检索结果-内蒙古大学图书馆

2016年上海市研究生学术论坛——电子科学与技术

作者：张梦映胡志远宁冰旭宋雷戴丽华刘小年张正选信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院研究生院北京100039 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

在器件结构、辐照偏置相同的情况下,研究不同沟道长度的总剂量辐射响应.氧化层中辐射诱生陷阱正电荷是导致器件特性退化的关键.寄生侧壁晶体管会因浅沟槽隔离氧化层中的陷阱电荷沟道反型,产生大的关态漏电流.由于SOI器件绝缘埋层的存在... 详细信息

在器件结构、辐照偏置相同的情况下,研究不同沟道长度的总剂量辐射响应.氧化层中辐射诱生陷阱正电荷是导致器件特性退化的关键.寄生侧壁晶体管会因浅沟槽隔离氧化层中的陷阱电荷沟道反型,产生大的关态漏电流.由于SOI器件绝缘埋层的存在,同样会存在陷阱正电荷,对器件特性产生影响.研究表明,沟道越短,泄漏电流越大,辐照会增强短沟道效应.

关键词： CMOS器件总剂量效应短沟道效应绝缘埋层浅沟槽隔离沟道长度

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基于相变存储器的SD卡系统设计

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半导体光电 2015年第4期36卷 661-666页

作者：王月青陈小刚蔡道林宋志棠李喜陈一峰中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

基于中科院上海微系统研究所自主研发的相变存储器芯片,设计并实现了国内首个以相变存储器为存储介质的SD卡系统。本系统由多接口SoC芯片、6.375Mbits相变存储器芯片以及外围控制电路等构成。系统通过SD/MMC接口与上位机进行数据通信,... 详细信息

基于中科院上海微系统研究所自主研发的相变存储器芯片,设计并实现了国内首个以相变存储器为存储介质的SD卡系统。本系统由多接口SoC芯片、6.375Mbits相变存储器芯片以及外围控制电路等构成。系统通过SD/MMC接口与上位机进行数据通信,并使用FAT文件系统进行管理。该SD卡系统容量为256kb,读取速度为2Mb/s,写入速度为0.5Mb/s。

关键词：相变存储器 SD卡多接口SoC芯片坏块管理地址映射表

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NbN在超导电子学的应用前景

NbN在超导电子学的应用前景

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第十四届全国超导薄膜和超导电子器件学术研讨会

作者：王镇尤立星谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院超导电子学卓越创新中心中国科学院大学上海科技大学中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院超导电子学卓越创新中心中国科学院大学

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InAs/InP量子点激光器中欧姆接触合金层特性研究

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光电子．激光 2015年第1期26卷 30-34页

作者：李世国龚谦曹春芳王新中沈晓霞周志文张卫丰范金坪深圳信息职业技术学院电子与通信技学院广东深圳518172 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

合金层与InAs/InP量子点激光器的接触电阻对激光器的性能有很大影响,而接触电阻的大小与合金材料、退火温度和退火时间有关。本文采用Au/Ni/Au/Ge做InAs/InP量子点激光器的欧姆接触合金层,通过改变退火温度和退火时间调节量子点激光器... 详细信息

合金层与InAs/InP量子点激光器的接触电阻对激光器的性能有很大影响,而接触电阻的大小与合金材料、退火温度和退火时间有关。本文采用Au/Ni/Au/Ge做InAs/InP量子点激光器的欧姆接触合金层,通过改变退火温度和退火时间调节量子点激光器中接触电阻的阻值。实验发现,退火时间对接触电阻的改变不大,但是提高退火温度却能极大地降低接触电阻的阻值。实验获得了Au/Ni/Au/Ge合金层与InAs/InP量子点激光器最佳欧姆接触条件,通过矩阵传输法测得相应接触电阻率为1.34×10-6Ω·cm2。在此条件下,制备激射中心波长为1.577μm的多模量子点激光器,室温下单面最大输出功率达到和超过39mW。

关键词：量子点激光器接触电阻合金化

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具有一维接触电极的双层硒化铌异质结器件制备及电学特性研究

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功能材料与器件学报 2016年第4期22卷 74-78页

作者：李蕾邓联文刘胜杨鹏王慧山谢红陈令修贺立李晓良王浩敏中南大学物理与电子学院超微结构与超快过程湖南省重点实验室长沙410082 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

层状硒化铌晶体因其独特的电子结构和物理特性一直是科技界的研究热点，但少层硒化铌晶体薄片在空气中不稳定、器件性能退化严重等因素制约了对其深入研究。本文提出一种具有一维接触电极的双层硒化铌异质结的制备方法，在惰性环境中对... 详细信息

层状硒化铌晶体因其独特的电子结构和物理特性一直是科技界的研究热点，但少层硒化铌晶体薄片在空气中不稳定、器件性能退化严重等因素制约了对其深入研究。本文提出一种具有一维接触电极的双层硒化铌异质结的制备方法，在惰性环境中对硒化铌进行机械剥离、转移和封装，用标准微纳加工工艺制备了以石墨烯为一维接触电极、薄层六角氮化硼为封装材料的双层硒化铌异质结器件。结果表明：双层硒化铌器件的超导转变温度约为6．8K，电荷密度波相变温度保持在32K；超导临界电流密度为30mA／μm2，超导临界磁场为3T，性能与硒化铌晶体体材料接近；该器件在空气中电学性能非常稳定，保存数月未出现性能退化。

