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第十二届全国超导学术研讨会

作者：邱隆清刘超董慧常宝林谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

在无屏蔽实验室环境中,我们搭建了一套基于低温超导量子干涉器件(SQUID)的4通道二阶梯度计系统用于极低场核磁共振及其成像(ULF-NMR/MRI)研究.为了提高测量的信噪比,采用了一对软铁屏蔽的永磁体作为预极化场,磁体中心磁场达0.65 T;为了...

在无屏蔽实验室环境中,我们搭建了一套基于低温超导量子干涉器件(SQUID)的4通道二阶梯度计系统用于极低场核磁共振及其成像(ULF-NMR/MRI)研究.为了提高测量的信噪比,采用了一对软铁屏蔽的永磁体作为预极化场,磁体中心磁场达0.65 T;为了精确快速地在永磁体和SQUID探测器之间传输样品,我们采用了一套电动执行器,,在传送距离为1m的情况下,传输时间可在300ms以内.

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超导纳米线单光子探测抖动分析

超导纳米线单光子探测抖动分析

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第十二届全国超导学术研讨会

作者：尤立星中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 中国科学院上海超导中心上海 200050

超导纳米线单光子探测(SNSPD)技术在过去10年间已经发展成为超导电子学的一个重要应用领域,其主要性能指标已经明显超越传统的半导体探测器件.本报告将介绍上海微系统所在SNSPD领域的研究进展.主要包括SNSPD器件研制,器件的性能表征以...

超导纳米线单光子探测(SNSPD)技术在过去10年间已经发展成为超导电子学的一个重要应用领域,其主要性能指标已经明显超越传统的半导体探测器件.本报告将介绍上海微系统所在SNSPD领域的研究进展.主要包括SNSPD器件研制,器件的性能表征以及系统集成应用(量子通信、测距及成像等).重点探讨SNSPD器件和系统的抖动起源,分析了信号信噪比对系统抖动的影响.

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张应变对Ge迁移率的改善

张应变对Ge迁移率的改善

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第十届全国分子束外延学术会议

作者：王凯龚谦周海飞康传振严进一柳庆博王庶民中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 曲阜师范大学物理工程学院曲阜273165 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 Department of Microtechnology Chalmers University of Techn

随着集成电路技术步入纳米级,一系列由于沟道微尺寸而引发的效应将影响晶体管性能.迁移率退化是其中最为严重的效应之一.本论文工作讨论了在InAIP虚拟衬底上生长张应变Ge，通过改变In组分获得了不同张应变Ge，并对张应变对Ge迁移率的影... 详细信息

随着集成电路技术步入纳米级,一系列由于沟道微尺寸而引发的效应将影响晶体管性能.迁移率退化是其中最为严重的效应之一.本论文工作讨论了在InAIP虚拟衬底上生长张应变Ge，通过改变In组分获得了不同张应变Ge，并对张应变对Ge迁移率的影响进行了研究。本文中所有样品均在V90气态源分子束外延设备上进行材料生长，其中As和P由AsH3和PH:经1000℃高温裂解获得，其束流大小由压力控制;In,Al,Ga都使用固态源，束流大小由温度进行精确控制。测试结果表明，随着InAIP中In组分的增大，Ge的张应变量随之增大，表明在InAIP虚拟衬底上生长Ge可以对其张应变量进行很好地控制;原子力显微镜测试结果表明即使Ge的张应变量达到2.0％，仍然能够保持二维生长和高质量的表面;霍尔测试结果表明Ge迁移率随着张应变量的增大而增大，显示出其在未来集成电路应用的良好前景。

关键词：集成电路半导体技术锗材料迁移率张应变量分子束外延

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超导磁测量数据采集系统的信号量化与电磁兼容特性研究

超导磁测量数据采集系统的信号量化与电磁兼容特性研究

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第十二届全国超导学术研讨会

作者：伍俊荣亮亮常凯侍文王永良孔祥燕谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 Joint Research Laboratory on Superconductivity & Bioelectronics Collaboration between CAS-Shanghai & FZJ

由SQUID构建的超导磁传感器需要与高性能的数据采集模块相匹配,才能充分发挥磁测量系统中超导磁传感器的极高灵敏度优势,其中量化精度和电磁兼容是评估超导磁测量数据采集系统性能的关键指标.本文基于新型的低温SBC(SQUID Bootstrap Cir...

由SQUID构建的超导磁传感器需要与高性能的数据采集模块相匹配,才能充分发挥磁测量系统中超导磁传感器的极高灵敏度优势,其中量化精度和电磁兼容是评估超导磁测量数据采集系统性能的关键指标.本文基于新型的低温SBC(SQUID Bootstrap Circuit)分别在超导屏蔽和磁屏蔽环境中对多种常见的数据采集模块的量化精度和电磁兼容进行了定性和定量分析.实验结果表明数据采集模块在无屏蔽环境下对SQUID的干扰以辐射为主,其中基于USB和PXI的数据采集设备在100Hz左右的低频段引入的干扰将SQUID本底噪声抬高2～3个数量级,而嵌入式数据采集设备Compact RIO对SQUID的干扰甚微.

