检索结果-内蒙古大学图书馆

低温物理学报 2015年第3期37卷 169-173页

作者：汪瀛邱隆清侍文蒋坤荣亮亮孔祥燕中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

超导全张量磁梯度仪因其信息量丰富、磁场灵敏度高、体积小等特点,被认为是第三代航磁探测的发展方向.全张量梯度仪可由多个不共面的平面一阶超导量子干涉器件（SQUID）梯度计构成.目前,采用微纳加工工艺制备的超导平面梯度计能获得最... 详细信息

超导全张量磁梯度仪因其信息量丰富、磁场灵敏度高、体积小等特点,被认为是第三代航磁探测的发展方向.全张量梯度仪可由多个不共面的平面一阶超导量子干涉器件（SQUID）梯度计构成.目前,采用微纳加工工艺制备的超导平面梯度计能获得最好的平衡度,其共模抑制比可达103;04,但仍然不能满足运动条件下的应用需求.在实际应用中,可采用三轴SQUID磁强计对梯度计进行补偿,达到抑制运动噪声的目的.本文基于最小二乘（LMS）自适应滤波算法,通过数值仿真分析了平面梯度计的不平衡度、环境磁场大小以及环境剩余磁梯度对补偿效果的影响.同时,我们构建了六棱锥构型的全张量超导梯度仪,并采用三轴磁强计作为补偿通道,在野外均匀地球磁场下进行了测试.结果表明,该补偿方法能够大幅减小均匀磁场下的梯度计的不平衡输出,可以将梯度值补偿约2个数量级,极大提高了超导全张量磁梯度仪在运动状态下的实用性.

关键词： SQUID平面梯度计全张量磁梯度不平衡度补偿

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

石墨烯异质结构中莫尔超晶格对摩擦行为的调控

石墨烯异质结构中莫尔超晶格对摩擦行为的调控

引用

第十四届全国物理力学学术会议

作者：姚泉舟张帅郑晓虎高磊狄增峰马天宝李群仰清华大学航天航空学院应用力学教育部重点实验室微纳米力学与多学科交叉创新研究中心清华大学摩擦学国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

对于厚度仅有若干个原子层的二维材料,如石墨烯、MoS、h-BN等,其表面的摩擦行为容易受到基底的影响,从而展现出许多与块体材料不同的特性。我们对石墨烯/Ge（111）异质结构进行了研究,发现:通过改变石墨烯与Ge（111）基底的品格匹配角度... 详细信息

对于厚度仅有若干个原子层的二维材料,如石墨烯、MoS、h-BN等,其表面的摩擦行为容易受到基底的影响,从而展现出许多与块体材料不同的特性。我们对石墨烯/Ge（111）异质结构进行了研究,发现:通过改变石墨烯与Ge（111）基底的品格匹配角度,可以形成不同的莫尔云纹超品格结构,从而实现调控石墨烯表面摩擦过程中的能量耗散行为。实验结果还显示,莫尔云纹超

关键词：异质结构石墨烯摩擦行为

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

固态碳源温度对CVD法生长石墨烯薄膜影响的研究

引用

真空科学与技术学报 2015年第1期35卷 109-113页

作者：尤佳毅沈鸿烈吴天如谢晓明南京航空航天大学材料科学与技术学院南京211100 南京航空航天大学纳智能材料器件教育部重点实验室南京210016 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

以聚苯乙烯为固态碳源,抛光铜箔为衬底,通过改变固态碳源的温度探索了固态碳源温度对双温区化学气相沉积法生长石墨烯的影响。样品采用拉曼散射光谱、紫外-可见分光光度计和扫描电子显微镜进行了表征。结果表明,固态碳源温度的变化直接... 详细信息

以聚苯乙烯为固态碳源,抛光铜箔为衬底,通过改变固态碳源的温度探索了固态碳源温度对双温区化学气相沉积法生长石墨烯的影响。样品采用拉曼散射光谱、紫外-可见分光光度计和扫描电子显微镜进行了表征。结果表明,固态碳源温度的变化直接影响了气相碳源浓度,通过控制固态碳源温度,可以控制所得石墨烯的层数。固态碳源动态变温生长能够在生长的起始阶段降低石墨烯形核密度,同时打破晶粒长大时氢气刻蚀速率与石墨烯生长速率的动态平衡,可以有效地提升石墨烯的覆盖率。最终在衬底温度为1000℃条件下使用固态碳源动态变温制备了I2D/IG达到2.91,透过率为97.6%的高质量单层石墨烯薄膜。

