检索结果-内蒙古大学图书馆

第十二届全国分子束外延学术会议

作者：张永刚顾溢陈星佑马英杰李雪邵秀梅龚海梅方家熊中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室上海 200083

评估红外探测器和焦平面器件性能以及相关技术的07规则已提出10年.此规则基于当时最佳性能碲镉汞器件的统计数据,被用于评估其与截止波长和温度相关的暗电流特性,在长波至短波多个红外波段的碲镉汞器件上应用至今效果良好,人们也尝试用... 详细信息

评估红外探测器和焦平面器件性能以及相关技术的07规则已提出10年.此规则基于当时最佳性能碲镉汞器件的统计数据,被用于评估其与截止波长和温度相关的暗电流特性,在长波至短波多个红外波段的碲镉汞器件上应用至今效果良好,人们也尝试用此规则来评价其他材料和类型的器件.

关键词：半导体红外探测器焦平面器件波长扩展暗电流特性

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改性离子注入高阻SOI衬底的共面波导特性研究

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电子元件与材料 2017年第6期36卷 70-74页

作者：程实常永伟魏星费璐中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 上海科技大学物质学院上海200031 中国科学院大学北京100049

因良好的射频性能,高阻SOI(High-Resistivity Silicon-on-Insulator,HR-SOI)被广泛应用于射频集成电路(RFICs)。通过提取共面波导传输线(Co-Plane Waveguide,CPW)的射频损耗来表征衬底材料的射频性能。高阻SOI衬底由于表面寄生电导效应(... 详细信息

因良好的射频性能,高阻SOI(High-Resistivity Silicon-on-Insulator,HR-SOI)被广泛应用于射频集成电路(RFICs)。通过提取共面波导传输线(Co-Plane Waveguide,CPW)的射频损耗来表征衬底材料的射频性能。高阻SOI衬底由于表面寄生电导效应(Parasitic Surface Conductance,PSC),射频性能恶化。设计并制备了一种新型的改性结构来优化高阻SOI的射频性能,通过将硅离子注入到绝缘埋层中来消除表面寄生电导效应。在0~8 GHz范围内,传输线损耗优于时下业界最先进的TR-SOI的结果(Trap-Rich Layer Silicon-on-Insulator)。由于工艺简单,易于集成化,是极具潜力的射频SOI材料。

关键词：高阻SOI 共面波导传输线射频损耗表面寄生电导效应硅离子注入 TR-SOI

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气源分子束外延生长的InPBi薄膜材料中的深能级中心

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发光学报 2016年第12期37卷 1532-1537页

作者：王海龙韦志禄李耀耀王凯潘文武吴晓燕岳丽李士玲龚谦王庶民山东省激光偏光与信息技术重点实验室曲阜师范大学物理工程学院山东曲阜273165 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了气源分子束外延(GSMBE)生长的InP1-xBix材料中深能级中心的性质。在未有意掺杂的InP中测量到一个多数载流子深能级中心E1,E1的能级位置为Ec-0.38 e V,俘获截面为1.87×10^(-15)cm^2。在未有意掺杂的InP... 详细信息

利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了气源分子束外延(GSMBE)生长的InP1-xBix材料中深能级中心的性质。在未有意掺杂的InP中测量到一个多数载流子深能级中心E1,E1的能级位置为Ec-0.38 e V,俘获截面为1.87×10^(-15)cm^2。在未有意掺杂的InP0.9751Bi0.0249中测量到一个少数载流子深能级中心H1,H1的能级位置为Ev+0.31 eV,俘获截面为2.87×10^(-17)cm^2。深中心E1应该起源于本征反位缺陷PIn,深中心H1可能来源于形成的Bi原子对或者更复杂的与Bi相关的团簇。明确这些缺陷的起源对于InPBi材料在器件应用方面具有重要的意义。

关键词： InPBi 深中心深能级瞬态谱(DLTS) 气源分子束外延(GSMBE)

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GaInAsP/InP阶梯量子阱中电子-电子的散射率

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发光学报 2016年第11期37卷 1408-1414页

作者：王海龙李正胡敏李士玲龚谦山东省激光偏光与信息技术重点实验室曲阜师范大学物理工程学院山东曲阜273165 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

在有效质量近似下,利用打靶法和费米黄金定则计算出GaxIn1-xAsyP1-y/In P阶梯量子阱中两个及多个电子从第一激发态子带到基态子带的散射率及平均散射率。计算结果表明,电子-电子的散射率和平均散射率随Ga组分和阱宽的增大而升高,随As组... 详细信息

在有效质量近似下,利用打靶法和费米黄金定则计算出GaxIn1-xAsyP1-y/In P阶梯量子阱中两个及多个电子从第一激发态子带到基态子带的散射率及平均散射率。计算结果表明,电子-电子的散射率和平均散射率随Ga组分和阱宽的增大而升高,随As组分的增大而降低。散射率随电子初态能和外加电场强度的增大而降低,平均散射率随载流子浓度的增大而升高。电子温度对平均散射率的影响不明显,平均散射率随着电子温度的升高而稍微降低。

关键词： GaxIn1-xAsyP1-y/InP 阶梯量子阱电子费米黄金定则散射率

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NbN基SFS约瑟夫森结的制备与特性研究

NbN基SFS约瑟夫森结的制备与特性研究

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第十四届全国超导学术研讨会

作者：李峰张露王会武彭炜王镇中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院超导电子学卓越创新中心中国科学院大学中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院超导电子学卓越创新中心中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院超导电子学卓越创新中心中国科学院大学上海科技大学

