检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2010年第1期30卷 23-26,68页

作者：艾立鹍徐安怀孙浩朱福英齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

设计并生长了一种新的InGaP/GaAs/InGaP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入n+-InGaP插入层结构,以解决InGaP/GaAs/InGaP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题。采用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过优化生长条件,获得了高质... 详细信息

设计并生长了一种新的InGaP/GaAs/InGaP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入n+-InGaP插入层结构,以解决InGaP/GaAs/InGaP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题。采用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过优化生长条件,获得了高质量外延材料,成功地生长出带有n+-InGaP插入层结构的GaAs基InGaP/GaAs/InGaP DHBT结构材料。采用常规的湿法腐蚀工艺,研制出发射极面积为100μm×100μm的新型结构InGaP/GaAs/InGaP DHBT器件。直流特性测试的结果表明,所设计的集电结带有n+-InGaP插入层的InGaP/GaAs/InGaP DHBT器件开启电压约为0.15V,反向击穿电压达到16V,与传统的单异质结InGaP/GaAs HBT相比,反向击穿电压提高了一倍,能够满足低损耗、较高功率器件与电路制作的要求。

关键词：双异质结双极晶体管气态源分子束外延砷化镓

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基于RSJ模型的SBC器件数值模拟研究

基于RSJ模型的SBC器件数值模拟研究

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第十一届全国超导学术研讨会暨超导发现100周年纪念大会

作者：王会武王永良董慧张懿谢晓明 Joint Research Laboratory on Superconductivity and Bioelectronics Collaboration between CAS-Shanghai and FZJ Joint Research Laboratory on Superconductivity and Bioelectronics Collaboration between CAS-Shanghai and FZJ Peter Grünberg Institute (PGI-8)Forschungszentrum Jülich (FZJ)Jülich 52425Germany 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

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InAs/GaAs量子点激光器结温研究

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半导体光电 2010年第6期31卷 866-869页

作者：高山李世国陈朋杨海东徐承福曹春芳龚谦中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

对利用气源分子束外延(GSMBE)技术生长的InAs/GaAs量子点激光器的工作结温进行了研究,结温的测试是基于量子点激光器的温度升高会导致Fabry-Perot(F-P)腔的腔模移动。在20℃脉冲工作模式下,当脉冲注入电流的占空比从1%变化到准连续波(95... 详细信息

对利用气源分子束外延(GSMBE)技术生长的InAs/GaAs量子点激光器的工作结温进行了研究,结温的测试是基于量子点激光器的温度升高会导致Fabry-Perot(F-P)腔的腔模移动。在20℃脉冲工作模式下,当脉冲注入电流的占空比从1%变化到准连续波(95%),InAs/GaAs量子点激光器的结温升高了23.9℃,在相同的测试条件下,商用量子阱激光器的结温仅升高了3.5℃。InAs/GaAs量子点激光器的结温比商用量子阱激光器的结温升高了6.8倍,这是影响激光器性能的一个重要参数。

关键词：结温量子点激光器腔模移动气源分子柬外延

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分子束外延PbTe薄膜中的红外光电导探测器

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红外与激光工程 2010年第1期39卷 22-25页

作者：何展魏晓东蔡春锋斯剑霄吴惠桢张永刚方维政戴宁浙江大学物理系现代光学仪器国家重点实验室浙江杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083

中红外探测器在诸多领域具有重要的应用,目前,我国在PbTe、PbSe中红外探测器方面研制较少,通过分子束外延技术、以CdZnTe(111)为衬底生长PbTe外延薄膜,XRD表征表明:PbTe外延薄膜是单晶薄膜,且与衬底具有相同(111)取向,光吸收光谱测量得... 详细信息

中红外探测器在诸多领域具有重要的应用,目前,我国在PbTe、PbSe中红外探测器方面研制较少,通过分子束外延技术、以CdZnTe(111)为衬底生长PbTe外延薄膜,XRD表征表明:PbTe外延薄膜是单晶薄膜,且与衬底具有相同(111)取向,光吸收光谱测量得到外延薄膜的光学吸收边位于3.875μm,光致发光谱显示发光波长位于3.66μm,蓝移是红外激光泵浦导致PbTe温升所致。以PbTe为有源区材料、ZnS薄膜作为钝化和绝缘材料,用AuPtTi合金作为欧姆接触电极,研制了PbTe光电导中红外探测器原型器件,探测器在78K温度下的光电导响应在红外波段的1.5～5.5μm,探测率约为2×109cm·Hz1/2·W-1。最后,对影响探测器工作的因素和改进方法进行了讨论。

关键词： PbTe 中红外探测器光电导响应

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InP基RTD特性的数值模拟研究

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固体电子学研究与进展 2010年第3期30卷 317-322,332页

作者：王伟孙浩孙晓玮徐安怀齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院研究生院北京100039 信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用基于非平衡格林函数法(Non-equilibrium Green’s function,NEGF)量子输运模拟器WinGreen对InP基共振隧穿二极管(RTD)的输运特性进行了计算模拟,分析了Ga0.47In0.53As/AlAs以及富In组份势阱双势垒结构几何参数、散射参数、发射区和... 详细信息

采用基于非平衡格林函数法(Non-equilibrium Green’s function,NEGF)量子输运模拟器WinGreen对InP基共振隧穿二极管(RTD)的输运特性进行了计算模拟,分析了Ga0.47In0.53As/AlAs以及富In组份势阱双势垒结构几何参数、散射参数、发射区和集电区掺杂浓度以及隔离层厚度对InP基RTD器件I-V特性的影响。模拟结果表明,采用富In组份的势阱有利于降低峰值电压,提高发射区掺杂浓度有利于增大峰值电流密度,而散射则会导致谷值电流增大,影响其负阻特性。