关键词：双层硒化铌石墨烯六角氮化硼超导异质结电学特性

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石墨烯与锗衬底界面结构的第一性原理研究

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材料导报 2015年第10期29卷 137-142页

作者：史晓华王刚郭庆磊张苗狄增峰中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理,研究石墨烯与Ge衬底之间的界面结构.计算结果表明,在3种衬底Ge（111）、Ge（100）和Ge（110）上界面结合能有相同的规律,均在平衡距离为3.3A时获得最低能量,平均每个碳原子的界面结合能分别为24... 详细信息

采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理,研究石墨烯与Ge衬底之间的界面结构.计算结果表明,在3种衬底Ge（111）、Ge（100）和Ge（110）上界面结合能有相同的规律,均在平衡距离为3.3A时获得最低能量,平均每个碳原子的界面结合能分别为24.3 meV、21.1 meV和23.3 meV;通过构造0～60°之间不同的界面夹角,发现一个高对称性的界面结构;相比本征Ge衬底,石墨烯与H钝化后Ge衬底之间的界面平衡距离增大,结合能降低;H钝化能有效地屏蔽石墨烯与Ge衬底之间的相互作用,恢复了本征石墨烯的电子性质,起到缓冲层作用.

关键词：锗衬底石墨烯界面结构第一性原理

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Nb nanoSQUIDs在微介观材料磁性表征中的应用研究

Nb nanoSQUIDs在微介观材料磁性表征中的应用研究

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第十四届全国超导薄膜和超导电子器件学术研讨会

作者：武龙陈垒刘晓宇汪浩王镇中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院超导电子学卓越创新中心上海科技大学

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InAs/GaAs量子点激光器的增益和线宽展宽因子

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发光学报 2015年第5期36卷 567-571页

作者：许海鑫王海龙严进一汪洋曹春芳龚谦山东省激光偏光与信息技术重点实验室曲阜师范大学物理系山东曲阜273165 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

利用气源分子束外延技术生长In As/Ga As量子点激光器材料,制作了由5层量子点组成的500μm腔长的激光器。首次使用增益拟合和波长加权的方法计算了激光器的线宽展宽因子。其中,增益拟合是对Hakki-Paoli方法计算增益的重要补充,对判断不... 详细信息

利用气源分子束外延技术生长In As/Ga As量子点激光器材料,制作了由5层量子点组成的500μm腔长的激光器。首次使用增益拟合和波长加权的方法计算了激光器的线宽展宽因子。其中,增益拟合是对Hakki-Paoli方法计算增益的重要补充,对判断不同电流下的增益是否饱和具有重要作用。对最大模式增益求导数,当电流为50 m A时,差分增益最大值为1.33 cm-1/m A,然后迅速减小到0.34 cm-1/m A,此时电流为57m A（≈0.99Ith）。第一次使用加权波长来计算中心波长的移动,发现Δλ慢慢减小直至接近于0。整个计算方法避免了在直接选取数据点时造成的误差,线宽展宽因子计算值为0.12~2.75。

关键词：激光器增益差分增益波长移动线宽展宽因子

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InAs/GaAs量子点激光器材料中的深能级

InAs/GaAs量子点激光器材料中的深能级

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第十四届全国发光学学术会议

作者：王海龙孙丽芹李媛媛李士玲曹春芳龚谦山东省激光偏光与信息技术重点实验室曲阜师范大学物理工程学院山东曲阜 273165 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

半导体材料中杂质和缺陷对半导体器件的性能有重要的影响。随着对材料的结构、力学、化学和电学特性的深入研究，其缺陷控制、杂质行为、杂质与缺陷相互作用将是需要进行深入研究的很重要的方面。

关键词： InAs/GaAs量子点深中心深能级瞬态谱(DLTS) 气源分子束外延(GSMBE)

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用于相变存储器的高效开关电容电荷泵

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微电子学 2015年第3期45卷 335-339,344页

作者：雷宇陈后鹏金荣胡佳俊宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

提出一种应用于相变存储器芯片的新型开关电容电荷泵。对于16位的相变存储器芯片,系统擦写时间大于100ns,电荷泵的驱动能力至少为60mA。相比于传统开关电容电荷泵,该电荷泵根据负载电流大小自动生成一个使能信号,该信号通过控制升压模... 详细信息

提出一种应用于相变存储器芯片的新型开关电容电荷泵。对于16位的相变存储器芯片,系统擦写时间大于100ns,电荷泵的驱动能力至少为60mA。相比于传统开关电容电荷泵,该电荷泵根据负载电流大小自动生成一个使能信号,该信号通过控制升压模块功率管的开启与关断来调节输出电压,最终将输出电压控制在一个允许的范围内波动。采用40nm CMOS工艺对电荷泵进行设计和仿真,结果表明在5mA负载时,电源效率为87%,输出纹波为2.84mV;负载电流从0mA变化到60mA时,电源效率皆高于82%;负载电流变化在300mA/μs时,输出瞬态响应时间为1.63μs,满足相变存储器芯片的使用要求。

关键词：电荷泵输出电压自动调节输出纹波电源效率负载瞬态响应

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