检索结果-内蒙古大学图书馆

由于二极管在单元尺寸上的优势,被认为是高密度相变存储器中驱动管的不二之选。如果制备二极管的工艺参数不恰当,则大的漏电流会影响PCRAM存储数据的准确性和长久的保持力。首先简要介绍了具有自主知识产权的相变存储器中驱动二极管阵列的制备方法,然后从载流子分布以及半导体器件角度,分析了驱动二极管之间串扰电流的产生原因,最后,依据工艺流程介绍了一种简单的方法来减小驱动二极管之间的串扰电流。依据SM IC的工艺进行TCAD仿真,结果表明此种方法能够在增大驱动电流的同时大大减小串扰电流。

关键词：相变存储器驱动二极管串扰电流 TCAD

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硅膜厚度对SOI NMOS器件ESD特性的影响

硅膜厚度对SOI NMOS器件ESD特性的影响

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2010第十五届可靠性学术年会

作者：何玉娟潘金辉罗宏伟恩云飞肖庆中电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室信息功能材料国家重点实验室(中国科学院上海微系统与信息技术研究所)

本文研究了不同硅膜厚度对栅接地SOI NMOS器件ESD（Electrostatic Discharge,静电放电）特性的影响,结果发现硅膜厚度越大,ESD二次击穿电流I越大;其原因可能与硅膜层中的热分布有关。

关键词：静电保护 SOI Medici模拟硅膜厚度

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基于电压偏置SBC器件数值分析和仿真

基于电压偏置SBC器件数值分析和仿真

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第十一届全国超导薄膜和超导电子器件学术研讨会

作者：王永良王会武张树林董慧邱隆清谢晓明张懿中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 IBN-2 Juelich研究中心 D-52425 Juelich德国

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硅膜厚度对SOI NMOS器件ESD特性的影响

硅膜厚度对SOI NMOS器件ESD特性的影响

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2010中国电子学会可靠性分会第十五届可靠性学术年会

作者：何玉娟潘金辉罗宏伟恩云飞肖庆中电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室广州 510610 信息功能材料国家重点实验室(中国科学院上海微系统与信息技术研究所)上海 200050 电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室广州 510610

本文研究了不同硅膜厚度对栅接地SOI NMOS器件ESD(静电放电)特性的影响，结果发现硅膜厚度越大，ESD二次击穿电流I12越大;其原因可能与硅膜层中的热分布有关。

关键词：静电保护 SOI NMOS器件 Medici模拟硅膜厚度

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太赫兹无线通信系统中的反射器研究

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物理学报 2009年第7期58卷 4618-4623页

作者：张戎黎华曹俊诚封松林信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

采用传输矩阵方法和菲涅尔公式,根据THz频段不同区域内材料折射率的特点,计算模拟了聚合体聚偏氟乙(polyvinylidene fluoride,PVDF)/聚碳酸酯(polycarbonate,PC)一维光子晶体对THz波的反射作用.结果表明这种反射在亚太赫兹频段具有较好... 详细信息

采用传输矩阵方法和菲涅尔公式,根据THz频段不同区域内材料折射率的特点,计算模拟了聚合体聚偏氟乙(polyvinylidene fluoride,PVDF)/聚碳酸酯(polycarbonate,PC)一维光子晶体对THz波的反射作用.结果表明这种反射在亚太赫兹频段具有较好的反射性能和较大的反射带宽.此外,根据计算结果,本文还对THz反射器的理论研究设计进行了讨论.

关键词：太赫兹反射器太赫兹无线通信一维光子晶体

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太赫兹量子级联激光器材料生长及表征

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物理学报 2009年第10期58卷 7083-7087页

作者：常俊黎华韩英军谭智勇曹俊诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用气态源分子束外延方法生长了束缚态到连续态跃迁太赫兹量子级联激光器(terahertz quantum-cascade laser,简称THzQCL)有源区结构,并且采用电化学CV仪、霍尔测试仪以及高分辨X射线衍射对材料的质量进行表征,得出THzQCL有源区具有很... 详细信息

采用气态源分子束外延方法生长了束缚态到连续态跃迁太赫兹量子级联激光器(terahertz quantum-cascade laser,简称THzQCL)有源区结构,并且采用电化学CV仪、霍尔测试仪以及高分辨X射线衍射对材料的质量进行表征,得出THzQCL有源区具有很高的晶体质量.另外,采用蒙特卡罗方法模拟了共振声子THzQCL器件的I-V曲线,分析了在不同偏压下子能级的对齐状况和电子的输运特征.

关键词：太赫兹量子级联激光器分子束外延 X射线衍射

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亚毫安阈值的1.3μm垂直腔面发射激光器

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物理学报 2009年第3期58卷 1954-1958页

作者：劳燕锋曹春芳吴惠桢曹萌龚谦中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

设计并研制了室温连续工作的单模1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL),阈值电流为0.51mA,最高连续工作温度达到82℃,斜率效率为0.29W/A.采用InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱作为有源增益区,由晶片直接键合技术融合InP基谐振腔和GaAs基GaAs/A... 详细信息

设计并研制了室温连续工作的单模1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL),阈值电流为0.51mA,最高连续工作温度达到82℃,斜率效率为0.29W/A.采用InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱作为有源增益区,由晶片直接键合技术融合InP基谐振腔和GaAs基GaAs/Al(Ga)As分布布拉格下反射腔镜,并由电子束蒸发法沉积SiO2/TiO2介质薄膜上反射腔镜形成1.3μmVCSEL结构.讨论并分析了谐振腔模式与量子阱增益峰相对位置对器件性能的影响.

关键词：垂直腔面发射激光器晶片直接键合应变补偿多量子阱

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异质界面数字梯度超晶格对扩展波长InGaAs光电探测器性能的改善

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红外与毫米波学报 2009年第6期28卷 405-409页

作者：王凯张永刚顾溢李成李好斯白音李耀耀中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

采用气态源分子束外延方法生长了三种不同结构的扩展波长(室温下50%截止波长为2.4μm)InxGa1-xAs光电探测器材料,并制成了台面型器件.材料的表面形貌、X射线衍射摇摆曲线及光致发光谱表明,在InA lAs/In-GaAs异质界面处生长数字梯度超晶... 详细信息

采用气态源分子束外延方法生长了三种不同结构的扩展波长(室温下50%截止波长为2.4μm)InxGa1-xAs光电探测器材料,并制成了台面型器件.材料的表面形貌、X射线衍射摇摆曲线及光致发光谱表明,在InA lAs/In-GaAs异质界面处生长数字梯度超晶格可以明显提高材料质量;器件在室温下的暗电流结果显示,直径为300μm的器件在反向偏压为10mV时,没有生长超晶格结构的器件暗电流为0.521μA,而生长超晶格结构的器件暗电流降到0.480μA.同时,在生长InxA l1-xAs组分线性渐变缓冲层之前首先生长一层InP缓冲层也有利于改善材料质量和器件性能.

关键词：数字梯度超晶格 InP缓冲层 InxGa1-xAs 位错

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