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第十届全国光电技术学术交流会

作者：龚海梅邵秀梅李向阳李言谨张永刚张燕刘大福王小坤李雪方家熊中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

随着航天遥感应用对探测目标的波段特性、空间分辨率、辐射分辨率、时间分辨率以及可靠性等要求的不断提高,作为航天遥感仪器核心部件的光电探测器,需要向扩展波长范围、提高光电性能、改善光谱形状、减小光敏元尺寸、增加器件规模、提... 详细信息

随着航天遥感应用对探测目标的波段特性、空间分辨率、辐射分辨率、时间分辨率以及可靠性等要求的不断提高,作为航天遥感仪器核心部件的光电探测器,需要向扩展波长范围、提高光电性能、改善光谱形状、减小光敏元尺寸、增加器件规模、提高寿命和可靠性等方向发展。本文从空间多光谱红外探测器、光谱定量化、红外焦平面探测器可靠性封装、新型短波红外探测器等四个方面,介绍了我国近年来研制的一系列航天先进红外探测器组件所涉及的基础研究工作及其在气象卫星等航天应用的进展。

关键词：红外探测器 HgCdTe InGaAs 航天应用

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纳米SiO2抛光液的制备及其在蓝宝石CMP中的应用

纳米SiO2抛光液的制备及其在蓝宝石CMP中的应用

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第十三届全国LED产业发展与技术研讨会

作者：张泽芳刘卫丽宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050 上海新安纳电子科技有限公司上海201506

本文制备了一种纳米氧化硅抛光液，采用扫描电镜、激光粒度仪、大颗粒计数仪对其进行了表征.进而研究了其在蓝宝石表面的抛光性能，采用FRT、Candela、原子力显微镜等对抛光后的表面进行了表征.结果表明制备的纳米氧化硅抛光液在LED蓝... 详细信息

本文制备了一种纳米氧化硅抛光液，采用扫描电镜、激光粒度仪、大颗粒计数仪对其进行了表征.进而研究了其在蓝宝石表面的抛光性能，采用FRT、Candela、原子力显微镜等对抛光后的表面进行了表征.结果表明制备的纳米氧化硅抛光液在LED蓝宝石衬底表面具有优异的抛光性能，达到了无划伤、无腐蚀坑，且粗糙度小于0.2 nm的光滑表面.

关键词：纳米二氧化硅抛光液发光二极管蓝宝石衬底性能表征

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中红外半导体光源和探测器件及其应用

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红外与激光工程 2011年第10期40卷 1846-1850页

作者：张永刚顾溢李耀耀李爱珍王凯李成李好斯白音张晓钧中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

中红外波段(2～25μm)的光电子器件在气体检测、红外遥感和红外对抗等领域都有重要应用。介绍了笔者近年来在中红外波段的半导体光源和光电探测器方面的工作进展,包括InP基量子级联激光器、2μm波段锑化物量子阱激光器和波长扩展InGaAs... 详细信息

中红外波段(2～25μm)的光电子器件在气体检测、红外遥感和红外对抗等领域都有重要应用。介绍了笔者近年来在中红外波段的半导体光源和光电探测器方面的工作进展,包括InP基量子级联激光器、2μm波段锑化物量子阱激光器和波长扩展InGaAs光伏型探测器的研制以及器件应用方面的工作。这些光电子器件所用高性能材料都是笔者采用分子束外延方法生长的,中红外分布反馈量子级联激光器可在高于室温下脉冲工作,2μm波段锑化物量子阱激光器可在80℃下连续波工作,室温工作InGaAs探测器的截止波长扩展已至2.9μm。这些器件已在气体检测等方面获得应用。

关键词：中红外半导体激光器光电探测器化合物半导体分子束外延

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采用InGaAs或InAlAs缓冲层的高In组分InGaAs探测器结构材料特性(英文)

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红外与毫米波学报 2011年第6期30卷 481-485页

作者：顾溢王凯李成方祥曹远迎张永刚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室上海200083 中国科学院研究生院北京100039

利用气态源分子束外延在InP衬底上生长了具有InxGa1-xAs或InxAl1-xAs连续递变缓冲层的高In组分In0.78Ga0.22As探测器结构.通过原子力显微镜、X射线衍射、透射电子显微镜和光致发光对它们的特性进行了表征和比较.结果表明,具有InxGa1-xAs... 详细信息

