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作者

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27 篇 陈星佑
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684 篇 中文

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不同参数下SQUID直读电路传输特性研究

不同参数下SQUID直读电路传输特性研究

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第十二届全国超导学术研讨会

作者：徐小峰王永良张国峰邱阳张树林孔祥燕谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

磁通量子干涉器件(SQUID: Superconducting Quantum interference Device)是极其灵敏的非线性磁通-电压转换器,需要采用基于磁通锁定环路原理的读出电路实现其磁通-电压的线性转换.直读式读出电路结构简单,体积小,易于集成,广泛应用于...

磁通量子干涉器件(SQUID: Superconducting Quantum interference Device)是极其灵敏的非线性磁通-电压转换器,需要采用基于磁通锁定环路原理的读出电路实现其磁通-电压的线性转换.直读式读出电路结构简单,体积小,易于集成,广泛应用于多通道SQUID探测系统中.

关键词：

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4d、5d电子钙钛矿结构氧化物薄膜的分子束外延生长

4d、5d电子钙钛矿结构氧化物薄膜的分子束外延生长

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第十届全国分子束外延学术会议

作者：李明颖刘正太姚岐沈大伟中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

在过渡金属氧化物家族中，4a,5a过渡金属氧化物具有独特的物理特性。由于其中复杂的电荷、轨道以及白旋等多白由度问的相互竞争和合作，这类材料体现出金属绝缘相变、非常规超导以及奇异拓扑等丰富有趣的物理行为。本报告将主要介绍利... 详细信息

在过渡金属氧化物家族中，4a,5a过渡金属氧化物具有独特的物理特性。由于其中复杂的电荷、轨道以及白旋等多白由度问的相互竞争和合作，这类材料体现出金属绝缘相变、非常规超导以及奇异拓扑等丰富有趣的物理行为。本报告将主要介绍利用分子束外延技术生长一系列SrRuOg(100),SrIr03(100)和SrIro1(100)高质量4d和5d电了氧化物单晶薄膜，并同时对其进行原位掺杂和替代，从而有效调制其中的物理特性;此外，利用原位角分辨光电子能谱技术，可以直接探测薄膜内部的精细电子结构，从而为从微观机理研究这些材料中的物理特性提供了实验基础。

关键词：薄膜材料钙钛矿结构氧化物分子束外延生长物理特性

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生物磁探测中的环境噪声抑制方法研究

生物磁探测中的环境噪声抑制方法研究

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第十二届全国超导学术研讨会

作者：张树林谢晓明李华邱阳张永升王永良张国峰张朝祥徐晓峰孔祥燕中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

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无人机平台航空超导磁测系统与室内测试

无人机平台航空超导磁测系统与室内测试

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第十二届全国超导学术研讨会

作者：常凯荣亮亮蒋坤侍文谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

基于无人机平台的超导航磁测量安全高效,灵敏度高且信息量丰富,探测优势明显.本文研发了一种基于固定翼无人机平台的低温超导磁测系统,该系统集多种物理量传感、采集存储和控制功能于一体,可实现三轴磁场和一阶平面磁梯度的同步测量.该...

基于无人机平台的超导航磁测量安全高效,灵敏度高且信息量丰富,探测优势明显.本文研发了一种基于固定翼无人机平台的低温超导磁测系统,该系统集多种物理量传感、采集存储和控制功能于一体,可实现三轴磁场和一阶平面磁梯度的同步测量.该系统静态指标为:磁场噪声水平2.6pT/ Hz,量程大于±91μ,采样率为1kHz,系统重量15kg,持续工作时间大于24小时.

关键词：

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单模宽调谐量子级联激光器的研究

单模宽调谐量子级联激光器的研究

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第十届全国分子束外延学术会议

作者：李耀耀李爱珍张永刚顾溢徐刚毅王凯信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

为了应对复杂多变的测量环境，提高测量分辨率，要求QCLs能够具有较宽的光谱调谐范围和优良的单模特性。本文分析了实验室利用分布反馈(Distributed Feedback, DFB)光栅的DFB QCLs和利用外腔结构的EC QCLs实现单模工作的两种QCL结构的... 详细信息

为了应对复杂多变的测量环境，提高测量分辨率，要求QCLs能够具有较宽的光谱调谐范围和优良的单模特性。本文分析了实验室利用分布反馈(Distributed Feedback, DFB)光栅的DFB QCLs和利用外腔结构的EC QCLs实现单模工作的两种QCL结构的初步结果。分布反馈光栅是研制高性能分布反馈激光器的关键。本文基于2001-2002年自主知识产权创建的全息曝光系统，进一步发展了表面光栅(Top grafting)制备DFB QCL。为优化后的激光器表面光栅结构，光栅周期1.2μm。这种特殊结构能够显著降低界面处等离了模和激光模祸合而带来的波导损耗。通过调整光栅的腐蚀深度来调整光栅顶部和沟槽的折射率以及波导损耗的变化，使得激光器的耦合系数可控。为采用深腐蚀表面光栅结构的DFBQCLs的性能曲线图，激射波长为7.6μm，最高连续工作温度205K，边摸抑制比>25dB。

关键词：量子级联激光器光栅结构耦合分析

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超导磁力仪射频屏蔽仿真与实验研究

超导磁力仪射频屏蔽仿真与实验研究

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第十二届全国超导学术研讨会

作者：刘洋荣亮亮蒋坤常凯孔祥燕谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

超导量子干涉器件(SQUID)灵敏度极高,应用于地球物理探测时,环境电磁场(尤其是射频段:30MHz-3GHz)将对SQUID工作稳定性产生严重干扰,导致性能(噪声、摆率和工作稳定性等)全面下降.本文综合运用电磁场仿真技术和测试方法,对物探SQUID应...

