检索结果-内蒙古大学图书馆

Journal of Semiconductors 2003年第10期24卷 1099-1102页

作者：章宁琳宋志棠沈勤我林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用超高真空电子束蒸发法制备了用于全耗尽SOI场效应晶体管 (MOSFET)中作为高k栅介质的ZrO2 薄膜 .X射线光电子能谱 (XPS)分析结果显示 :ZrO2 薄膜成分均一 ,为完全氧化的ZrO2 ,其中Zr∶O =1∶2 2 ,锆氧原子比偏高可能是由于吸附了空... 详细信息

采用超高真空电子束蒸发法制备了用于全耗尽SOI场效应晶体管 (MOSFET)中作为高k栅介质的ZrO2 薄膜 .X射线光电子能谱 (XPS)分析结果显示 :ZrO2 薄膜成分均一 ,为完全氧化的ZrO2 ,其中Zr∶O =1∶2 2 ,锆氧原子比偏高可能是由于吸附了空气中O2 等杂质 .扩展电阻法 (SRP)和剖面透射电镜 (XTEM)都表征出 6 0 0℃退火样品清晰的ZrO2 /topSi/BO/Sisub的结构 ,其中ZrO2 /topSi界面陡直 ,没有界面产物生成 .选区电子衍射显示薄膜在 6 0 0℃快速退火后仍基本呈非晶态 .研究了上述MOSOS结构的高频C V性能 ,得到ZrO2 薄膜的等效氧化物厚度EOT =9 3nm ,相对介电常数ε≈ 2 1,平带电位VFB=- 2 4 5 1eV .

关键词：超高真空电子束蒸发法全耗尽SOI MOSFET 高k栅介质 ZrO2

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InGaAs/InP HBT材料的GSMBE生长及其特性研究

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稀有金属 2004年第3期28卷 516-518页

作者：徐安怀邹璐陈晓杰齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

本文报道了采用气态源分子束外延 (GSMBE)技术生长InGaAs/InP异质结双极晶体管 (HBT)材料及其特性的研究。通过对GSMBE生长工艺的优化 ,在半绝缘 ( 10 0 )InP衬底上成功制备了高质量的InGaAs/InPHBT材料 ,InGaAs外延层与InP衬底的晶格... 详细信息

本文报道了采用气态源分子束外延 (GSMBE)技术生长InGaAs/InP异质结双极晶体管 (HBT)材料及其特性的研究。通过对GSMBE生长工艺的优化 ,在半绝缘 ( 10 0 )InP衬底上成功制备了高质量的InGaAs/InPHBT材料 ,InGaAs外延层与InP衬底的晶格失配度仅为 4× 10 - 4量级 ,典型的InP发射区掺杂浓度 ( 4× 10 1 7cm- 3)时 ,电子迁移率为 80 0cm2 ·V- 1 ·s- 1 ,具有较好的电学特性 ,可以满足器件制作的要求。

关键词：分子束外延异质结双极晶体管 InGaAs InP

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非对称DC SQUID的数值模拟研究

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稀有金属材料与工程 2008年第A04期37卷 377-380页

作者：王会武谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

磁通电压转换系数是衡量直流超导量子干涉器(DCSQUID)性能的重要指标。使用数值模拟分析SQUID环电感和结临界电流的不对称程度对DCSQUID器件的磁通电压转换系数的影响,比较非对称结构器件和对称结构器件的性能差别。模拟结果显示磁通电... 详细信息

磁通电压转换系数是衡量直流超导量子干涉器(DCSQUID)性能的重要指标。使用数值模拟分析SQUID环电感和结临界电流的不对称程度对DCSQUID器件的磁通电压转换系数的影响,比较非对称结构器件和对称结构器件的性能差别。模拟结果显示磁通电压转换系数随着DCSQUID器件不对称程度的增大有提高。在提高磁通电压转换系数的基础上,讨论DCSQUID读出电路简化为直读式电路的可能性。

关键词：超导量子干涉器磁通电压转换系数非对称结构

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GaAs/AlGaAs双量子阱结构的子带光学吸收

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稀有金属 2004年第3期28卷 577-578页

作者：伍滨和曹俊诚夏冠群中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

利用微观运动方程计算了超快红外泵浦光引起的半导体双量子阱结构的子带间极化。基于自洽场理论 ,可以求出瞬态探测光吸收系数。这一方法没有采用稳态假设。计算了不同泵浦强度和泵浦探测延时的吸收系数。利用这一模型可以计算半导体微... 详细信息

利用微观运动方程计算了超快红外泵浦光引起的半导体双量子阱结构的子带间极化。基于自洽场理论 ,可以求出瞬态探测光吸收系数。这一方法没有采用稳态假设。计算了不同泵浦强度和泵浦探测延时的吸收系数。利用这一模型可以计算半导体微结构中的相干载流子的控制问题。

关键词：双量子阱子带跃迁光学吸收

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四阱耦合InGa As/InAl As/InP量子级联激光器材料的结构特性研究

