检索结果-内蒙古大学图书馆

半导体技术 2021年第5期46卷 365-369,401页

作者：陈玲丽刘畅刘强赵兰天刘晨鹤朱宇波俞文杰中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049

在全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)衬底上制备了一种新型隧穿场效应晶体管(TFET),并用相似的工艺方法制备金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)作为比较,分别基于两种器件构成基本电流镜电路,研究两种器件的基本性能和电路电流传输能力。两... 详细信息

在全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)衬底上制备了一种新型隧穿场效应晶体管(TFET),并用相似的工艺方法制备金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)作为比较,分别基于两种器件构成基本电流镜电路,研究两种器件的基本性能和电路电流传输能力。两种器件均采用杂质分凝技术制备,在源漏与沟道的界面形成了陡峭的杂质分布,TFET也因此具备陡峭的隧穿结。两种器件的载流子输运机制不同,因此温度对电流的影响也不同,此外,不同于MOSFET的单极导通行为,TFET由于源漏两端均为重掺杂,表现为强烈的双极导通行为。测试发现,由TFET构成的电流镜电路的电流传输比高达97%,高于一般的TFET电流镜和实验中用于对比的MOSFET电流镜,且TFET电流镜的输出阻抗较高,约1 MΩ。这为TFET的研发与简单应用提供了参考。

关键词：隧穿场效应晶体管(TFET) 杂质分凝电流镜电流传输比双极导通行为

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双模冗余汉明码的设计与验证

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哈尔滨工业大学学报 2020年第10期52卷 161-166页

作者：乔冰涛吴旭凡刘海静王正董业民信息功能材料国家重点实验室(中国科学院上海微系统与信息技术研究所) 上海200050 材料与光电研究中心(中国科学院大学) 北京100049

集成电路芯片工作在电磁环境复杂的空间环境中,容易受到高能粒子的影响发生软错误.在芯片内,存储单元所占面积超过一半以上,对存储器单元进行加固是提升芯片可靠性的重要途径之一.因此,本文对汉明码做出改进,提出了一种双模冗余汉明码,... 详细信息

集成电路芯片工作在电磁环境复杂的空间环境中,容易受到高能粒子的影响发生软错误.在芯片内,存储单元所占面积超过一半以上,对存储器单元进行加固是提升芯片可靠性的重要途径之一.因此,本文对汉明码做出改进,提出了一种双模冗余汉明码,该方法能够修正存储单元中出现的一位翻转和两位翻转.首先,对汉明码编码模块进行逻辑优化,有效减少了编码电路的延迟,再把该模块生成的校验码进行双模冗余处理,作为双模冗余汉明码编码模块的输出.之后依据汉明码解码规则分别对每份校验码与原码的组合进行处理,得到修正后的数据位与两位翻转标志位.通过分析发现当两位翻转未同时发生在原码内时,可以依据两位错误标志位的值得到正确的输出.最后,采用版图分割技术消除了两位原码同时翻转的情况,进一步提高了存储器的可靠性.在本文中,分别实现了字长为4、8和11的双模冗余汉明码,并与其它修正码的性能进行比较,结果表明:它们的电路延迟分别为8位字长汉明码的85%、89%和96%,低于两位修正能力的BCH码.

关键词：双模冗余纠错码高可靠存储器两位翻转

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130 nm加固SOI工艺的抗辐射控制芯片设计

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国防科技大学学报 2020年第3期42卷 17-21页

作者：常永伟余超刘海静王正董业民中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049

针对航天电子系统控制模块对集成电路的抗辐射需求,在130 nm部分耗尽绝缘体上硅(Silicon-On-Insulator,SOI)工艺平台上设计了一款基于比例、积分、微分控制算法的控制芯片,并分别从晶圆材料、制备工艺、版图设计的角度对芯片进行了总剂... 详细信息

针对航天电子系统控制模块对集成电路的抗辐射需求,在130 nm部分耗尽绝缘体上硅(Silicon-On-Insulator,SOI)工艺平台上设计了一款基于比例、积分、微分控制算法的控制芯片,并分别从晶圆材料、制备工艺、版图设计的角度对芯片进行了总剂量辐射加固。流片测试结果表明,芯片的调节精度达到了5×10-12,与进口抗辐射现场可编程门阵列水平相当;在长时间频率稳定度方面,芯片优于国外抗辐射现场可编程门阵列。对芯片进行的模拟辐照试验表明,芯片在300 krad(Si)的总剂量辐照条件下依然可以正常工作。

关键词：集成电路抗辐射绝缘体上硅控制芯片

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基于超导纳米线单光子探测技术的成像研究进展

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激光与光电子学进展 2021年第10期58卷 62-77页

作者：周慧张成俊吕超林张兴雨李浩尤立星王镇中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息学功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院超导电子学卓越创新中心上海200050 中国科学院大学材料科学与光电子工程中心北京100049

