检索结果-内蒙古大学图书馆

光学学报 2012年第7期32卷 148-153页

作者：卢启景吴根柱陈达如刘军刘旭安周沛浙江师范大学光学信息研究所浙江金华321004 浙江师范大学与浙江大学光学联合研究实验室浙江杭州310058 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

表面等离子体激元(SPP)微腔具有很高的品质因子和极小的模式体积,在光电子器件研究方面具有重要的应用价值。采用有限元法对表面等离子体激元的金属覆盖介质微盘谐振腔进行理论模拟,研究考虑微盘底半径、介质层厚度及金属膜厚度等参数... 详细信息

表面等离子体激元(SPP)微腔具有很高的品质因子和极小的模式体积,在光电子器件研究方面具有重要的应用价值。采用有限元法对表面等离子体激元的金属覆盖介质微盘谐振腔进行理论模拟,研究考虑微盘底半径、介质层厚度及金属膜厚度等参数对微盘表面等离子体模的品质因子及模体积的影响。研究表明,在光通信波段1550nm附近获得高品质因子(1000以上),极低模式体积的表面等离子体微盘。最后研究了利用优化设计的微盘进行折射率传感的应用,获得了高达300nm/RIU的折射率传感灵敏度。

关键词：激光技术光学微腔回音壁模式表面等离子体激元有限元法

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基于SCR的SOI ESD保护器件研究

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功能材料与器件学报 2012年第1期18卷 17-22页

作者：夏超王中健何大伟徐大伟张有为程新红俞跃辉中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

本文具体分析了体硅SCR(晶闸管)和SOI SCR的抗静电特性,利用软件Sentaurus对埋氧层3μm,顶层硅1.5μm的SOI衬底上的SCR进行了工艺和性能仿真,仿真结果达到了4.5kV的抗静电能力,符合目前人体模型的标准2KV。研究发现,注入剂量(9*13-8*14c... 详细信息

本文具体分析了体硅SCR(晶闸管)和SOI SCR的抗静电特性,利用软件Sentaurus对埋氧层3μm,顶层硅1.5μm的SOI衬底上的SCR进行了工艺和性能仿真,仿真结果达到了4.5kV的抗静电能力,符合目前人体模型的标准2KV。研究发现,注入剂量(9*13-8*14cm-2)增加会引起触发电压减小,维持电压升高;Trench长度(0.8-1.1μm)增加,器件触发电压几乎不变,维持电压降低;场氧化层长度(2-4.5μm)增加,触发电压和维持电压均增加。

关键词： SOI ESD SCR Sentaurus 保护器件

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退火对Zn扩散的影响及其在InGaAs探测器中的应用

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红外与激光工程 2012年第2期41卷 279-283页

作者：邓洪海魏鹏朱耀明李淘夏辉邵秀梅李雪缪国庆张永刚龚海梅中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室上海200083 中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室上海200083 中国科学院研究生院北京100049 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室吉林长春130033 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用闭管扩散方式,对不同结构的异质结外延材料In0.81Al0.19As/In0.81Ga0.19As、InAs0.6P0.4/In0.8Ga0.2As、InP/In0.53Ga0.47As实现了Zn元素的P型掺杂,采用扫描电容显微技术(SCM)和二次离子质谱(SIMS)研究了在芯片制备中高温快速热退火(RTP)处理环节对p-n结结深的影响。结果表明:由于在这3种异质结外延材料中掺杂的Zn元素并未完全激活,导致扩散深度明显大于p-n结结深;高温快速热退火处理并不会显著影响结深的变化,扩散完成后的p-n结深度可以近似为器件最终的p-n结结深;计算了530℃下Zn在In0.81Al0.19As、InAs0.6P0.4、InP中的扩散系数D分别为1.327×10-12cm2/s、1.341 10-12cm2/s、1.067×10-12cm2/s。