关键词：石墨烯固态碳源动态变温化学气相沉积

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

无人机平台航空超导磁测系统与室内测试

引用

低温物理学报 2015年第4期37卷 267-270页

作者：常凯伍俊蒋坤侍文王会武荣亮亮孔祥燕谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中科院上海微系统所-吉林大学“地球物理探测技术”联合实验室中国科学院大学

基于无人机平台的超导航磁测量安全高效,灵敏度高且信息量丰富,探测优势明显.本文研发了一种基于低温超导的固定翼无人机平台的磁测系统,该系统可实现地磁场的垂直三分量磁场同步测量.系统磁场测量噪声水平0.3pT/Hz@1kHz,量程>60μT... 详细信息

基于无人机平台的超导航磁测量安全高效,灵敏度高且信息量丰富,探测优势明显.本文研发了一种基于低温超导的固定翼无人机平台的磁测系统,该系统可实现地磁场的垂直三分量磁场同步测量.系统磁场测量噪声水平0.3pT/Hz@1kHz,量程>60μT,采样率为1024Hz,重15kg.基于该系统初步开展了室内运动测试,实验结果表明该系统可实现运动平台三轴磁测量,适用于无人机航磁平台.

关键词：低温SQUID 物探应用固定翼无人机动态范围

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

图案化GaAs衬底外延InP局域表面成核层生长

引用

半导体技术 2015年第6期40卷 448-454页

作者：戚永乐张瑞英张震王岩岩朱健孙玉润赵勇明董建荣王庶民中国科学技术大学纳米学院江苏苏州215123 中国科学院苏州纳米技术-9纳米仿生研究所江苏苏州215123 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

使用光学显微镜、原子力显微镜和微区喇曼光谱对在纳球光刻图案化GaAs衬底的孔洞区进行金属有机化学气相沉积(MOCVD)进而对InP成核层进行了研究。实验结果表明,该局域表面InP的成核层生长和孔洞的大小、方向、位置关系不大,与MOCVD的生... 详细信息

使用光学显微镜、原子力显微镜和微区喇曼光谱对在纳球光刻图案化GaAs衬底的孔洞区进行金属有机化学气相沉积(MOCVD)进而对InP成核层进行了研究。实验结果表明,该局域表面InP的成核层生长和孔洞的大小、方向、位置关系不大,与MOCVD的生长条件相关。与渐变缓冲层生长相比,在InP的成核层中没有出现穿透位错,其结晶质量随着温度的升高而提高,但其表面粗糙度会随着温度的升高而增加,这个现象可能和它的3D岛状生长有关。AFM测试结果表明,提高V/III比可以在较低的温度下抑制其表面粗糙度降至纳米量级。微区喇曼光谱测试表明,在适当条件生长下可获得InP成核层的二维生长方式。该研究为进一步基于ART机理在二维图案化GaAs衬底开展InP异质外延研究奠定基础。

关键词：图形化衬底 GaAs/InP异质外延表面形貌粗糙度应力

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

心磁图仪及其临床研究

心磁图仪及其临床研究

引用

第十一届中国科学院“百人学者论坛”学术年会暨第七届江西科学论坛

作者：孔祥燕中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海市长宁区长宁路865号200050 中国科学院超导电子学卓越创新中心(CENSE) 上海市长宁区长宁路865号200050 漫迪医疗仪器(上海)有限公司

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

InAs/InGaAs数字合金应变补偿量子阱激光器(英文)

引用

红外与毫米波学报 2014年第3期33卷 213-217页

作者：曹远迎顾溢张永刚李耀耀方祥李爱珍周立李好斯白音中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用气态源分子束外延在InP衬底上生长InAs/InGaAs数字合金应变补偿量子阱激光器.有源区的多量子阱结构由压应变的InAs/In_(0.53)Ga_(0.47)As数字合金三角形势阱和张应变的In_(0.43)Ga_(0.57)As势垒构成.X射线衍射测试表明赝晶生长的量... 详细信息

采用气态源分子束外延在InP衬底上生长InAs/InGaAs数字合金应变补偿量子阱激光器.有源区的多量子阱结构由压应变的InAs/In_(0.53)Ga_(0.47)As数字合金三角形势阱和张应变的In_(0.43)Ga_(0.57)As势垒构成.X射线衍射测试表明赝晶生长的量子阱结构具有很高的晶格质量.在100K、130mA连续波工作模式下,激光器的峰值波长达到1.94μm,对应的阈值电流密度为2.58 kA/cm^2.随着温度升高,激光器的激射光谱出现独特的蓝移现象,这是由于激光器结构中相对较高的内部吸收和弱的光学限制引起最大增益函数斜率降低所导致的.