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稀有金属 2004年第3期28卷 572-573页

作者：李华李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

报道了用气态源分子束外延 (GSMBE)技术生长的InAlAs/InGaAs四阱耦合量子级联激光器 (QCL)材料的结构特性。X射线双晶回摆曲线谱测量结果表明所生长的QCL有源区的界面 (含 770层外延层 )、厚度达到单厚子层控制 ,组份波动≤ 1% ,晶格失... 详细信息

报道了用气态源分子束外延 (GSMBE)技术生长的InAlAs/InGaAs四阱耦合量子级联激光器 (QCL)材料的结构特性。X射线双晶回摆曲线谱测量结果表明所生长的QCL有源区的界面 (含 770层外延层 )、厚度达到单厚子层控制 ,组份波动≤ 1% ,晶格失配≤ 1× 10 - 3。采用特殊的优化工艺 ,Φ5 0mm外延片的表面缺路陷密度降至 1× 10cm- 2 ,达到了器件质量的要求。

关键词：量子级联激光器 X射线衍射

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超导单光子探测器件直流特性研究

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低温与超导 2008年第12期36卷 35-37页

作者：申小芳杨晓燕尤立星中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

超导单光子探测技术是基于超薄超导薄膜的非平衡态热电子效应的一种新型的单光子探测方法。超导单光子探测器(SNSPD)的计数率可达到GHz,时间抖动小于100ps,因而在未来量子通信系统中有着广阔的应用前景。介绍了NbN超导单光子探测器件的... 详细信息

超导单光子探测技术是基于超薄超导薄膜的非平衡态热电子效应的一种新型的单光子探测方法。超导单光子探测器(SNSPD)的计数率可达到GHz,时间抖动小于100ps,因而在未来量子通信系统中有着广阔的应用前景。介绍了NbN超导单光子探测器件的工作原理和器件超导性能测试系统;测试了超导单光子探测器件的电阻-温度、电流-电压等特性。并对测试结果进行了分析和讨论。

关键词：超导纳米单光子探测电阻-温度特性电流-电压特性

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衬底氮化对HVPE法生长GaN的影响

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稀有金属 2004年第3期28卷 499-501页

作者：叶好华于广辉雷本亮齐鸣李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

研究了衬底氮化过程对于氢化物气相外延 (HVPE)方法生长的GaN膜性质的影响。X射线衍射和原子力显微镜以及光荧光测量的结果表明 ,不同的氮化时间导致Al2 O3表面的成核层发生变化 ,进一步影响了外延层中的位错密度和应力分布。

关键词： GaN 衬底氮化氢化物气相外延

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超导纳米线单光子探测器件的单光子响应

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科学通报 2009年第16期54卷 2416-2420页

作者：尤立星申小芳杨晓燕中国科学院上海微系统与信息技术研究所、信息功能材料国家重点实验室上海200050

单光子探测技术是量子通信系统中量子密钥分发实现的关键技术之一.超导纳米线单光子探测技术是一种新型的单光子探测技术,相对于传统的半导体单光子探测器件具有高计数率、低暗计数等明显的优势.介绍了基于低温超导NbN超薄薄膜的超导纳... 详细信息

单光子探测技术是量子通信系统中量子密钥分发实现的关键技术之一.超导纳米线单光子探测技术是一种新型的单光子探测技术,相对于传统的半导体单光子探测器件具有高计数率、低暗计数等明显的优势.介绍了基于低温超导NbN超薄薄膜的超导纳米线单光子探测器件以及实验室超导单光子探测系统.对超导纳米线单光子探测器件的单光子响应脉冲特性进行了细致的分析和研究,讨论了测试系统带宽等参数与脉冲波形的关系.并利用电路模拟对超导单光子探测电信号波形进行了分析,模拟结果和实验结果具有很好的一致性.通过这些工作进一步理解超导单光子探测机理,为未来建立量子通信用超导纳米线单光子探测系统打下良好的基础.

关键词：量子通信单光子探测超导纳米线单光子探测器件动态电感

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THz量子级联激光器的材料生长和器件制作

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功能材料 2007年第A01期38卷 11-12页

作者：韩英军黎华谭智勇曹俊诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用分子束外延的方法，生长了GaAs／Al0.17Ga0.85As基共振声子辅助跃迁的太赫兹量子级联激光器结构，并按照单面金属波导的工艺进行了器件制作。材料的结构由高分辨X射线衍射来确定。在温度为9-150K的范围内，测量了器件的I-V曲线。

关键词：太赫兹量子级联激光器分子束外延

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InGaP/GaAs串接太阳电池的设计与研制

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稀有金属 2004年第3期28卷 522-525页

作者：张永刚刘天东朱诚洪婷胡雨生朱福英李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

研制了InGaP/GaAs串接太阳电池 ,结果表明 ,电池的转换效率在 2 1%～ 2 4%之间 ( 1AM0 ,2 8℃ ) ,填充因子在 79%～ 81%之间 ,并对其材料结构、器件工艺制作以及性能测量表征等进行了讨论。

关键词：光伏串接太阳电池化合物半导体 InGaP/GaAs

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