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1.7μm-InGaAs/InAlAs低电压型雪崩光电探测器性能调控
1.7μm-InGaAs/InAlAs低电压型雪崩光电探测器性能调控
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第十一届全国分子束外延学术会议
作者： 马英杰 张永刚 顾溢 陈星佑 奚苏萍 杜奔 李好斯白音 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
工作于1-1.7μm波段的近红外InGaAs/InAlAs雪崩光电探测器(avalanche photodiode, APD)被广泛应用于自由空间光通讯、长距离光纤通信等.此外,基于APD像元的焦平面器件也可以被用于高灵敏度空间遥感成像、三维激光雷达成像等[1].对于APD...
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高速自复位计数式SQUID磁传感器
高速自复位计数式SQUID磁传感器
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第十三届全国超导学术研讨会
作者： 王永良 徐小峰 张国峰 孔祥燕 谢晓明 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
直流磁通量子干涉器件SQUID(superconducting Quantum interference Device)是高灵敏度的磁电转换元件，具有高速、低噪声及感应磁场范围大(可响应磁场变化范围达106Φ0以上)的特性。传统采用磁通锁定环路的SQUID传感器方案，量程有限... 详细信息
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无屏蔽环境下基于全张量磁场梯度补偿的ULF-MRI研究
无屏蔽环境下基于全张量磁场梯度补偿的ULF-MRI研究
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第十三届全国超导学术研讨会
作者： 陶泉 董慧 常宝林 黄瑞琪 谢晓明 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
在无屏蔽的城市环境中,环境梯度磁场约为1-5μT/m,如此大的梯度磁场将导致极低场磁共振成像(ULF-MRI)图像的畸变.根据全张量磁场梯度补偿方法,我们设计了一个磁场梯度测量系统来对环境磁场梯度进行补偿.通过补偿,自来水的自由感应衰减... 详细信息
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SQUID磁屏蔽参数仿真与优化
SQUID磁屏蔽参数仿真与优化
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第十三届全国超导学术研讨会
作者： 王美玲 杨瑞虎 张朝祥 孔祥燕 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海20050
在利用测量电磁场与其他信号转换的领域中，屏蔽外界环境的电磁场成为噪声抑制中必不可少的关键环节。针对基于超导量子干涉器件(SQUID)的心磁测量应用系统和器件本征噪声的研究，本文采用Maxwell软件对磁屏蔽进行仿真，获得屏蔽空间内... 详细信息
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铱氧化物薄膜的分子束外延生长及原位掺杂特性研究
铱氧化物薄膜的分子束外延生长及原位掺杂特性研究
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第十三届全国超导学术研讨会
作者： 刘正太 李明颖 樊聪聪 沈大伟 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
在过渡金属氧化物中，具有5d电子的过渡金属氧化物由于其中复杂的电荷、轨道以及自旋等多自由度间的相互竞争与合作，使其具有独特的物理特性，常常呈现出金属绝缘相变、非常规超导以及奇异拓扑等有趣的物理行为。而钙钛矿型衬底上生长... 详细信息
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SQUID器件研发与应用探索
SQUID器件研发与应用探索
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第十三届全国超导学术研讨会
作者： 谢晓明 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050
超导量子干涉器件(SQUID)是一种极高灵敏度磁通传感器,可以测量磁场、磁梯度、电压、电流、位移以及任何可以转化为磁通的其它物理量,已经被成功应用于广义相对论验证、暗物理探测等前沿基础研究以及高精度科研仪器设备研发,在生物影像...
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不同缓冲层类型对InP基In0.83Ga0.17As探测器性能的影响
不同缓冲层类型对InP基In0.83Ga0.17As探测器性能的影响
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第十一届全国分子束外延学术会议
作者： 奚苏萍 顾溢 张永刚 陈星佑 马英杰 周立 杜奔 李爱珍 李好斯白音 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
波长大于1.7 μm的高In组分InGaAs短波红外探测器由于其在红外遥感、夜视、光谱测量等方面都有着重要应用[1-3],引起了越来越多的关注.如果高In组分InxGa1-xAs(x＞0.53)吸收层直接生长在InP衬底上,吸收层中将产生许多由外延层与衬底之...
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2-3微米波段InP基无锑激光器和光电探测器
2-3微米波段InP基无锑激光器和光电探测器
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第十一届全国分子束外延学术会议
作者： 张永刚 李好斯白音 顾溢 陈星佑 马英杰 曹远迎 周立 奚苏萍 杜奔 李爱珍 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
2-3微米波段的激光器和光电探测器在众多领域都有重要应用.原则上基于GaSb衬底的含锑化合物可以很好地覆盖这个波段,并且也已取得了很大成功,但含锑化合物材料仍存在着外延生长较困难、有组分不互溶区域、MBE系统中锑生长源与其他源的...
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Nb/Al-AlOx/Nb约瑟夫森隧道结与DC SQUID的制备
Nb/Al-AlOx/Nb约瑟夫森隧道结与DC SQUID的制备
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第十三届全国超导学术研讨会
作者： 熊伟 应利良 张国峰 王海 王镇 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 上海科技大学 上海200031 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 中国科学院大学 北京100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 上海科技大学 上海200031 中国科学院大学 北京100049
Nb/Al-AlOx/Nb隧道结是目前应用最广泛的超导约瑟夫森结之一.本文采用SNEAP(Selective Niobium Etch and Anodization Process)工艺流程,利用直流磁控溅射、反应离子刻蚀、阳极氧化、剥离、光刻等微加工工艺成功制备了质量稳定的Nb/Al-A... 详细信息
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石墨烯创新制备技术进展概述
石墨烯创新制备技术进展概述
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2015中国国际石墨烯创新大会
作者： 丁古巧 Peng He Chao Zhou Jing Sun Xiaoming Xie 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 中国 上海新池能源科技有限公司 中国 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 中国
由于石墨烯潜在市场规模巨大,石墨烯规模化制备已成为研究热点.大规模、高质量、适当成本、针对不同应用定型的石墨烯材料依然严重缺失,并成为石墨烯大规模应用的软肋.本报告将总结近年来石墨烯研究领域内的创新制备技术,包括Bottom-up...
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