超导纳米线单光子探测器(SNSPD)作为一种新型的单光子探测器,相比于传统半导体或超导单光子探测器,具有高探测效率、低暗计数率、低时间抖动、高计数率和宽谱响应等优势。这使其可以应用于诸多领域,如量子通信、量子光源表征、激光测距... 详细信息

超导纳米线单光子探测器(SNSPD)作为一种新型的单光子探测器,相比于传统半导体或超导单光子探测器,具有高探测效率、低暗计数率、低时间抖动、高计数率和宽谱响应等优势。这使其可以应用于诸多领域,如量子通信、量子光源表征、激光测距、成像雷达等。本文将对SNSPD做一个简单的介绍,并着重介绍SNSPD在成像方面的应用进展,主要包括不同成像原理的介绍以及基于这些原理的SNSPD成像技术的最新研究进展,并对基于SNSPD成像的未来发展趋势进行了展望。

关键词：成像系统雷达单光子探测器超导纳米线单光子探测器

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中国超导电子学研究及应用进展

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物理学报 2021年第1期70卷 178-203页

作者：李春光王佳吴云王旭孙亮董慧高波李浩尤立星林志荣任洁李婧张文贺青王轶文韦联福孙汉聪王华兵李劲劲屈继峰中国科学院物理研究所超导国家重点实验室北京100190 中国科学院超导电子学卓越创新中心上海200050 松山湖材料实验室东莞523808 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院紫金山天文台南京210023 西南交通大学信息科学与技术学院信息量子技术实验室成都610031 西南交通大学物理科学与技术学院量子光电实验室成都610031 东华大学理学院光子学实验室上海210031 南京大学超导电子学研究所南京210093 紫金山实验室南京211111 中国计量科学研究院北京100029

超导体的发现距今已有近110年了,高温超导体的发现也已经有30多年了.超导材料的电子学应用在最近一二十年取得了突破性进展.高温超导微波器件显示了比传统微波器件更优越的性能,已经在移动通信、雷达和一些特殊通信系统中取得了规模化应... 详细信息

超导体的发现距今已有近110年了,高温超导体的发现也已经有30多年了.超导材料的电子学应用在最近一二十年取得了突破性进展.高温超导微波器件显示了比传统微波器件更优越的性能,已经在移动通信、雷达和一些特殊通信系统中取得了规模化应用.超导量子干涉器件以其磁场和电流测量的超高灵敏度,成为地质勘探、磁共振成像和生物磁成像等领域不可替代的手段.包括超导隧道结混频器、超导热电子混频器、超导转变沿探测器及超导单光子探测器等在内的超导传感器/探测器可以探测全波段的电磁波及各种宇宙辐射,具有接近量子极限的超高灵敏度,在地球物理、天体物理、量子信息技术、材料科学及生物医学等众多前沿领域发挥越来越重要的作用.超导参量放大器已经成为实现超导量子计算的关键器件.超导集成电路技术已被列入国际器件与系统技术路线图,成为后摩尔时代微电子领域的前沿阵地之一.在计量科学中,超导约瑟夫森效应及约瑟夫森结阵器件被广泛应用于量子电压基准和国际单位制基本单位的重新定义中.在当前的量子信息技术热潮中,超导电子学扮演重要角色,同时量子热潮也大力推动了超导电子学的发展.本文主要对近几年我国超导电子学研究和应用的现状与进展进行概括总结.

关键词：超导电子学高温超导微波器件超导传感器/探测器超导数字电路

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材料基因组技术在集成电路材料研究中的应用进展

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功能材料与器件学报 2022年第4期28卷 356-370页

作者：孔维悦林紫威李鑫黄琪朱雷中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 上海集成电路材料研究院上海200050

传统材料科学的“试错式”研究方法日益成为限制现代材料工业发展与突破的瓶颈,而材料基因组技术作为材料科学研究的革新技术,可以加速新材料的研发和应用,缩减研究成本和周期,成为当下研究的热点。本文围绕材料基因组技术,介绍了高通... 详细信息

传统材料科学的“试错式”研究方法日益成为限制现代材料工业发展与突破的瓶颈,而材料基因组技术作为材料科学研究的革新技术,可以加速新材料的研发和应用,缩减研究成本和周期,成为当下研究的热点。本文围绕材料基因组技术,介绍了高通量实验、高通量计算与材料数据库三大要素的主要内容和典型研究范例。重点梳理了材料基因组技术在集成电路领域的研究进展,指出了集成电路材料研发的复杂性和广阔的可优化空间,提出了要结合材料基因组技术加速集成电路材料的创新,促进未来集成电路材料领域的发展。

关键词：材料基因组高通量实验高通量计算材料数据库集成电路材料

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中红外微环谐振器及应用的研究进展

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激光与光电子学进展 2020年第23期57卷 44-57页

作者：胡玉洁王书晓汪大伟余明斌蔡艳中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049

微环谐振器是实现硅基光电子片上集成的重要器件.为此,从微环谐振器的原理出发,主要描述了中红外领域高品质因子微环谐振器的研究意义与发展历程,分析了不同材料体系微环谐振器在工艺和实际应用上的优缺点;介绍了基于Vernier效应的级联... 详细信息

微环谐振器是实现硅基光电子片上集成的重要器件.为此,从微环谐振器的原理出发,主要描述了中红外领域高品质因子微环谐振器的研究意义与发展历程,分析了不同材料体系微环谐振器在工艺和实际应用上的优缺点;介绍了基于Vernier效应的级联微环谐振器在中红外波段的传感和滤波领域的理论研究;并回顾了中红外克尔光学频率梳的产生原理和发展历程,在理论上证明了锗条形波导微环可以在泵浦功率低至80 mW的情况下实现带宽接近一个倍频程的宽谱光频梳,并对研究进展进行了总结和展望.

