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硅基低位错密度锗薄膜的RPCVD外延生长
硅基低位错密度锗薄膜的RPCVD外延生长
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第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
作者： 卞剑涛 薛忠营 陈达 刘林杰 姜海涛 狄增峰 张苗 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海 200050
采用减压化学气相沉积(RPCVD)设备在Si衬底上外延生长了Ge薄膜材料，通过TEM、XRD、Raman和AFM等测试分析表明，Ge外延薄膜具有很好的晶体质量和0.17％的张应变，低温缓冲Ge薄层对位错密度起到了很好的控制。采用低的生长温度有利于获... 详细信息
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多通道无屏蔽低温超导心磁图仪关键技术研究
多通道无屏蔽低温超导心磁图仪关键技术研究
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第十一届全国超导学术研讨会暨超导发现100周年纪念大会
作者： 孔祥燕 张树林 曾佳 邱阳 刘明 王永良 谢晓明 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050
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相变存储器研究现状及产业化关键技术开发
相变存储器研究现状及产业化关键技术开发
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第十届全国固体缺陷学术研讨会
作者： 刘波 宋志棠 封松林 吴关平 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050
相变存储器由于具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、可多级存储、高速读取、抗辐照、耐高低温、抗振动、抗电子干扰和制造工艺简单等优点,被认为最有可能取代目前的FLASH、DRAM和SRAM而成为未来半导体存储器主流产品.本文...
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超薄高温超导单晶的制备及其本征结特性
超薄高温超导单晶的制备及其本征结特性
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第十一届全国超导学术研讨会暨超导发现100周年纪念大会
作者： 王兴 尤立星 谢晓明 江绵恒 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海 200050
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基于嵌入式系统的数字化超导量子干涉器件硬件模拟器
基于嵌入式系统的数字化超导量子干涉器件硬件模拟器
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第十一届全国超导学术研讨会暨超导发现100周年纪念大会
作者： 伍俊 荣亮亮 千永良 常凯 谢晓明 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海 200050
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超导单光子探测的光耦合结构与特性研究
超导单光子探测的光耦合结构与特性研究
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第十一届全国超导学术研讨会暨超导发现100周年纪念大会
作者： 刘登宽 陈思井 尤立星 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海 200050
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无屏蔽心磁测量中的梯度补偿技术研究
无屏蔽心磁测量中的梯度补偿技术研究
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第十一届全国超导学术研讨会暨超导发现100周年纪念大会
作者： 曾佳 张树林 邱阳 刘明 李华 王永良 孔祥燕 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海 200050
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MgO单晶上NbN薄膜的制备与性能研究
MgO单晶上NbN薄膜的制备与性能研究
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第十一届全国超导学术研讨会暨超导发现100周年纪念大会
作者： 张露 尤立星 彭炜 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海 200050
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SOI ESD保护器件研究
SOI ESD保护器件研究
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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
作者： 夏超 王中健 何大伟 徐大伟 张有为 程新红 俞跃辉 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050
本文具体分析了体硅SCR(晶闸管)和SOI SCR的抗静电特性，利用软件Sentaurus对埋氧层3μm.顶层硅1.5μm的SOI衬底上的SCR进行了工艺和性能仿真，仿真结果达到了4.5 kV的抗静电能力，符合目前人体模型的标准2 kV。研究发现，注入剂量(9... 详细信息
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超导纳米线单光子探测系统性能研究
超导纳米线单光子探测系统性能研究
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第十一届全国超导学术研讨会暨超导发现100周年纪念大会
作者： 陈思井 刘登宽 尤立星 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海 200050
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