检索结果-内蒙古大学图书馆

红外与毫米波学报 2008年第4期27卷 317-320页

作者：曹萌吴惠桢劳燕峰曹春芳刘成中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

采用气态源分子束外延系统生长了InAsP/InP应变多量子阱,研究了H+注入对量子阱光致发光谱的影响以及高温快速退火对离子注入后的量子阱发光谱的影响。发现采用较低H+注入能量(剂量)时,量子阱发光强度得到增强;随着H+注入能量(剂量)的增... 详细信息

采用气态源分子束外延系统生长了InAsP/InP应变多量子阱,研究了H+注入对量子阱光致发光谱的影响以及高温快速退火对离子注入后的量子阱发光谱的影响。发现采用较低H+注入能量(剂量)时,量子阱发光强度得到增强;随着H+注入能量(剂量)的增大,量子阱发光强度随之减小。H+注入过程中,部分隧穿H+会湮灭掉量子阱结构界面缺陷,同时H+也会对量子阱结构带来损伤,两者的竞争影响量子阱发光强度的变化。高温快速退火处理后,离子注入后的量子阱样品发光峰位在低温10K相对于未注入样品发生蓝移,蓝移量随着H+注入能量或剂量的增大而增加。退火过程中缺陷扩散以及缺陷扩散导致的阱层和垒层之间不同元素互混是量子阱发光峰位蓝移的原因。

关键词：离子注入光致发光量子阱互混

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带有阶梯缓变集电区的InP/InGaAs/InP DHBT材料研究

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固体电子学研究与进展 2008年第1期28卷 138-141,148页

作者：艾立鹍徐安怀孙浩朱福英齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

设计并生长了一种新的InP/InGaAs/InP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入两层不同禁带宽度的InGaAsP四元系材料的阶梯缓变集电结结构,以解决InP/InGaAs/InP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题。采用气态源分子束外延(GSMBE)... 详细信息

设计并生长了一种新的InP/InGaAs/InP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入两层不同禁带宽度的InGaAsP四元系材料的阶梯缓变集电结结构,以解决InP/InGaAs/InP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题。采用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过优化生长条件,获得了高质量的InP、InGaAs以及与InP晶格相匹配的不同禁带宽度的InGaAsP外延材料。在此基础上,成功地生长出带有阶梯缓变集电区结构的InP基DHBT结构材料。

关键词：双异质结双极晶体管气态源分子束外延磷化铟阶梯缓变集电区

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波长扩展InGaAs探测器的量子效率优化

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半导体光电 2008年第6期29卷 851-854,972页

作者：田招兵顾溢张晓钧张永刚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

通过建立双异质结型InGaAs探测器光响应的理论模型,分别对正面和背面进光时InP基波长扩展In0.8Ga0.2As/In0.79Al0.21AsPIN探测器结构参数与光响应特性的关系进行了研究,模拟结果与采用GSMBE方法研制器件的实测数据吻合较好。此外,还提... 详细信息

通过建立双异质结型InGaAs探测器光响应的理论模型,分别对正面和背面进光时InP基波长扩展In0.8Ga0.2As/In0.79Al0.21AsPIN探测器结构参数与光响应特性的关系进行了研究,模拟结果与采用GSMBE方法研制器件的实测数据吻合较好。此外,还提出了两种改良的背照射InGaAs探测器结构,并对其光响应特性进行了模拟计算,还基于模拟结果对器件结构参数进行了优化设计。

关键词： InGaAs 波长扩展光伏探测器量子效率

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InP／空气隙结构的制作与特性

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光电子．激光 2008年第9期19卷 1188-1191页

作者：刘成曹春芳劳燕锋曹萌吴惠桢中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 上海空间电源研究所上海200233

研究了采用不同溶液制作InP/空气隙的侧向腐蚀工艺,对腐蚀速率、晶向选择性、表面形貌进行了分析;研究了粘附释放工艺;在上述基础上制作完成了InP/空气隙结构,并采用微拉曼光谱来分析其应力分布情况,证实了制作工艺的可靠性。

关键词： InP/空气隙侧向腐蚀微拉曼光谱

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超薄超导材料特性及应用

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稀有金属材料与工程 2008年第A04期37卷 373-376页

作者：尤立星中国科学院上海微系统信息与技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

介绍和讨论低温和高温超导超薄材料的制备及超导特性,并和普通非超薄超导材料特性相比较。超薄超导材料可以用于制备超导单光子探测器(Supercon ducting Single Photon Detector,简称SSPD)和超导热电子测辐射热仪(Superconducting Hot E... 详细信息

介绍和讨论低温和高温超导超薄材料的制备及超导特性,并和普通非超薄超导材料特性相比较。超薄超导材料可以用于制备超导单光子探测器(Supercon ducting Single Photon Detector,简称SSPD)和超导热电子测辐射热仪(Superconducting Hot Electron Bolometer,简称SHEB)。详细分析并讨论其应用。

关键词：超薄超导材料超导单光子探测器超导热电子测辐射热仪

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键合方法研制InAsP/InGaAsP量子阱1.3μm垂直腔面发射激光器

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Journal of Semiconductors 2008年第11期29卷 2286-2291页