关键词：快速热退火 Zn扩散结深 InGaAs

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超导纳米线单光子探测器动态电感研究

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低温与超导 2012年第11期40卷 18-21页

作者：巫君杰尤立星刘登宽陈思井信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院大学北京100190

单光子探测是一种量子极限光信号的检测技术,超导纳米线单光子探测器(Superconducting NanowireSingle-Photon Detector,SNSPD)作为一种新型的单光子探测技术,在量子通信等众多领域有着广阔的应用前景。SNSPD的动态电感直接决定了SNSPD... 详细信息

单光子探测是一种量子极限光信号的检测技术,超导纳米线单光子探测器(Superconducting NanowireSingle-Photon Detector,SNSPD)作为一种新型的单光子探测技术,在量子通信等众多领域有着广阔的应用前景。SNSPD的动态电感直接决定了SNSPD的工作速度。文中对SNSPD动态电感的特性和测试方法做了详细的研究,成功实现了低温下SNSPD动态电感的测试,并对结果进行了分析处理和研究。利用BCS理论对动态电感随温度、偏置电流变化的特性进行分析计算,并与实际测量结果对比讨论,为未来如何降低SNSPD动态电感、提高其性能的研究工作提供了参考依据。

关键词：单光子探测超导纳米线单光子探测动态电感 BCS理论

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一种具有掉电数据保持功能的触发器设计

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微电子学与计算机 2012年第7期29卷 4-7页

作者：张怡云陈后鹏王倩许伟义金荣宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

提出了一种用相变器件作为可擦写存储单元的具有掉电数据保持功能的触发器电路.该触发器由四部分组成:具有恢复掉电时数据的双置位端触发器DFF、上电掉电监测置位电路(Power On/Off Reset)、相变存储单元的读写电路(Read Write)和Reset/... 详细信息

提出了一种用相变器件作为可擦写存储单元的具有掉电数据保持功能的触发器电路.该触发器由四部分组成:具有恢复掉电时数据的双置位端触发器DFF、上电掉电监测置位电路(Power On/Off Reset)、相变存储单元的读写电路(Read Write)和Reset/Set信号产生电路,使之在掉电时能够保存数据,并在上电时完成数据恢复.基于0.13μm SMIC标准CMOS工艺,采用Candence软件对触发器进行仿真,掉电速度达到0.15μs/V的情况下,上电时可以在30ns内恢复掉电时的数据状态.

关键词：相变存储器掉电数据保持触发器双置位

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基于相变存储器的音频存储播放系统设计

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功能材料与器件学报 2012年第4期18卷 327-331页

作者：许林海陈小刚宋志棠陈一峰丁晟中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

基于研制成功的国内第一款8M-bits相变存储器(8Mb PCM)试验芯片,设计了一套音频存储播放系统。该系统主要由8Mb PCM芯片,现场可编程门阵列(FPGA),音频输入输出电路以及音频转换电路模块(AD73311芯片)等部分构成。系统以FPGA为核心处理单... 详细信息

基于研制成功的国内第一款8M-bits相变存储器(8Mb PCM)试验芯片,设计了一套音频存储播放系统。该系统主要由8Mb PCM芯片,现场可编程门阵列(FPGA),音频输入输出电路以及音频转换电路模块(AD73311芯片)等部分构成。系统以FPGA为核心处理单元,录音时将音频输入信号进行模/数(A/D)转换并存储到8Mb PCM中,播放时将8Mb PCM中存储的信息读出并通过数/模(D/A)转换成音频信号输出。板上验证结果表明:该系统的音频存储播放效果良好,可对8Mb PCM进行多次正确的读写操作。由此证实了8Mb PCM性能的完整性以及可靠性,为相变存储器后续的商业化应用打下坚实的基础。

关键词：相变存储器音频存储播放系统 AD73311 FPGA Verilog硬件描述语言

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高电源抑制比低温漂带隙基准源设计

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微电子学 2012年第1期42卷 34-37页

作者：胡佳俊陈后鹏蔡道林宋志棠周桂华中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

根据带隙基准的基本原理,结合含三条支路负反馈的电流源,设计了一种高阶补偿的带隙基准源电路。实现了对温度的2阶补偿和3阶补偿,获得了一种高电源抑制比、低温漂、不受电源变化影响的电压基准源。设计采用0.35μm CMOS工艺,仿真结果表... 详细信息