关键词：磷化铟基共振隧穿二极管电流-电压特性非平衡格林函数法散射

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反转胶lift-Off工艺制备堆栈电感

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功能材料与器件学报 2010年第2期16卷 109-113页

作者：何大伟程新红王中健徐大朋宋朝瑞俞跃辉中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

本文采用反转胶lift-off工艺,对比分析了金属淀积方式、光刻胶的选择及光刻胶烘干时间对金属剥离效果的影响,制备出最小线宽4μm,最小间距4μm,厚度为1μm,线宽误差小于0.5μm的金属线条,并最终实现具有三层金属的堆栈电感,经光学显微... 详细信息

本文采用反转胶lift-off工艺,对比分析了金属淀积方式、光刻胶的选择及光刻胶烘干时间对金属剥离效果的影响,制备出最小线宽4μm,最小间距4μm,厚度为1μm,线宽误差小于0.5μm的金属线条,并最终实现具有三层金属的堆栈电感,经光学显微镜和台阶仪观测表明,器件外观良好成品率高。

关键词：堆栈电感 lift—off 金属剥离反转胶 SOI

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气源分子束外延生长的InAs/InP(100)量子点激光器

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半导体技术 2010年第9期35卷 871-873页

作者：杨海东李世国陈朋高山徐承福龚谦中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

利用气源分子束外延(GSMBE)技术,在InP(100)衬底上生长InAs量子点激光器。有源区包含5层InAs量子点,每层量子点的平均尺寸是2.9 nm和76 nm,面密度在1010cm-2左右,势垒层为InGaAsP。室温下量子点的光致发光中心波长在1.55μm,发光峰半高... 详细信息

利用气源分子束外延(GSMBE)技术,在InP(100)衬底上生长InAs量子点激光器。有源区包含5层InAs量子点,每层量子点的平均尺寸是2.9 nm和76 nm,面密度在1010cm-2左右,势垒层为InGaAsP。室温下量子点的光致发光中心波长在1.55μm,发光峰半高宽为108 meV。通过化学湿法腐蚀制备双沟道8μm宽脊条激光器,在20℃连续波工作模式下,腔长为0.7 mm的激光器的阈值电流为143 mA(2.5 kA/cm2),器件的激射中心波长在1.55μm。由于量子点尺寸的非均匀性,在大电流注入,激光器的激射谱展宽。器件单端面最大输出功率为27 mW,功率斜率效率为130 mW/A。

关键词：激光器自组织量子点光谱气源分子束外延

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采用金-金键合工艺制备垂直结构氮化镓发光二极管(英文)

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功能材料与器件学报 2010年第3期16卷 276-280页

作者：欧欣陈静武爱民孙家胤信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

本文在采用键合工艺制备以硅为衬底的氮化镓发光二极管的工艺过程中分别尝试采用金-金,金-硅,铝-铝,铝-硅键合对。研究发现金-金键合对得到了100%的键合面积。键合工艺结束后,采用KrF激光分离氮化镓发光二极管的器件层和原蓝宝石衬底。... 详细信息

本文在采用键合工艺制备以硅为衬底的氮化镓发光二极管的工艺过程中分别尝试采用金-金,金-硅,铝-铝,铝-硅键合对。研究发现金-金键合对得到了100%的键合面积。键合工艺结束后,采用KrF激光分离氮化镓发光二极管的器件层和原蓝宝石衬底。通过超声波造影仪(SAM)和扫描电子显微镜(SEM)研究了金属键合工艺过程中相应的键合机制。

关键词：晶圆键合氮化镓发光二极管剥离

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Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管评估SOI材料抗总剂量辐射能力的比较

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功能材料与器件学报 2010年第3期16卷 271-275页

作者：毕大炜张正选张帅中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

本文用辐射加固和未加固的SIMOX(注氧隔离)SOI(绝缘体上硅)材料制作了Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管,并进行了X射线总剂量辐射实验。结果表明加固工艺能有效提高SIMOXSOI材料的抗总剂量辐射能力,同时也表明Pseudo-MOS晶体管能有效的替代... 详细信息

本文用辐射加固和未加固的SIMOX(注氧隔离)SOI(绝缘体上硅)材料制作了Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管,并进行了X射线总剂量辐射实验。结果表明加固工艺能有效提高SIMOXSOI材料的抗总剂量辐射能力,同时也表明Pseudo-MOS晶体管能有效的替代nMOS晶体管对SOI材料的抗总剂量辐射能力进行评估。

关键词： SIMOX SOI 总剂量辐射效应 Pseudo—MOS晶体管

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高温DC SQUID探针显微镜在半导体样品检测中的应用

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低温与超导 2010年第11期38卷 13-16,20页

作者：孔祥燕中谷悦起系崎秀夫中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 大阪大学基础工学研究科

扫描SQUID探针显微镜成像技术在半导体样品检测中得到了广泛应用。利用有限元分析方法对作为fluxguide的探针结构和SQUID的尺寸等参数对于系统空间分辨率和检测灵敏度的影响进行了仿真分析,并研究了探针周围的屏蔽效果。利用建立的SQUI... 详细信息

扫描SQUID探针显微镜成像技术在半导体样品检测中得到了广泛应用。利用有限元分析方法对作为fluxguide的探针结构和SQUID的尺寸等参数对于系统空间分辨率和检测灵敏度的影响进行了仿真分析,并研究了探针周围的屏蔽效果。利用建立的SQUID探针显微镜系统成功检测到太阳能电池中多晶硅的细微结构,并通过检测互相垂直的两个方向的磁场,对太阳能电池中光致电流矢量分布进行了反演重构。

关键词： SQUID 探针显微镜有限元分析 Fluxguide 半导体

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