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检索条件"机构=中国科学院上海微系统信息与技术研究所信息功能材料国家重点实验室"
684 条 记 录,以下是421-430 订阅
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薄膜SOI上大于600V高压LDMOS器件的研制
薄膜SOI上大于600V高压LDMOS器件的研制
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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
作者: 王中健 程新红 夏超 徐大伟 俞跃辉 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室 上海200050
本文介绍了薄膜SOI上大于600V高压LDMOS器件的器件结构,并对设计的器件工艺和性能进行仿真分析,结果表明:对器件形貌进行SEM电镜分析可知,器件场氧部分形貌正常,场氧化减薄后剩余顶层硅部分均一性较好,保持在0.36 Nm附近,波动值... 详细信息
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超导单光子探测技术及量子通信演示
超导单光子探测技术及量子通信演示
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第十一届全国超导学术研讨会暨超导发现100周年纪念大会
作者: 尤立星 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海 200050
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SQUID平面三轴磁强计间串扰的定量标定及消除方法研究
SQUID平面三轴磁强计间串扰的定量标定及消除方法研究
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第十一届全国超导学术研讨会暨超导发现100周年纪念大会
作者: 张树林 曾佳 王永良 孔祥燕 谢晓明 信息功能材料国家重点实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050
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无屏蔽心磁测量中的心磁信号成像研究
无屏蔽心磁测量中的心磁信号成像研究
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第十一届全国超导学术研讨会暨超导发现100周年纪念大会
作者: 邱阳 李华 曾佳 张树林 刘明 王永良 孔祥燕 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海 200050
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用于InP基DHBT制备的GaAs_(0.51)Sb_(0.49)湿法腐蚀研究(英文)
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电子器件 2011年 第1期34卷 12-16页
作者: 孙浩 齐鸣 艾立鹍 徐安怀 滕腾 朱福英 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 中国科学院研究生院 北京100049
介绍了采用基于柠檬酸、硫酸和磷酸的腐蚀溶液对气态分子束外延生长的InP衬底上GaAs0.51Sb0.49湿法腐蚀研究工作。对不同体积比的腐蚀溶液的腐蚀速率和表面粗糙度进行了研究。和硫酸及磷酸基腐蚀液相比,柠檬酸/双氧水腐蚀液的腐蚀速率... 详细信息
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超薄插入层对顶层SiGe薄膜的影响
超薄插入层对顶层SiGe薄膜的影响
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第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
作者: 陈达 刘林杰 薛忠营 魏星 狄增峰 张苗 信息功能材料国家重点实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050 兰州大学物理科学与技术学院兰州 730000 信息功能材料国家重点实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050
研究了SiGe/UT-SiGe/Si异质结材料在H离子注入下UT-SiGe插入层对顶层SiGe薄膜的影响。在减压气相外延(RPCVD)生长的SiGe/ut-SiGe/Si异质结材料的基础上,采用H离子注入,随后进行500℃、600℃、700℃热处理。实验结果表明,1)超薄SiGe层... 详细信息
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KxSr1-xCu4S3和K(CuxFe1-x)4S3的物性研究
KxSr1-xCu4S3和K(CuxFe1-x)4S3的物性研究
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第十一届全国超导学术研讨会暨超导发现100周年纪念大会
作者: 李明颖 方爱华 谢晓明 黄富强 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海 2000501 中国科学院上海硅酸盐研究所能量转换材料重点实验室上海 2000502
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HfTaO高k栅介质薄膜的离子束制备及表征
HfTaO高k栅介质薄膜的离子束制备及表征
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第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
作者: 余涛 陈静 罗杰馨 柴展 伍青青 吴雪梅 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海 200050 苏州大学物理系江苏苏州 215006 苏州大学江苏省薄膜材料重点实验室江苏苏州 215006 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海 200050
利用双离子束沉积系统在P(100)型Si基上制备了不同Ta含量的Hf1-xTaxO薄膜.其中,Ta/[Hf+Ta]的原子百分比分别为15%、26%、33%、45%、55%。研究结果显示,Ta的掺入可有效提升HfO2的结晶温度,并优化其电学性质。尤其是当Ta含量达到4... 详细信息
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利用RPCVD制备高质量应变SiGe薄膜
利用RPCVD制备高质量应变SiGe薄膜
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第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
作者: 陈达 贾晓云 高晓强 刘肃 张苗 兰州大学物理科学与技术学院电子材料研究所 兰州 730000 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050 兰州大学物理科学与技术学院电子材料研究所 兰州 730000 信息功能材料国家重点实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050
硅锗作为新型微电子材料,近年来引起了人们广泛的关注与研究。以二氯硅烷(DCS)和锗烷(CeH4)为源,利用RPCVD在125mm硅片衬底上制备了高质量的锗硅合金薄膜。通过高分辨透射电子显微镜、高分辨X射线衍射、二次离子质谱等测试表征,研究... 详细信息
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NiW基底上金属氧化物缓冲层界面应力及其厚度效应
NiW基底上金属氧化物缓冲层界面应力及其厚度效应
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第十一届全国超导学术研讨会暨超导发现100周年纪念大会
作者: 范峰 鲁玉明 刘志勇 应利良 蔡传兵 上海大学超导及应用技术研究中心 上海大学上海200444中国 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050中国
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