作者：劳燕锋曹春芳吴惠桢曹萌刘成谢正生龚谦中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

设计并研制了由InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱有源层、SiO2/TiO2介质薄膜和GaAs/Al(Ga)As半导体分布布拉格反射镜(DBR)构成的垂直腔面发射激光器(VCSEL).采用直接键合技术实现InP基有源层与GaAs基DBR的晶片融合,并经过侧向湿法腐蚀定... 详细信息

设计并研制了由InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱有源层、SiO2/TiO2介质薄膜和GaAs/Al(Ga)As半导体分布布拉格反射镜(DBR)构成的垂直腔面发射激光器(VCSEL).采用直接键合技术实现InP基有源层与GaAs基DBR的晶片融合,并经过侧向湿法腐蚀定义电流限制孔径和沉积介质薄膜DBR等关键器件工艺,研制出InAsP/InGaAsP量子阱垂直腔面发射激光器,其阈值电流为13.5mA,单模激射波长为1288.6nm.

关键词：垂直腔面发射激光器晶片直接键合隧道结

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离子注入方法形成电流限制孔径及其对器件光电特性的影响

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Journal of Semiconductors 2008年第4期29卷 765-769页

作者：刘成曹春芳劳燕锋曹萌吴惠桢中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

采用离子注入方法和后续的退火工艺制作了1.3μm面发射电致发光(EL)器件结构的电流限制孔径,通过对此结构的电学和光学特性进行测试分析,获得了离子注入和退火温度的优化参数,工艺参数为离子注入剂量5×1014cm-2和450℃退火1min.结... 详细信息

采用离子注入方法和后续的退火工艺制作了1.3μm面发射电致发光(EL)器件结构的电流限制孔径,通过对此结构的电学和光学特性进行测试分析,获得了离子注入和退火温度的优化参数,工艺参数为离子注入剂量5×1014cm-2和450℃退火1min.结果显示随着电流限制孔径的缩小,器件的电阻呈线性增大;电流限制孔径的形成显著增强1.3μm面发射器件结构的电致发光强度,孔径为15μm的样品是没有限制孔径样品的4倍(注入电流3mA),并就电流限制孔对EL器件结构电致发光的影响进行了物理解释.

关键词：电致发光器件结构电流限制孔径离子注入

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外加太赫兹场与磁场作用下的高电子迁移率晶体管电流特性

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Journal of Semiconductors 2008年第7期29卷 1357-1359页

作者：王立敏曹俊诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

外加太赫兹(THz)场垂直入射高电子迁移率晶体管(HEMT),使得HEMT中产生的载流子激发沟道内的等离子振荡,振荡频率处于太赫兹范围.论文研究了外加磁场对该器件电流特性的影响.结果表明,随着外加磁场强度的增加,HEMT的响应率峰值发生蓝移.... 详细信息

外加太赫兹(THz)场垂直入射高电子迁移率晶体管(HEMT),使得HEMT中产生的载流子激发沟道内的等离子振荡,振荡频率处于太赫兹范围.论文研究了外加磁场对该器件电流特性的影响.结果表明,随着外加磁场强度的增加,HEMT的响应率峰值发生蓝移.因此通过改变磁场能够对HEMT的振荡响应实现有效调谐.

关键词：高电子迁移率晶体管太赫兹场磁场响应率

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非对称DC SQUID的数值模拟研究

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稀有金属材料与工程 2008年第A04期37卷 377-380页

作者：王会武谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

磁通电压转换系数是衡量直流超导量子干涉器(DCSQUID)性能的重要指标。使用数值模拟分析SQUID环电感和结临界电流的不对称程度对DCSQUID器件的磁通电压转换系数的影响,比较非对称结构器件和对称结构器件的性能差别。模拟结果显示磁通电... 详细信息

磁通电压转换系数是衡量直流超导量子干涉器(DCSQUID)性能的重要指标。使用数值模拟分析SQUID环电感和结临界电流的不对称程度对DCSQUID器件的磁通电压转换系数的影响,比较非对称结构器件和对称结构器件的性能差别。模拟结果显示磁通电压转换系数随着DCSQUID器件不对称程度的增大有提高。在提高磁通电压转换系数的基础上,讨论DCSQUID读出电路简化为直读式电路的可能性。

关键词：超导量子干涉器磁通电压转换系数非对称结构

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超导单光子探测器件直流特性研究

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低温与超导 2008年第12期36卷 35-37页

作者：申小芳杨晓燕尤立星中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

超导单光子探测技术是基于超薄超导薄膜的非平衡态热电子效应的一种新型的单光子探测方法。超导单光子探测器(SNSPD)的计数率可达到GHz,时间抖动小于100ps,因而在未来量子通信系统中有着广阔的应用前景。介绍了NbN超导单光子探测器件的... 详细信息

超导单光子探测技术是基于超薄超导薄膜的非平衡态热电子效应的一种新型的单光子探测方法。超导单光子探测器(SNSPD)的计数率可达到GHz,时间抖动小于100ps,因而在未来量子通信系统中有着广阔的应用前景。介绍了NbN超导单光子探测器件的工作原理和器件超导性能测试系统;测试了超导单光子探测器件的电阻-温度、电流-电压等特性。并对测试结果进行了分析和讨论。

关键词：超导纳米单光子探测电阻-温度特性电流-电压特性

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