只有配备与之兼容的的低温存储器，以超导/绝缘/超导(SIS)结为基础的SFQ 数字电路才能充分发挥其作用。在当前研究的多种低温存储器中，以超导/铁磁/超导(SFS)结为基础的磁性约瑟夫森结(MJJ)是目前最具潜力的解决方案之一。

关键词：约瑟夫森结 NbNπ结低温存储器

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NbTiN与NbN薄膜超导纳米线单光子探测器性能比较

NbTiN与NbN薄膜超导纳米线单光子探测器性能比较

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第十四届全国超导学术研讨会

作者：杨晓燕尤立星张露陈思井吕超林李浩刘晓宇周慧王镇中国科学院超导电子学卓越创新中心信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所

超导纳米线单光子探测器(SNSPD)具有探测效率高、计数率高、暗计数低、时间抖动小等特点。目前在量子密钥分发、量子纠缠、量子随机数发生器，以及星地测距、地月测距、成像等应用方面具有大量的器件需求。

关键词：超导纳米线单光子探测器 NbTiN NbN 探测效率

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基于边缘剪切转移技术制备硅基柔性光波导

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中国科学：物理学、力学、天文学 2016年第4期46卷 92-98页

作者：郭庆磊张苗狄增峰黄高山梅永丰复旦大学材料科学系上海200433 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

无机柔性光电子技术由于具有柔性、便携、大面积等优点而受到科研人员的广泛关注,并取得了长足的进展.制备无机柔性光电子器件的技术关键是将传统刚性衬底上的纳米"构筑单元"(Building Blocks)以一种可控的、精确的、具有超... 详细信息

无机柔性光电子技术由于具有柔性、便携、大面积等优点而受到科研人员的广泛关注,并取得了长足的进展.制备无机柔性光电子器件的技术关键是将传统刚性衬底上的纳米"构筑单元"(Building Blocks)以一种可控的、精确的、具有超高对准度的方式集成在柔性基底上.本文针对"转印"(Transfer Printing)技术中纳米"构筑单元"向柔性衬底集成时的可控转移及确定性组装(Deterministic Assembly)等难题,提出了边缘剪切转移技术,实现了柔性硅纳米带阵列在柔性基底上的制备及确定性组装.结合悬臂梁模型及有限元模拟,得出悬空硅纳米带内部在边缘剪切转移过程中所产生的应力与其厚度、宽度之间的函数关系.此外,本文还研究了不同方向硅条带在边缘剪切转移的过程中所制备硅纳米带的边缘形貌,并优化初始硅条带的方向,得到边缘平整的硅纳米带.最终,利用该技术制备出柔性衬底上的硅基光波导.

关键词：边缘剪切转移纳米薄膜硅波导柔性光电子技术

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面向心磁检测的SQUID全张量模块研究

面向心磁检测的SQUID全张量模块研究

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第十四届全国超导学术研讨会

作者：张朝祥陶蓉张树林中国科学院超导电子学卓越创新中心信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050

心磁图仪是一种通过检测人体心脏磁场进行成像分析的方法，在冠心病、心肌缺血等心脏疾病早期诊断方面具有独特的应用潜力。针对心磁检测，目前国际上普遍采用单分量或矢量三分量方法，而忽略了更为丰富的一阶张量场信息。

关键词： SQUID 全张量心磁

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基于全张量心磁的心脏三维电流源重构

基于全张量心磁的心脏三维电流源重构

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第十四届全国超导学术研讨会

作者：陶蓉张朝祥张树林中国科学院超导电子学卓越创新中心信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050

心脏电流源重构是将细胞电活动的微电流集合视为少量的等效电流源，再通过源重构方法去提取等效电流源特征信息，对研究心脏电生理活动和心脏疾病预测有重要意义。基于传统单分量心磁的电流源重构，只能得到二维电流源，丢失了电流的垂... 详细信息

心脏电流源重构是将细胞电活动的微电流集合视为少量的等效电流源，再通过源重构方法去提取等效电流源特征信息，对研究心脏电生理活动和心脏疾病预测有重要意义。基于传统单分量心磁的电流源重构，只能得到二维电流源，丢失了电流的垂直分量信息。

关键词：电流源重构逆问题全张量心磁心磁探测

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InP基HEMT材料优化生长及其特性研究

InP基HEMT材料优化生长及其特性研究

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第十二届全国分子束外延学术会议

作者：艾立鹍周书星徐安怀李家恺齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海市长宁路865号200050

InP基HEMT沟道电子迁移率高,工作频率高,噪声性能好.相对于GaAsHEMT,InPHEMT器件中InGaAs沟道和InGaAs/InAs组合沟道界面存在更大的导带不连续性,二维电子气密度大,导电沟道的薄层电子浓度高,提高了器件的电流处理能力.InP材料的热导率... 详细信息

InP基HEMT沟道电子迁移率高,工作频率高,噪声性能好.相对于GaAsHEMT,InPHEMT器件中InGaAs沟道和InGaAs/InAs组合沟道界面存在更大的导带不连续性,二维电子气密度大,导电沟道的薄层电子浓度高,提高了器件的电流处理能力.InP材料的热导率比GaAs高40％,在相同功耗工作时,温度更低,有较大的输出功率.由于InP基HEMT非常优越的高频、低噪声性能,近年来已成为HEMT器件的主流.InP基HEMT是毫米波和太赫兹器件与电路重要的三端器件.器件结构材料中界面明显清晰，平整度非常高。InP基HEMT结构材料的SIMS深度分布测试结果反映了III族元素In、Al和Ga、V族As和P元素以及掺杂剂Si元素的分布。

关键词：高电子迁移率晶体管磷化铟基材料生长工艺热导率

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