检索结果-内蒙古大学图书馆

激光技术 2016年第5期40卷 742-745页

作者：崔乐乐王海龙李雯张国龚谦曲阜师范大学物理工程学院曲阜273165 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

为了对单端量子点半导体光放大器(QD-SOA)全光波长转换器的增益恢复特性进行系统分析,采用分段法和4阶龙格-库塔法,利用单端QD-SOA的交叉增益调制效应的全光波长转换原理分别求解速率方程和光场方程,分析了注入电流、后端面反射率以及... 详细信息

为了对单端量子点半导体光放大器(QD-SOA)全光波长转换器的增益恢复特性进行系统分析,采用分段法和4阶龙格-库塔法,利用单端QD-SOA的交叉增益调制效应的全光波长转换原理分别求解速率方程和光场方程,分析了注入电流、后端面反射率以及最大模式增益等变化时对单端QD-SOA全光波长转换器增益恢复时间的影响。结果表明,当增大注入电流和后端面反射率、减小最大模式增益时,均可以减小增益恢复时间,进而可以通过优化上述参量改善单端QD-SOA的增益恢复特性。

关键词：光通信量子点半导体光放大器波长转换交叉增益调制增益恢复时间

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基于量子点光放大器波长转换的啁啾特性研究

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激光技术 2016年第2期40卷 292-295页

作者：陈廷廷王海龙刘松龚谦曲阜师范大学物理工程学院曲阜273165 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

信号光的啁啾特性在很大程度上会影响量子点半导体光放大器(QD-SOA)的性能,引起传输信号的走离效应,使误比特率增高。为了改善这一特性,对QD-SOA全光波长转换器的啁啾特性进行了系统分析,基于QD-SOA的交叉增益调制效应的全光波长转换原... 详细信息

信号光的啁啾特性在很大程度上会影响量子点半导体光放大器(QD-SOA)的性能,引起传输信号的走离效应,使误比特率增高。为了改善这一特性,对QD-SOA全光波长转换器的啁啾特性进行了系统分析,基于QD-SOA的交叉增益调制效应的全光波长转换原理,采用牛顿法和4阶龙格-库塔法求解速率方程和光场传输方程,计算了注入电流、抽运光脉宽和抽运光消光比变化时QD-SOA全光波长转换器输出变换光的啁啾值。结果表明,增大抽运光脉宽、减小注入电流和抽运光消光比均可减小变换光的啁啾值,通过优化这些参量可以减小啁啾的影响,但在设计QD-SOA全光波长转换器时,要考虑抽运光消光比和变换光啁啾之间的均衡。

关键词：光通信量子点光放大器啁啾交叉增益调制

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单壁碳纳米管的肺毒性及氧化应激机制

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第二军医大学学报 2016年第7期37卷 815-820页

作者：吕高建汤莹沈亚峰雷长海赵文茹陈新杨勇骥华东理工大学材料科学与工程学院超细材料制备与应用教育部重点实验室上海200237 第二军医大学基础部生物物理学教研室上海200433 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

目的研究单壁碳纳米管(single-wall carbon nanotubes,SWCNTs)的肺毒性,并探讨其毒性机制,为安全生产和应用SWCNTs提供实验依据。方法 A549细胞用质量浓度为0、25、50、100、150、200μg/mL的SWCNTs溶液孵育24h,用CCK-8和乳酸脱氢酶(lac... 详细信息

目的研究单壁碳纳米管(single-wall carbon nanotubes,SWCNTs)的肺毒性,并探讨其毒性机制,为安全生产和应用SWCNTs提供实验依据。方法 A549细胞用质量浓度为0、25、50、100、150、200μg/mL的SWCNTs溶液孵育24h,用CCK-8和乳酸脱氢酶(lactate dehydrogenase,LDH)试剂盒分别检测SWCNTs对A549细胞活性和细胞膜的影响,Hoechst33342和PI荧光双染法检测细胞死亡情况,透射电镜(TEM)观察细胞超微结构变化,并检测细胞内活性氧(reactive oxygen species,ROS)水平、谷胱甘肽(glutathione,GSH)浓度和超氧化物歧化酶(superoxide dismutase,SOD)活力以评估氧化应激情况。分别将0.5mg/mL和1mg/mL的SWCNTs溶液通过气管灌流的方法使大鼠肺部染毒,3d后取大鼠肺脏,常规H-E染色,检测肺组织病理学变化。结果 SWCNTs对A549细胞表现出明显毒性,使细胞活性降低,死亡细胞增多,细胞膜和细胞结构损伤严重,细胞内ROS水平升高,GSH浓度和SOD活力降低。体内毒性检测结果表明SWCNTs在大鼠肺组织内积累,造成肺泡壁水肿增厚。结论体外细胞毒性检测和动物毒性检测结果表明SWCNTs具有较大的肺毒性,其主要毒性机制是氧化应激反应。