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电压偏置下欠阻尼SQUID研究

电压偏置下欠阻尼SQUID研究

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第十二届全国超导学术研讨会

作者：刘超张懿张树林孔祥燕谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 德国于利希研究中心 PGI-8 于利希 52425

在电压偏置的直读电路下,我们研究了不同结旁路电阻RJ的低温SQUID,发现大RJ可以提高SQUID的磁通-电压转换系数(e)V/(e)Φ,进而抑制前置放大器的噪声贡献.当RJ增大到一定值时,由于(e)V/(e)Φ已经足够高,可以用一个商业化的前置放大器(比...

在电压偏置的直读电路下,我们研究了不同结旁路电阻RJ的低温SQUID,发现大RJ可以提高SQUID的磁通-电压转换系数(e)V/(e)Φ,进而抑制前置放大器的噪声贡献.当RJ增大到一定值时,由于(e)V/(e)Φ已经足够高,可以用一个商业化的前置放大器(比如AD797)直接读出SQUID,而无须再借助任何附加的反馈电路比如APF、SBC等来抑制前置放大器的噪声.

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高质量大面积石墨烯的化学气相沉积制备方法研究

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物理学报 2012年第3期61卷 510-516页

作者：王文荣。周玉修李铁王跃林谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术重点实验室传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

石墨烯因其奇特的能带结构和优异的物理性能而成为近年来研究的热点,但是目前单层石墨烯的质量与尺寸制约了其实际应用的发展.本文采用常压化学气相沉积(CVD)方法,基于铜箔衬底,利用甲烷作为碳源制备了高质量大面积的单层与多层石墨烯.... 详细信息

石墨烯因其奇特的能带结构和优异的物理性能而成为近年来研究的热点,但是目前单层石墨烯的质量与尺寸制约了其实际应用的发展.本文采用常压化学气相沉积(CVD)方法,基于铜箔衬底,利用甲烷作为碳源制备了高质量大面积的单层与多层石墨烯.研究发现:高温度、稀薄的甲烷浓度、较短的生长时间以及合适的气体流速是制备高质量、大面积石墨烯的关键.Raman光谱、扫描电子显微镜、透射电子显微镜等表征结果表明:制备的石墨烯主要为单层,仅铜箔晶界处有少量多层石墨烯.电学测试表明CVD制备的石墨烯在低温时呈现出较明显的类半导体特性;薄膜电阻随外界磁场的增大而减小.

关键词：石墨烯化学气相沉积 Raman光谱电学性能

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石墨烯与高温超导材料的界面接触研究

石墨烯与高温超导材料的界面接触研究

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第十二届全国超导学术研讨会

作者：孙秋娟谢晓明李巧高波张学富陈吉吴天如邓联文胡照文王浩敏中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中南大学物理与电子学院长沙410000

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机械合金化合成高临界场Sm_(0.85)Nd_(0.15)FeAsO_(0.85)F_(0.15)超导体(英文)

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无机材料学报 2012年第4期27卷 439-444页

作者：方爱华谢晓明黄富强江绵恒中国科学院上海硅酸盐研究所中国科学院能量转换材料重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

通过采用机械合金化方法制备的高活性的粉体,可以高度可重复性地制备高质量的铁基超导材料Sm0.85Nd0.15FeAsO0.85F0.15.样品具有高临界温度Tc(约51 K)和高临界场Hc2(达到377 T).由WHH公式确定的Hc2显著高于常规固相方法制备样品的典型值... 详细信息

通过采用机械合金化方法制备的高活性的粉体,可以高度可重复性地制备高质量的铁基超导材料Sm0.85Nd0.15FeAsO0.85F0.15.样品具有高临界温度Tc(约51 K)和高临界场Hc2(达到377 T).由WHH公式确定的Hc2显著高于常规固相方法制备样品的典型值(<200 T).高的临界磁场Hc2与样品微结构有很大关系.机械合金化处理的原始粉体包含大量的晶格畸变缺陷,在快速升温和低温退火制备的小晶粒陶瓷样品中这些缺陷会部分残留,因此形成有效的磁通钉扎,从而提高样品的临界场.

关键词：铁基超导体高临界场机械合金化低温烧结

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电场对InGaAs/InP量子阱内激子束缚能的影响

电场对InGaAs/InP量子阱内激子束缚能的影响

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第十九届全国半导体物理学术会议

作者：王文娟王海龙龚谦封松林曲阜师范大学物理工程学院曲阜 273165 信息功能材料国家重点实验室(中国科学院上海微系统与信息技术研究所) 上海200050

低维半导体材料在新型半导体器件开发上具有广阔的应用前景,近年来一直为半导体科学技术领域的研究热点.从理论上研究低维半导体材料的电子态,对新型半导体器件设计具有重要的理论价值和指导意义[1-3].

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外电场对Ga1-xInxNyAS1-y/GaAs量子阱中施主结合能的影响

外电场对Ga1-xInxNyAS1-y/GaAs量子阱中施主结合能的影响

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第十九届全国半导体物理学术会议

作者：陈茜王海龙龚谦封松林曲阜师范大学物理工程学院曲阜 273165 信息功能材料国家重点实验室(中国科学院上海微系统与信息技术研究所) 上海200050

GaInNAs材料与常见的GaAs材料晶格常数匹配,并且具有随氮(N)浓度增加能带间隙减小的特性,已经成功应用于边发射激光器、垂直腔面发射激光器和半导体光放大器等[1].

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