利用气态源分子束外延在InP衬底上生长了具有InxGa1-xAs或InxAl1-xAs连续递变缓冲层的高In组分In0.78Ga0.22As探测器结构.通过原子力显微镜、X射线衍射、透射电子显微镜和光致发光对它们的特性进行了表征和比较.结果表明,具有InxGa1-xAs或InxAl1-xAs缓冲层的结构都能获得较平整的表面;具有InxGa1-xAs缓冲层的探测器结构表现出更大的剩余应力;具有InxAl1-xAs缓冲层的探测器结构所观察到的光学特性更优.

关键词：光电探测器高In组分缓冲层 InGaAs InAlAs

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低温超导量子干涉器件及其在生物磁信号探测中的应用

低温超导量子干涉器件及其在生物磁信号探测中的应用

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第七届中国科学院“百人学者论坛”学术年会

作者：孔祥燕信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海市长宁区长宁路865号200050 Joint Research Laboratory on Superconductivity and Bioelectronics Collaboration between CAS-Shanghai and FZJ Shanghai 200050 China

生物磁场(如心磁,脑磁,胎儿心磁)信号极其微弱,是地球磁场的百万份之一甚至更低.低温超导量子干涉器件(SQUID: Superconducting Quantum Interference Device)是目前为止已知的最灵敏的磁传感器,磁场灵敏度达几个fT/√Hz,是生物磁信号...

生物磁场(如心磁,脑磁,胎儿心磁)信号极其微弱,是地球磁场的百万份之一甚至更低.低温超导量子干涉器件(SQUID: Superconducting Quantum Interference Device)是目前为止已知的最灵敏的磁传感器,磁场灵敏度达几个fT/√Hz,是生物磁信号探测中唯一的选择.除了高灵敏度的磁传感器,环境噪声抑制是生物磁信号提权和探测的关键.国际上大多采用梯度计技术和磁屏蔽技术.另外,还需要结合先进的信号处理算法,提取生物磁探测中的有效参数,为临床应用提供有价值的医学信息.

关键词：

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基于0．13μm工艺的8Mb相变存储器

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固体电子学研究与进展 2011年第6期31卷 601-605页

作者：蔡道林陈后鹏王倩丁晟富聪陈一峰宏潇李喜陈小刚刘波宋志棠封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

采用0.13μm工艺,4层金属布线,在标准CMOS技术的基础上增加3张掩膜制备了一款8Mb相变存储器。1.2V的低压NMOS管作为单元选通器,单元大小为50F2。外围电路采用3.3V工作电压的CMOS电路。Set和Reset操作电流分别为0.4mA和2mA。读出操作的... 详细信息

采用0.13μm工艺,4层金属布线,在标准CMOS技术的基础上增加3张掩膜制备了一款8Mb相变存储器。1.2V的低压NMOS管作为单元选通器,单元大小为50F2。外围电路采用3.3V工作电压的CMOS电路。Set和Reset操作电流分别为0.4mA和2mA。读出操作的电流为10μA,芯片疲劳特性次数超过了108。

关键词：相变存储器互补型金属氧化物半导体电路疲劳特性

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单晶菱形CeOHCO_3片状物的制备及其向CeO_2的热转换(英文)

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无机化学学报 2011年第4期27卷 759-763页

作者：张泽芳俞磊刘卫丽宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

以硝酸铈铵和尿素为反应物,γ-氨丙基三乙氧基硅烷(KH550)为助剂,通过沉淀反应制得了单晶菱形CeOHCO3片状物。然后将CeOHCO3在600℃空气气氛中灼烧获得了菱形CeO2。通过XRD和SEM对反应物中是否含有KH550助剂所得的产物进行了分析,结果... 详细信息

以硝酸铈铵和尿素为反应物,γ-氨丙基三乙氧基硅烷(KH550)为助剂,通过沉淀反应制得了单晶菱形CeOHCO3片状物。然后将CeOHCO3在600℃空气气氛中灼烧获得了菱形CeO2。通过XRD和SEM对反应物中是否含有KH550助剂所得的产物进行了分析,结果发现只有含有KH550才能获得菱形CeOHCO3片状物,并且在灼烧过程中产物的形貌仍保持菱形。然后采用TEM对菱形CeOHCO3和CeO2进行了表征,结果发现CeOHCO3为单晶产物而灼烧后所得的CeO2为多晶产物。

