浦导致PbTe温升所致。以PbTe为有源区材料、ZnS薄膜作为钝化和绝缘材料,用AuPtTi合金作为欧姆接触电极,研制了PbTe光电导中红外探测器原型器件,探测器在78K温度下的光电导响应在红外波段的1.5～5.5μm,探测率约为2×109cm·Hz1/2·W-1。最后,对影响探测器工作的因素和改进方法进行了讨论。

关键词： PbTe 中红外探测器光电导响应

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