关键词：单壁碳纳米管肺毒性氧化性应激氧化还原平衡

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在晶元级Si衬底上制备高深宽比SiO_2周期图形（英文）

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纳米技术与精密工程 2016年第6期14卷 395-401页

作者：戚永乐张瑞英仇伯仓王逸群王庶民中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室苏州215123 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件及相关材料研究部苏州215123 中国科学技术大学纳米学院苏州215123 清华大学深圳研究院深圳518055 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米加工平台苏州215123 中国科学院上海微系统所信息功能材料国家重点实验室上海200050

本文主要介绍了通过步进式光刻、反相剥离和F基等离子体刻蚀工艺在晶元级Si衬底上制备SiO_2图形的过程,在6 in(15.24 cm)Si衬底上实现了均匀的周期分别为1.0μm和1.6μm、深宽比分别为2.3和1.4的SiO_2周期性掩膜.尤其在周期为1μm的条件... 详细信息

本文主要介绍了通过步进式光刻、反相剥离和F基等离子体刻蚀工艺在晶元级Si衬底上制备SiO_2图形的过程,在6 in(15.24 cm)Si衬底上实现了均匀的周期分别为1.0μm和1.6μm、深宽比分别为2.3和1.4的SiO_2周期性掩膜.尤其在周期为1μm的条件下,窗口通过过曝光和反相剥离工艺减小到330 nm,该尺寸超越了试验用步进式光刻设备的极限精度尺寸.在通过HF和KOH溶液处理后,得到了带有V型槽和较光滑侧壁的SiO图形的Si衬底,该图形适用于Ⅲ-Ⅴ半导体通过深宽比位错捕获技术的材料生长.这种均匀的晶元级图案制备方案促进了图形化Si衬底技术和Si基Ⅲ-Ⅴ半导体异质外延.

关键词：图形衬底异质外延高深宽比

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FTIR测量的量子型光电探测器响应光谱校正

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红外与毫米波学报 2015年第6期34卷 737-743页

作者：张永刚周立顾溢马英杰陈星佑邵秀梅龚海梅方家熊中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室上海200083

针对采用FTIR方法测量量子型光电探测器的光电流谱并据此校正获得器件的实际响应光谱问题,提出了两种简便可行的校正方案,即计算仪器函数校正方案和标准探测器传递校正方案;对其可行性、限制因素及注意事项进行了详细讨论.用两种方案对... 详细信息

针对采用FTIR方法测量量子型光电探测器的光电流谱并据此校正获得器件的实际响应光谱问题,提出了两种简便可行的校正方案,即计算仪器函数校正方案和标准探测器传递校正方案;对其可行性、限制因素及注意事项进行了详细讨论.用两种方案对多种短波红外InGaAs光电探测器进行了测量校正,获得了与实际符合的响应光谱.为验证方案的适用性,还与采用经精确标定的光栅分光测量系统测得的结果进行了比对,确认了其适用性.结果表明,采用FTIR测量方法并结合适当的校正方案可以获得符合实际的响应光谱.

关键词：响应光谱校正光电探测器量子型傅里叶变换红外

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多通道超导全张量读出电路系统研制

多通道超导全张量读出电路系统研制

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第十四届全国超导薄膜和超导电子器件学术研讨会

作者：徐小峰王永良张国峰张树林邱隆清荣亮亮谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

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“万能离子刀”

“万能离子刀”

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第16届全国荷电粒子源粒子束学术会议

作者：欧欣信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所

载能离子与固体相互作用的效果是多方面的。其中一个重要现象和作用是通过气体离子与固体的相互作用可以在固体材料表面或内部产生空体积缺陷，如空位、空洞和气泡等。通过有效控制离子束产生的空体积缺陷并实现“Defect induce Effect...

