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检索条件"机构=中国科学院上海微系统信息与技术研究所信息功能材料国家重点实验室"
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叠层SOI MOSFET不同背栅偏压下的热载流子效应
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半导体技术 2023年 第8期48卷 665-669,675页
作者: 汪子寒 常永伟 高远 董晨华 魏星 薛忠营 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 中国科学院大学 北京100049
叠层绝缘体上硅(SOI)器件通过调节背栅偏压来补偿辐照导致的阈值电压退化,对于长期工作在辐射环境中的叠层SOI器件,热载流子效应也是影响其可靠性的重要因素。因此,采用加速老化的方法研究了叠层SOI NMOSFET在不同背栅偏压下的热载流子... 详细信息
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基于应变锗的金属—半导体—金属光电探测器
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半导体技术 2023年 第9期48卷 747-754页
作者: 李鸿翔 张倩 刘冠宇 薛忠营 上海理工大学材料与化学学院 上海200090 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
通过对锗(Ge)半导体材料进行拉伸应变和n型掺杂,可以提高其电子迁移率和发光性能。将薄膜卷曲技术与微电子加工技术相结合,制备出悬浮的Ge微米带结构,实现了单轴和双轴2种不同的应变状态,并且可以通过调整光刻图案来控制Ge的应变状态和... 详细信息
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微波退火和快速热退火下钛调制镍与锗锡反应
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物理学报 2021年 第11期70卷 248-253页
作者: 刘伟 平云霞 杨俊 薛忠营 魏星 武爱民 俞文杰 张波 上海工程技术大学数理与统计学院 上海201620 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050
本文研究了1 nm钛作为插入层的条件下,镍与锗锡合金在不同退火温度下的固相反应,比较了微波退火和快速热退火对镍锗锡化物形成的影响.研究结果表明:在微波退火300℃、快速热退火350℃条件下,可以形成连续平整的镍锗锡薄膜.通过进一步分... 详细信息
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连续性RESET/SET对相变存储器疲劳特性的影响
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上海交通大学学报 2021年 第9期55卷 1134-1141页
作者: 吴磊 蔡道林 陈一峰 刘源广 闫帅 李阳 余力 谢礼 宋志棠 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室纳米技术实验室上海200050 中国科学院大学 北京100049
为探究连续性RESET操作和连续性SET操作对相变存储器疲劳特性的影响,基于4 Mbit相变存储器芯片进行了不同RESET-SET次数比的疲劳特性研究,给出了连续RESET和连续SET操作后相变单元阻值分布的变化情况.将RESET-only与SET-only模式下的疲... 详细信息
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掺钪AlN材料特性及HBAR器件性能研究
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压电与声光 2022年 第2期44卷 299-303,309页
作者: 朱宇波 母志强 陈玲丽 朱雷 李卫民 俞文杰 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 中国科学院大学 北京100049 上海集成电路材料研究院 上海200050
该文基于掺钪AlN薄膜制备了高次谐波体声波谐振器(HBAR),研究了钪(Sc)掺杂浓度对AlN压电薄膜材料特性及器件性能的影响。研究表明,当掺入Sc的摩尔分数从0增加到25%时,压电应力系数e_(33)增加、刚度C^(D)_(33)下降,导致Al_(1-x)Sc_(x) N... 详细信息
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串联超导量子干涉器件阵列制备与测试分析
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物理学报 2021年 第17期70卷 299-304页
作者: 梁恬恬 张国峰 伍文涛 倪志 王永良 应利良 伍俊 荣亮亮 彭炜 高波 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院超导电子学卓越创新中心 上海200050 中国科学院大学 北京100049
串联超导量子干涉器件(superconducting quantum interference device,SQUID)阵列通过增加SQUID数量来达到提升信噪比的目的,即SQUID电压信号随SQUID数目比例增加而总电压噪声正比于SQUID数目的平方根值.本文介绍了利用自主工艺线进行串... 详细信息
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氧化镓异质集成和异质结功率晶体管研究进展
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科学通报 2023年 第14期68卷 1741-1752页
作者: 韩根全 王轶博 徐文慧 巩贺贺 游天桂 郝景刚 欧欣 叶建东 张荣 郝跃 西安电子科技大学微电子学院 西安710071 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所测试分析平台 苏州215123 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050 南京大学电子科学与工程学院 南京210023 江苏第三代半导体研究院 沈阳材料科学国家研究中心苏州215123
超宽禁带氧化镓(Ga_(2)O_(3))半导体具有临界击穿场强高和可实现大尺寸单晶衬底等优势,在功率电子和微波射频器件方面具有重要的研究价值和广阔的应用前景.尽管Ga_(2)O_(3)材料与器件研究已取得很大进展,但其极低的热导系数和缺少有效的... 详细信息
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高效、偏振不敏感超导纳米线单光子探测器
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物理学报 2021年 第18期70卷 346-352页
作者: 张文英 胡鹏 肖游 李浩 尤立星 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院超导电子学卓越创新中心 上海200050 中国科学院大学 北京100039 中国科学院空间主动光电技术重点实验室 上海200050
超导纳米线单光子探测器(SNSPD)因其优异的综合性能被广泛应用于量子通信等众多领域,然而其独特的线性结构会导致SNSPD的探测效率对入射光的偏振态具有依赖性,从而限制了SNSPD在非常规光纤链路或其他非相干光探测环境中的应用.本文基于... 详细信息
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含亚氨基抑制剂分子对钴电沉积的影响
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半导体技术 2023年 第10期48卷 911-918页
作者: 贺宇 吴挺俊 朱雷 李鑫 李卫民 俞文杰 上海理工大学材料与化学学院 上海200093 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 上海集成电路材料研究院有限公司 上海201899
金属钴的电阻率较低,是芯片制造先进工艺节点的关键互连材料。电沉积具有自下而上的生长特点,是优异的钴沉积工艺。为达到理想的钴电沉积的效果,必须了解电化学反应机理以及电流密度和抑制剂对该机理的影响。通过恒电流电沉积法,在硫酸... 详细信息
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石墨烯中选择性增强Kane-Mele型自旋-轨道相互作用
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物理学报 2022年 第6期71卷 257-263页
作者: 白占斌 王锐 周亚洲 吴天如 葛建雷 李晶 秦宇远 费付聪 曹路 王学锋 王欣然 张帅 孙力玲 宋友 宋凤麒 南京大学物理学院 固体微结构国家重点实验室人工微结构科学与技术协同创新中心南京210093 中国科学院物理研究所 北京凝聚态物理国家研究中心北京100190 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050 南京大学化学化工学院 配位化学国家重点实验室人工微结构科学与技术协同创新中心南京210093 南京大学电子科学与工程学院 固体微结构国家重点实验室人工微结构科学与技术协同创新中心南京210093
增强石墨烯中的自旋-轨道相互作用可能实现无耗散的量子自旋霍尔器件,这需要在石墨烯样品中引入独特的Kane-Mele型自旋-轨道相互作用,并保持较高的迁移率.然而,对石墨烯的外在修饰往往会引入“外禀型”Rashba自旋-轨道相互作用,会破坏... 详细信息
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