检索结果-内蒙古大学图书馆

InP衬底上晶格匹配四元系InAlGaAs的气态源分子束外延生长(英文)

红外与毫米波学报 2012年第5期31卷 385-388,398页

作者：王凯顾溢方祥周立李成李好斯白音张永刚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室上海200083

采用高分辨率X射线衍射摇摆曲线、光致发光以及霍尔测试对采用气态源分子束外延方法生长的四元系In-AlGaAs材料性质进行了表征。摇摆曲线结果表明,根据计算数据所生长的InAlGaAs样品与InP衬底基本匹配.光致发光和霍尔测试结果显示随着A... 详细信息

采用高分辨率X射线衍射摇摆曲线、光致发光以及霍尔测试对采用气态源分子束外延方法生长的四元系In-AlGaAs材料性质进行了表征。摇摆曲线结果表明,根据计算数据所生长的InAlGaAs样品与InP衬底基本匹配.光致发光和霍尔测试结果显示随着Al组分的增加,样品的光致发光强度、电子浓度和迁移率均有所下降.样品的三族元素组分由光致发光及X射线衍射实验获得,测试结果与设计值吻合,Al组分的实验设计值与测试结果的关系提供了一种实用的精确控制组分的方法.

关键词：化合物半导体分子束外延 InAlGaAs X射线衍射光致发光

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基于低温超导量子干涉器件的脑听觉激励磁场探测

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物理学报 2012年第2期61卷 158-162页

作者：张树林刘扬波曾佳王永良孔祥燕谢晓明信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院研究生院北京100049

本文利用磁屏蔽室和二阶轴向梯度计抑制环境磁场噪声,建立了单通道脑磁探测系统,并对不用声音频率下脑听觉激励磁场N100m响应进行了初步探测.结果显示,1000Hz音频和100ms持续声音激励下,N100m峰值的典型强度约为0.4 pT.在低的声音频率... 详细信息

本文利用磁屏蔽室和二阶轴向梯度计抑制环境磁场噪声,建立了单通道脑磁探测系统,并对不用声音频率下脑听觉激励磁场N100m响应进行了初步探测.结果显示,1000Hz音频和100ms持续声音激励下,N100m峰值的典型强度约为0.4 pT.在低的声音频率激励下,N100m峰出现延时,100 Hz和1000 Hz之间的延时差别达到25 ms.相比于1 kHz特定频率的声音激励,1—4 kHz随机变频下的N100m峰幅度增强,出现了数毫秒的延时.本研究为下一步利用软件梯度计进行多通道脑磁系统和听觉机理研究奠定了一定的基础.

关键词：超导量子干涉器件脑磁梯度计听觉激励

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深亚微米器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响

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物理学报 2012年第5期61卷 92-96页

作者：胡志远刘张李邵华张正选宁冰旭毕大炜陈明邹世昌中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

研究了180 nm互补金属氧化物半导体技术下的器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响.在其他条件如辐照偏置、器件结构等不变的情况下,氧化层中的陷阱电荷决定了辐照响应.浅沟槽隔离氧化层中的陷阱电荷使得寄生的侧壁沟道反型,从而形成大的... 详细信息

研究了180 nm互补金属氧化物半导体技术下的器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响.在其他条件如辐照偏置、器件结构等不变的情况下,氧化层中的陷阱电荷决定了辐照响应.浅沟槽隔离氧化层中的陷阱电荷使得寄生的侧壁沟道反型,从而形成大的关态泄漏电流.这个电流与沟道长度存在一定的关系,沟道长度越短,泄漏电流越大.首次发现辐照会增强这个电流的沟道长度调制效应,从而使得器件进一步退化.

关键词：总剂量效应浅沟槽隔离氧化层陷阱正电荷金属氧化物半导体场效晶体管

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高性能InAs/GaAs量子点外腔激光器

高性能InAs/GaAs量子点外腔激光器

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第十届全国分子束外延学术会议

作者：严进一龚谦曹春芳成若海王海龙中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海市200050 曲阜师范大学物理工程学院山东省曲阜市273165

可调谐外腔半导体激光器通过引入外部光学反馈介质,利用普通的法布里-珀罗腔半导体激光器即可可以实现单模激射和激射波长可调的激光器,作为光源,其具有单一频率、窄线宽、波长可大范围调谐、结构紧凑等诸多优点,在光传感、精密光谱测... 详细信息

可调谐外腔半导体激光器通过引入外部光学反馈介质,利用普通的法布里-珀罗腔半导体激光器即可可以实现单模激射和激射波长可调的激光器,作为光源,其具有单一频率、窄线宽、波长可大范围调谐、结构紧凑等诸多优点,在光传感、精密光谱测量等领域有广泛的应用.与量子阱激光器相比较,量子点激光器作为外腔激光器的增益介质时可获得更宽的波长调谐范围和更低的阈值电流密度.本文中,利用InAs/GaAs量子点激光器和Littrow小型化外腔装置构建了InAs/GaAs量子点外腔激光器,并对其进行了稳定性测试,单模粗调谐测试,无跳模连续调谐测试分析.