载能离子与固体相互作用的效果是多方面的。其中一个重要现象和作用是通过气体离子与固体的相互作用可以在固体材料表面或内部产生空体积缺陷，如空位、空洞和气泡等。通过有效控制离子束产生的空体积缺陷并实现“Defect induce Effect”，在材料研究的很多领域可以产生重要的应用。如表面纳米图形化、核材料辐照行为、功能氧化物器件调控以及新型微电子衬底材料——绝缘体上的硅以及异质集成材料制备。基于气体离子注入的离子束缺陷工程可以形象的比喻为一把“万能离子刀”。

关键词：

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应用于RSFQ超导数字电路的Nb/Al-AlOx/Nb约瑟夫森结的制备与表征

应用于RSFQ超导数字电路的Nb/Al-AlOx/Nb约瑟夫森结的制备与表征

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第十四届全国超导薄膜和超导电子器件学术研讨会

作者：熊伟应利良中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

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用于电子器件的石墨烯薄膜化学气相沉积制备

用于电子器件的石墨烯薄膜化学气相沉积制备

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2016中国国际石墨烯创新大会

作者：吴天如王浩敏狄增峰谢晓明信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所中国

石墨烯要在电子学领域发挥重要作用还需要克服多项技术挑战，包括晶元级石墨烯薄膜制备和带隙调控等.本报告将介绍中科院上海微系统所在石墨烯晶元以及大晶畴AB堆垛双层石墨烯薄膜方面的研究进展.通过向具有适中碳固溶度的Cu85Ni15合金...

石墨烯要在电子学领域发挥重要作用还需要克服多项技术挑战，包括晶元级石墨烯薄膜制备和带隙调控等.本报告将介绍中科院上海微系统所在石墨烯晶元以及大晶畴AB堆垛双层石墨烯薄膜方面的研究进展.通过向具有适中碳固溶度的Cu85Ni15合金衬底局部提供碳源，我们成功实现单个晶核的制备，且整个石墨烯生长过程中石墨烯维持单核生长，且遵从一种全新的等温析出机制.固溶在合金衬底中的碳参加了表面石墨烯反应，大大提高了石墨烯的生长速度，仅需约2.5小时即可制备约1.5英才石墨烯单晶.石墨烯单晶晶元也可以通过在Ge (110)衬底上通过范德华外延获得.石墨烯岛边缘和Ge (100)面上原子台阶的点阵匹配和相互作用驱动石墨烯晶畴定向生长，多个石墨烯岛最终可实现无缝连接，形成品元级石墨烯外延薄膜.通过在Cu85Ni15衬底上放置铜薄膜实现了大晶畴AB堆垛石墨烯的生长.通过Cu85Ni15衬底和铜蒸汽的协同效应，可实现双层石墨烯的快速生长，约10分钟晶畴尺寸达到约～300 μm.铜蒸汽降低了第一层石墨烯的生长速度，而合金中固溶的碳大大提高了第二层石墨烯的生长速度，且两层呈AB堆垛关系.大晶畴双层石墨烯的成功制备主要是解决了第一和第二层石墨烯生长速度差距过大这一传统技术中制约双层石墨烯生长的关键技术瓶颈.我们还将简单介绍上海微系统所在制备边界可控石墨烯纳米带方面的最新进展.

关键词：

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介质钝化对GaN HEMT性能的影响

介质钝化对GaN HEMT性能的影响

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中国物理学会2016年秋季会议

作者：沈玲燕程新红王中健张栋梁郑理曹铎王谦李静杰俞跃辉中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

本文将生长在铜片上的石墨烯转移到AlGaN/GaN 异质结表面,氟化绝缘后,利用水基ALD石墨烯上生长high k 方法1,制备了以Al2O3 作为栅介质的氟化石墨烯绝缘栅介质高电子迁移率晶体管(FG-MIS HEMT)。与无氟化石墨烯的普通MIS HEMT 相比,Al2O... 详细信息

本文将生长在铜片上的石墨烯转移到AlGaN/GaN 异质结表面,氟化绝缘后,利用水基ALD石墨烯上生长high k 方法1,制备了以Al2O3 作为栅介质的氟化石墨烯绝缘栅介质高电子迁移率晶体管(FG-MIS HEMT)。与无氟化石墨烯的普通MIS HEMT 相比,Al2O3/FG/GaN 结构中Al2O3 与GaN 之间有锐利的分界,不存在界面层,且生长的Al2O3 具有致密性高、介电常数大的优点。

关键词： AlGaN/GaN 石墨烯钝化层电流崩塌

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