根据带隙基准的基本原理,结合含三条支路负反馈的电流源,设计了一种高阶补偿的带隙基准源电路。实现了对温度的2阶补偿和3阶补偿,获得了一种高电源抑制比、低温漂、不受电源变化影响的电压基准源。设计采用0.35μm CMOS工艺,仿真结果表明,在-40℃～125℃温度范围内,输出电压的温度系数为7.70×10-7/℃,在1kHz时,电源抑制比为-82.3dB。

关键词：带隙基准源负反馈电源抑制比 BiCMOS

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相变存储器中灵敏放大器的设计

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微电子学 2012年第6期42卷 762-764,769页

作者：张怡云陈后鹏龚亮王倩蔡道林陈一峰宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

设计了一种用于相变存储器(PCRAM)的全对称差分灵敏放大器电路,该电路采用预充电技术、限幅电路和防抖动电阻,具有抗干扰能力强、灵活性好、系统性失配小等优点。基于0.13μm CMOS工艺,设计了一个8Mb的PCRAM测试芯片,并进行了流片。测... 详细信息

设计了一种用于相变存储器(PCRAM)的全对称差分灵敏放大器电路,该电路采用预充电技术、限幅电路和防抖动电阻,具有抗干扰能力强、灵活性好、系统性失配小等优点。基于0.13μm CMOS工艺,设计了一个8Mb的PCRAM测试芯片,并进行了流片。测试结果表明,设计的电路在读周期为2μs时能达到很好的读出效果。

关键词：相变存储器灵敏放大器预充电

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一种相变存储器读出电路及其快速读出方法

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微电子学 2012年第1期42卷 21-24页

作者：李喜宋志棠陈后鹏富聪丁晟中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

针对大规模相变存储器所具有的寄生电容大、可能出现读破坏现象等特性,提出了一种读电压模式的相变存储器读出电路及其快速读出方法。基于SMIC 40nm CMOS工艺的仿真结果表明,在2.5V电源电压下,该方法可以在90ns的读出周期内正确读出位... 详细信息

针对大规模相变存储器所具有的寄生电容大、可能出现读破坏现象等特性,提出了一种读电压模式的相变存储器读出电路及其快速读出方法。基于SMIC 40nm CMOS工艺的仿真结果表明,在2.5V电源电压下,该方法可以在90ns的读出周期内正确读出位线寄生电容为30pF的存储单元数据,同时,该读出周期随位线寄生电容的减小而减小。另外,该方法可以和传统的Burst等快速读出方式并存,非常适用于带数据预读机制的高端存储器技术。

关键词：相变存储器读出电路灵敏放大器

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一种瞬态响应增强的片上LDO系统设计

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微电子学 2012年第3期42卷 376-379页

作者：胡佳俊陈后鹏王倩蔡道林宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

分析了传统LDO提高系统稳定性及瞬态响应的局限性,提出了一种片内集成补偿技术。该技术无需外挂电容和等效串联电阻(ESR),即可使系统在全负载范围内保持稳定,并具有良好的纹波抑制能力。仿真结果表明,系统空载时静态电流为46μA,且能提... 详细信息

分析了传统LDO提高系统稳定性及瞬态响应的局限性,提出了一种片内集成补偿技术。该技术无需外挂电容和等效串联电阻(ESR),即可使系统在全负载范围内保持稳定,并具有良好的纹波抑制能力。仿真结果表明,系统空载时静态电流为46μA,且能提供200mA的最大负载电流,低频电源抑制比达到-65.6dB,启动时间只有16μs,在输出电容为10pF、负载电流以200mA/2μs突变时,最大下冲电压为120mV,上冲电压为160mV。

关键词： LDO 瞬态响应相位裕度

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