超导量子干涉器件(SQUID)灵敏度极高,应用于地球物理探测时,环境电磁场(尤其是射频段:30MHz-3GHz)将对SQUID工作稳定性产生严重干扰,导致性能(噪声、摆率和工作稳定性等)全面下降.本文综合运用电磁场仿真技术和测试方法,对物探SQUID应用的射频干扰屏蔽方法与效果进行仿真和实验研究,并在微波暗室内和户外两种不同电磁环境下低温SQUID工作与射频屏蔽效能进行对比验证实验.

关键词：

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光电探测器的响应波长裁剪与性能优化

光电探测器的响应波长裁剪与性能优化

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第十届全国分子束外延学术会议

作者：张永刚顾溢周立陈星佑王凯李爱珍李好斯白音中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

本文以AlGaInAs四元系为例，介绍GSMBE材料生长和器件研制工作常规量子型光电探测器本质上仍是一种具有宽谱响应的器件，对于能量大于其禁带宽度的光子均可以有响应。光电探测器在长波端一般表现出锐截止特征，其截止波长入。取决于材... 详细信息

本文以AlGaInAs四元系为例，介绍GSMBE材料生长和器件研制工作常规量子型光电探测器本质上仍是一种具有宽谱响应的器件，对于能量大于其禁带宽度的光子均可以有响应。光电探测器在长波端一般表现出锐截止特征，其截止波长入。取决于材料的禁带宽度Eg，接近截止波长时响应急剧下降，此后探测器将无任何响应;在短波端光电探测器常呈现缓截止的特征，即响应随波长变短响应缓慢下降，下降速率根据材料和器件设计会有所变化，但一般不具有明显的截止波长。通过合理的设计，光电探测器的响应光谱范围和形状可以在一定范围内进行裁剪使之适应特定的探测要求，并充分抑制宽谱响应可能带来的干扰。以AlGaInP四元系及AlInP，InGaP三元系为例，选取合适的材料组分可以对探测器的响应波长进行裁剪使之满足特定要求。

关键词：光电探测器电子光谱性能优化波长分配

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多个Josephson结及SQUID器件性能测试系统与实验验证

多个Josephson结及SQUID器件性能测试系统与实验验证

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第十二届全国超导学术研讨会

作者：陈桦张国峰邱阳徐小峰王永良孔祥燕中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 20050

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Sr2IrO4薄膜的分子束外延生长及原位掺杂特性研究

Sr2IrO4薄膜的分子束外延生长及原位掺杂特性研究

引用

第十二届全国超导学术研讨会

作者：李明颖姚岐沈大伟中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

在过渡金属氧化物家族中,5d过渡金属氧化物具有独特的物理特性.由于其中复杂的电荷、轨道以及自旋等多自由度间的相互竞争和合作,这类材料体现出金属绝缘相变、非常规超导以及奇异拓扑等丰富有趣的物理行为.本报告将主要介绍我们利用分...

在过渡金属氧化物家族中,5d过渡金属氧化物具有独特的物理特性.由于其中复杂的电荷、轨道以及自旋等多自由度间的相互竞争和合作,这类材料体现出金属绝缘相变、非常规超导以及奇异拓扑等丰富有趣的物理行为.本报告将主要介绍我们利用分子束外延技术生长Sr2IrO4(100)高质量5d电子氧化物单晶薄膜,并同时对其进行原位掺杂和替代,从而有效调制其中的物理特性;此外,利用原位角分辨光电子能谱技术,我们可以直接探测薄膜内部的精细电子结构,从而为从微观机理研究这些材料中的物理特性提供了实验基础.

关键词：

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InP基InAlAs异变缓冲层上的2.7μm InAs量子阱激光器

InP基InAlAs异变缓冲层上的2.7μm InAs量子阱激光器

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第十届全国分子束外延学术会议

作者：曹远迎张永刚顾溢陈星佑周立李好斯白音中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

波长3μm左右的半导体激光器在分子光谱学,气体检测和医学诊断方面有许多重要的应用.对于该波段的激光器,通常是GaSb基结构的激光器.然而,InP基无锑结构的激光器与GaSb基结构的激光器相比有其自身优势,如衬底更便宜,工艺更成熟,导热性更... 详细信息

波长3μm左右的半导体激光器在分子光谱学,气体检测和医学诊断方面有许多重要的应用.对于该波段的激光器,通常是GaSb基结构的激光器.然而,InP基无锑结构的激光器与GaSb基结构的激光器相比有其自身优势,如衬底更便宜,工艺更成熟,导热性更好.在之前的工作中,本文描述了在InP基InAlAs异变缓冲层复合衬底上生长InAs/In0.53Ga0.47As量子阱,该量子阱室温光致发光波长达3.05μm.本文阐述了在InP基InxAl1-xAs数字递变缓冲层上生长InAs/In0.6Ga0.4As量子阱激光器.77K时,该激光器实现激射波长2.7μm,对应的阈值电流密度为145 A/cm2.在400 mA的连续注入电流下,激射功率超过5 mW.

关键词：量子阱激光器磷化铟基材料制造工艺结构分析外延材料

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