关键词：砷化铟量子点砷化镓量子点外腔激光器制造工艺分子束外延设备稳定性分析

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采用水基原子层沉积工艺在石墨烯上沉积Al_2O_3介质薄膜研究

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无机材料学报 2012年第9期27卷 956-960页

作者：张有为万里程新红王中健夏超曹铎贾婷婷俞跃辉温州大学物理与电子信息工程学院温州325035 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用水基原子层沉积(H2O-based ALD)方法在石墨烯上直接生长Al2O3介质薄膜,研究了Al2O3成核机理.原子力显微镜(AFM)对Al2O3薄膜微观形态分析表明,沉积温度决定着Al2O3在石墨烯表面的成核生长情况,物理吸附在石墨烯表面的水分子是Al2O3... 详细信息

采用水基原子层沉积(H2O-based ALD)方法在石墨烯上直接生长Al2O3介质薄膜,研究了Al2O3成核机理.原子力显微镜(AFM)对Al2O3薄膜微观形态分析表明,沉积温度决定着Al2O3在石墨烯表面的成核生长情况,物理吸附在石墨烯表面的水分子是Al2O3成核的关键,物理吸附水分子的均匀性直接影响Al2O3薄膜的均匀性.在适当的温度窗口(100～130℃),Al2O3可以均匀沉积在石墨烯上,AFM测得Al2O3薄膜表面均方根粗糙度(RMS)为0.26 nm,X射线光电子能谱(XPS)表面分析与元素深度剖析表明,120℃下在石墨烯表面沉积的Al2O3薄膜中O和Al元素的含量比约为1.5.拉曼光谱分析表明,采用H2O-based ALD工艺沉积栅介质薄膜不会降低石墨烯晶体质量.

关键词：石墨烯原子层沉积 Al2O3薄膜

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航天先进红外探测器组件技术及应用

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红外与激光工程 2012年第12期41卷 3129-3140页

作者：龚海梅邵秀梅李向阳李言谨张永刚张燕刘大福王小坤李雪方家熊中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室上海200083 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室上海200083 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

随着航天遥感应用对探测目标的波段特性、空间分辨率、辐射分辨率、时间分辨率以及可靠性等要求的不断提高,作为航天遥感仪器核心部件的光电探测器,需要向扩展波长范围、提高光电性能、改善光谱形状、减小光敏元尺寸、增加器件规模、提... 详细信息

随着航天遥感应用对探测目标的波段特性、空间分辨率、辐射分辨率、时间分辨率以及可靠性等要求的不断提高,作为航天遥感仪器核心部件的光电探测器,需要向扩展波长范围、提高光电性能、改善光谱形状、减小光敏元尺寸、增加器件规模、提高寿命和可靠性等方向发展。文中从空间多光谱红外探测器、光谱定量化、红外焦平面探测器可靠性封装、新型短波红外探测器等4个方面,介绍了中国近年来研制的一系列航天先进红外探测器组件所涉及的基础研究工作及其在气象卫星等航天应用的进展。

关键词：红外探测器 HgCdTe InGaAs 航天应用

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1.5mm腔长InAs/InP量子点激光器镜面外腔光谱特性研究

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半导体光电 2012年第5期33卷 636-640,644页

作者：柳庆博龚谦曹春芳汪洋岳丽严进一成若海中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

基于研制的1.5mm腔长InAs/InP共面条状量子点激光器,搭建了其镜面外腔结构,并对其光谱特性进行了测试,获得了镜面外腔周期性调制光谱,并在周期性的产生、多模激射和模式随电流的变化等方面对其光谱特性进行了分析研究。相比以前为获得... 详细信息