关键词：数字合金量子阱分子束外延

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

全息光刻和二次显影法制备柱形二维光子晶体(英文)

引用

红外与毫米波学报 2014年第1期33卷 45-49页

作者：曹远迎张永刚李耀耀顾溢李爱珍李好斯白音中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用全息光刻和二次显影的方法制备了柱形二维光子晶体.在此过程中,二维点状的周期结构首先在正性光刻胶上直接形成,然后经由Si3N4硬掩模转移到衬底材料上.利用二次显影的方法,曝光强度最强和曝光强度中等区域的光刻胶能够被同时充分显... 详细信息

采用全息光刻和二次显影的方法制备了柱形二维光子晶体.在此过程中,二维点状的周期结构首先在正性光刻胶上直接形成,然后经由Si3N4硬掩模转移到衬底材料上.利用二次显影的方法,曝光强度最强和曝光强度中等区域的光刻胶能够被同时充分显影,而曝光强度最弱区域的光刻胶则可以完全被保留下来.通过调节入射角,可以方便地调节二维结构的周期.利用此方法,在相对较大的面积上制备了不同周期的二维结构,二维结构具有很好的均匀性和重复性.文章对有关的工艺参数进行了详细讨论.

关键词：全息光刻二维光子晶体柱形二次显影

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

气态源MBE外延生长室温连续激射Ge基InAs/GaAs量子点激光器

气态源MBE外延生长室温连续激射Ge基InAs/GaAs量子点激光器

引用

第十一届全国分子束外延学术会议

作者：王朋龚谦曹春芳王亚楠李耀耀王庶民中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 Department of Microtechnology and Nanoscience Chalmers University o

Ⅲ-Ⅴ族直接带隙化合物半导体具有非常优越的光学性能，将其与Si衬底集成是实现IC电路光互联的理想途径[1].Ge由于其与Si材料的无限互溶以及与Ⅲ-Ⅴ族GaAs化合物半导体材料的匹配条件，成为Si基光电集成的有效过渡衬底[2].利用GeSi缓冲...

Ⅲ-Ⅴ族直接带隙化合物半导体具有非常优越的光学性能，将其与Si衬底集成是实现IC电路光互联的理想途径[1].Ge由于其与Si材料的无限互溶以及与Ⅲ-Ⅴ族GaAs化合物半导体材料的匹配条件，成为Si基光电集成的有效过渡衬底[2].利用GeSi缓冲层将较为成熟的GaAs基InAs量子点激光器结构与Si衬底结合是实现Si基通信波段激光器的有效途径[3-4].Ge衬底上外延生长GaAs是本工作的关键点.伦敦大学学院和加州大学利用固态源分子束外延(SS-MBE)技术在Ge-on-Si衬底上实现了InAs量子点激光器的室温连续激射[3-4].而在相关方向气态源分子束外延(GS-MBE)技术的研究工作还比较欠缺.

关键词：

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

InPBi材料的气态源分子束外延生长性质

InPBi材料的气态源分子束外延生长性质

引用

第十一届全国分子束外延学术会议

作者：潘文武王庶民吴晓燕王朋中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 Department of Microtechnology and Nanoscience Chalmers University o

稀Bi半导体材料具有大的带隙收缩效率和强的自旋轨道分裂能,这些性质使它在光通讯和中红外光电子器件中具有极大的应用潜力而备受关注[1-3].近期,我们通过气态源分子束外延(GSMBE)方法,首次实现了高质量InPBi晶体薄膜的生长,并且观察到...

稀Bi半导体材料具有大的带隙收缩效率和强的自旋轨道分裂能,这些性质使它在光通讯和中红外光电子器件中具有极大的应用潜力而备受关注[1-3].近期,我们通过气态源分子束外延(GSMBE)方法,首次实现了高质量InPBi晶体薄膜的生长,并且观察到了1.4-2.7μm的室温光致发光[4,5].本文系统地研究了气态源分子束外延中PH3压和生长速度对InPBi材料中Bi组分及表面形貌的影响.高分辨X射线衍射(XRD)表征结果如图1所示,我们发现Bi组分与PH3压大小无关,这与GaAsBi等传统的稀Bi半导体材料的生长特性有很大不同.生长高质量的InPBi需要合适的PH3压,过高的PH3压会恶化材料质量和表面形貌,这主要是因为在低温生长条件下,P的反位缺陷数目随PH3压的增加而增加.此外,通过改变生长速度,我们实现了Bi组分的调控,如图2所示,Bi组分与生长速度的倒数成正比.在较低的生长速度下,可以生长得到表面平整,Bi组分高达3.7％的InPBi材料.

关键词：

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：