关键词：集成光学硅基光电子微环谐振器 Vernier效应光学频率梳

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六方氮化硼在二维晶体微电子器件中的应用与进展

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微纳电子技术 2021年第2期58卷 107-113+157页

作者：高渤翔方茹吴天如中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院大学中国电子科技集团公司第三十二研究所

六方氮化硼(h-BN)因其优异的性能和潜在的应用前景而受到广泛关注。着眼于h-BN在微电子器件领域中的发展与应用,总结了近年来国内外通过化学气相沉积(CVD)方法实现hBN的高质量、大规模可控制备及图形化的代表性工作。围绕h-BN的高介电... 详细信息

六方氮化硼(h-BN)因其优异的性能和潜在的应用前景而受到广泛关注。着眼于h-BN在微电子器件领域中的发展与应用,总结了近年来国内外通过化学气相沉积(CVD)方法实现hBN的高质量、大规模可控制备及图形化的代表性工作。围绕h-BN的高介电常数、原子级平滑表面、高导热性和高稳定性,重点介绍了h-BN在二维晶体介电衬底、半导体器件热管理平台以及集成电路封装材料中应用的研究进展,并简述了将h-BN应用于隧穿器件和存储阵列的研究成果。最后,对h-BN在新型微电子器件大规模应用的已有成果进行总结,并展望了该领域未来的研究与发展方向。

关键词：二维(2D)材料六方氮化硼(h-BN) 微电子器件介电衬底隧穿器件存储阵列封装材料

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相变存储器多值存储的微观结构研究

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功能材料与器件学报 2022年第2期28卷 115-120页

作者：刘成赵进辛天骄郑勇辉宋文雄成岩华东师范大学极化材料与器件教育部重点实验室上海200241 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

相变存储器(PCRAM)由于高速、高密度、低功耗及可持续微缩等优点,成为新型半导体存储器的研究热点。本文采用磁控溅射的方法和标准半导体工艺制备了Ge_(2)Sb_(2)Te_(5)(GST)基PCRAM器件,通过不同电压脉冲宽度的电阻-电压(R-V)测试发现... 详细信息

相变存储器(PCRAM)由于高速、高密度、低功耗及可持续微缩等优点,成为新型半导体存储器的研究热点。本文采用磁控溅射的方法和标准半导体工艺制备了Ge_(2)Sb_(2)Te_(5)(GST)基PCRAM器件,通过不同电压脉冲宽度的电阻-电压(R-V)测试发现该器件具有多值存储特性。采用透射电子显微镜(TEM)分析了不同阻值状态的微观结构,发现伴随着PCRAM器件电阻值的降低,GST材料层由底电极处开始晶化,并最终延伸至上电极,完成非晶态(a-phase)向晶态的结构转变。结果表明,PCRAM器件的多阻态来源于晶态(非晶态)区域的体积占比不同。

关键词：相变存储器多值存储 GST 微结构演化

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基于单晶压电薄膜异质衬底的射频声波滤波器研究进展

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导航与控制 2022年第3期21卷 29-39页

作者：张师斌吴进波张丽萍郑鹏程姚虎林欧欣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049

在5G及未来6G无线通信系统中,射频(Radio Frequency,RF)前端技术被视为一项关键技术。而射频滤波器作为射频前端的核心部件,具有频率选择以及抑制干扰信号的功能,基于压电效应的声波滤波器凭借其性能、体积、工艺等优势已成为移动射频... 详细信息

在5G及未来6G无线通信系统中,射频(Radio Frequency,RF)前端技术被视为一项关键技术。而射频滤波器作为射频前端的核心部件,具有频率选择以及抑制干扰信号的功能,基于压电效应的声波滤波器凭借其性能、体积、工艺等优势已成为移动射频前端的主流选择。近几年,随着异质集成材料制备技术的突破,基于单晶压电薄膜异质衬底(如LiTaO_(3)/SiO_(2)/Si)的声表面波、体声波与板波滤波器技术屡有突破。结合当下研究热点,依次对单晶压电薄膜异质衬底的制备、声波器件仿真、声表面波与板波滤波器技术的研究进展进行介绍与分析,并对未来声波滤波器的发展做出展望。

关键词： 5G通信射频前端声波滤波器单晶压电薄膜异质衬底

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