基于研制的1.5mm腔长InAs/InP共面条状量子点激光器,搭建了其镜面外腔结构,并对其光谱特性进行了测试,获得了镜面外腔周期性调制光谱,并在周期性的产生、多模激射和模式随电流的变化等方面对其光谱特性进行了分析研究。相比以前为获得单模使用的超短腔长超短外腔量子阱激光器,长腔长InAs/InP量子点激光器表现出较小的模式压缩比,更容易发生多模激射。

关键词：镜面外腔 InAs InP量子点激光器外腔调制模式压缩

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蓝宝石化学机械抛光液作用机制研究

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上海第二工业大学学报 2013年第3期30卷 187-196页

作者：邢星王良咏刘卫丽谢华清宋志棠蒋莉邵群程继熊世伟刘洪涛上海第二工业大学城市建设与环境工程学院上海201209 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 上海新安纳电子科技有限公司上海201506 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司上海201203

研究了以硅溶胶为磨料的蓝宝石化学机械抛光液在抛光过程中的作用机制。表征了抛光液在单次抛光及循环抛光前后的pH值、密度、粘度、固质量分数、zeta电位、粒径分布、金属元素浓度、大颗粒数目以及二氧化硅颗粒的形貌变化等。结合抛光... 详细信息

研究了以硅溶胶为磨料的蓝宝石化学机械抛光液在抛光过程中的作用机制。表征了抛光液在单次抛光及循环抛光前后的pH值、密度、粘度、固质量分数、zeta电位、粒径分布、金属元素浓度、大颗粒数目以及二氧化硅颗粒的形貌变化等。结合抛光前后离心液上清液的金属元素质量分数与沉淀物红外光谱图,发现在抛光过程中蓝宝石与二氧化硅颗粒表面发生固-固相反应,生成硬度较小的硅铝酸盐,促进蓝宝石表面的化学抛光。通过分析重复使用的抛光液对去除速率和表面质量的影响,进一步确认蓝宝石化学机械抛光液中氧化硅与氧化铝的固-固作用机制。

关键词：化学机械抛光（CMP）蓝宝石机制

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InAs/InP量子点激光器制备工艺研究

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光电子．激光 2012年第1期23卷 94-97页

作者：李世国龚谦王瑞春王新中陈朋曹春芳岳丽刘庆博深圳信息职业技术学院电子通信技术系深圳518029 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

报道了通过化学湿刻蚀制备窄脊条InAs/InP量子点激光器的方法。激光器脊条主要是由半导体材料InGaAs和InP构成,通过选择合适配比的H2SO4∶H2O2∶H2O和H3PO4∶HCl腐蚀溶液和InP的腐蚀方向,在室温下选择性地腐蚀了InGaAs和InP,获得了窄脊... 详细信息

报道了通过化学湿刻蚀制备窄脊条InAs/InP量子点激光器的方法。激光器脊条主要是由半导体材料InGaAs和InP构成,通过选择合适配比的H2SO4∶H2O2∶H2O和H3PO4∶HCl腐蚀溶液和InP的腐蚀方向,在室温下选择性地腐蚀了InGaAs和InP,获得了窄脊条宽为6μm的量子点激光器。此激光器能够在室温连续波模式下工作,激射波长在光纤通信重要窗口1.55μm,单面最大输出功率超过12mW。

关键词：激光器量子点腐蚀溶液腐蚀方向

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分子束外延生长Bi2Te3薄膜

分子束外延生长Bi2Te3薄膜

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第十届全国分子束外延学术会议

作者：王庶民宋禹忻信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050 查尔姆斯理工大学微技术与纳科学系瑞典哥德堡查尔姆斯理工大学微技术与纳科学系瑞典哥德堡

本文详细介绍利用MBE使用不同衬底生长BizTe薄膜的研究，衬底包括具有不同晶格取向的Si,GaAs,GaN等。在特定生长窗口中，可以制得单晶BizTe薄膜。薄膜的生长开始于二维成核，然后聚合成三维岛。对于具有六角对称的(111)取向的衬底，通... 详细信息

本文详细介绍利用MBE使用不同衬底生长BizTe薄膜的研究，衬底包括具有不同晶格取向的Si,GaAs,GaN等。在特定生长窗口中，可以制得单晶BizTe薄膜。薄膜的生长开始于二维成核，然后聚合成三维岛。对于具有六角对称的(111)取向的衬底，通过螺旋生长的方式会形成三角型岛。依据于三角型岛和螺旋的取向，两个相遇的三维岛可能会平滑接合或者互相排斥从而在相遇处产生形如沟壑的结构缺陷。

关键词：化合物半导体热电材料分子束外延生长

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