关键词： CeOHCO3 CeO2 KH550 菱形沉淀法

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台面型InP/InGaAs PIN光伏探测器的p-InP低阻欧姆接触

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红外与激光工程 2011年第12期40卷 2309-2313页

作者：魏鹏朱耀明邓洪海唐恒敬李雪张永刚龚海梅中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室上海200083 中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室上海200083 中国科学院研究生院北京100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

研究了电子束蒸发淀积的非合金膜系Au/Pt/Ti/p-InP(2×1018cm-3)接触的物理特性,通过450℃、4 min的快速退火,获得了欧姆接触,其比接触电阻为7.3×10-5Wcm2。接触电极退火后,采用离子溅射法淀积加厚电极Cr/Au。利用俄歇电子能谱... 详细信息

研究了电子束蒸发淀积的非合金膜系Au/Pt/Ti/p-InP(2×1018cm-3)接触的物理特性,通过450℃、4 min的快速退火,获得了欧姆接触,其比接触电阻为7.3×10-5Wcm2。接触电极退火后,采用离子溅射法淀积加厚电极Cr/Au。利用俄歇电子能谱(AES)进行深度剖面分析,表明Pt层能够相对有效地阻挡Au和InP的互扩散,但仍会有少部分的Au穿透Pt层进入InP层;金属与p-InP低阻欧姆接触的形成由界面处金属和InP的化学及其冶金学反应决定,并且少量的In-Au化合物的形成可能有益于接触特性的改善。结果表明,采用合适的退火条件可以制备出低阻、表面光滑、可靠性高的欧姆接触。

关键词：传输线模型(TLM) p-InP 欧姆接触比接触电阻 AES

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侧向腐蚀在1.3μm垂直腔面发射激光器中的应用

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固体电子学研究与进展 2011年第3期31卷 305-309页

作者：刘成曹春芳劳燕锋吴惠桢中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 上海空间电源研究所上海200233

研究了广泛应用于垂直腔面发射激光器(VCSEL)等Ⅲ-Ⅴ族光电子器件制作的侧向腐蚀技术。分别采用C_6H_8O_7:H_2O_2溶液、HCl:H_3PO_4溶液对InAlAs材料、InP材料进行了侧向腐蚀试验,获得了较稳定的速率,并对其腐蚀机制和晶向选择性进行了... 详细信息

研究了广泛应用于垂直腔面发射激光器(VCSEL)等Ⅲ-Ⅴ族光电子器件制作的侧向腐蚀技术。分别采用C_6H_8O_7:H_2O_2溶液、HCl:H_3PO_4溶液对InAlAs材料、InP材料进行了侧向腐蚀试验,获得了较稳定的速率,并对其腐蚀机制和晶向选择性进行了分析。采用侧向腐蚀技术制备了电流限制孔径分别为11μm和5μm的1.3μm垂直腔面发射激光器,器件在室温下均连续激射。

关键词：侧向腐蚀电流限制孔径垂直腔面发射激光器

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硅离子注入引入纳米晶对SIMOX材料进行总剂量辐射加固

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功能材料与器件学报 2011年第2期17卷 223-226页

作者：王茹张正选俞文杰毕大炜陈明刘张李宁冰旭信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所

本研究工作采用硅离子注入和高温退火工艺对SIMOX材料的BOX层进行总剂量辐射加固。辐射实验结果证明了该加固方法的有效性。PL谱和HRTEM图像显示了硅离子注入及退火工艺在材料的BOX层中引入了Si纳米晶,形成电子陷阱能级,有效俘获电子,... 详细信息

本研究工作采用硅离子注入和高温退火工艺对SIMOX材料的BOX层进行总剂量辐射加固。辐射实验结果证明了该加固方法的有效性。PL谱和HRTEM图像显示了硅离子注入及退火工艺在材料的BOX层中引入了Si纳米晶,形成电子陷阱能级,有效俘获电子,从而提高了材料BOX层的抗总剂量辐射能力。

关键词：绝缘体上硅注氧隔离总剂量辐照纳米晶

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