检索结果-内蒙古大学图书馆

红外与激光工程 2008年第S3期37卷 38-41页

作者：张永刚顾溢王凯李成李爱珍郑燕兰中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用气态源分子束外延方法和化合物半导体工艺研制了波长延伸的InGaAs探测器,其室温下的截止波长已由1.7μm拓展至2.7μm。对此探测器系列的特性进行了细致的测量表征,结果表明此类探测器十分适合在室温条件下工作,且在热电制冷温度下... 详细信息

采用气态源分子束外延方法和化合物半导体工艺研制了波长延伸的InGaAs探测器,其室温下的截止波长已由1.7μm拓展至2.7μm。对此探测器系列的特性进行了细致的测量表征,结果表明此类探测器十分适合在室温条件下工作,且在热电制冷温度下其性能可大为改观。瞬态特性测量结果表明此探测器系列可在高速下工作,实测响应速度已达数十ps量级,可以满足此波段激光雷达等方面的需要。

关键词：光电探测器化合物半导体铟镓砷气态源分子束外延

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太赫兹量子级联激光器制备及其成像应用

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中国科学（G辑） 2008年第5期38卷 485-493页

作者：黎华曹俊诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

太赫兹辐射源是太赫兹频段应用的关键器件.全固态相干太赫兹量子级联激光器作为一种重要的太赫兹辐射源具有能量转换效率高、体积小、轻便和易集成等优点.介绍了太赫兹量子级联激光器在激射频率和最高工作温度方面的研究进展,重点讨论... 详细信息

太赫兹辐射源是太赫兹频段应用的关键器件.全固态相干太赫兹量子级联激光器作为一种重要的太赫兹辐射源具有能量转换效率高、体积小、轻便和易集成等优点.介绍了太赫兹量子级联激光器在激射频率和最高工作温度方面的研究进展,重点讨论了太赫兹量子级联激光器的制作工艺和测试方法.最后简单概述了太赫兹量子级联激光器在成像领域的应用.

关键词：太赫兹量子级联激光器成像

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基于InAsP/InGaAsP量子阱的1.3μm垂直腔面发射激光器

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半导体技术 2008年第S1期33卷 68-71页

作者：劳燕锋曹春芳吴惠桢曹萌刘成谢正生中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

以InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱为有源增益区,研制出室温连续工作的单模1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)。激光器谐振腔镜分别由SiO2/TiO2介质薄膜和GaAs/Al(Ga)As半导体分布布拉格反射镜(DBR)实现,由晶片直接键合方法进行InP基有源... 详细信息

以InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱为有源增益区,研制出室温连续工作的单模1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)。激光器谐振腔镜分别由SiO2/TiO2介质薄膜和GaAs/Al(Ga)As半导体分布布拉格反射镜(DBR)实现,由晶片直接键合方法进行InP基有源谐振腔与GaAs基DBR材料的融合,经过选择性侧向腐蚀p+-InP/n+-InAlAs隧道结定义电流限制孔径等器件工艺,最后通过电子束蒸发沉积介质薄膜DBR制作出激光器件。单模VCSEL器件的室温阈值电流为0.75mA,最高连续工作温度达到100℃;多模器件的最高光功率为1.9mW。器件结果表明,InAsP/InGaAsP量子阱材料体系可用于高性能长波长VCSEL的研制。

关键词：垂直腔面发射激光器应变补偿多量子阱晶片键合

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光伏型太赫兹量子阱探测器研究进展

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物理 2008年第3期37卷 199-202页

作者：谭智勇曹俊诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

光伏型太赫兹量子阱探测器(PV-THzQWIP)是光伏型量子阱光电探测器(PV-QWIP)在THz波段的扩展,它具有功耗低、暗电流小、噪声水平低以及焦平面阵列(FPAs)热分辨率高等优点,是THz频段技术应用的重要器件之一.文章主要介绍了PV-THzQWIP的工... 详细信息

光伏型太赫兹量子阱探测器(PV-THzQWIP)是光伏型量子阱光电探测器(PV-QWIP)在THz波段的扩展,它具有功耗低、暗电流小、噪声水平低以及焦平面阵列(FPAs)热分辨率高等优点,是THz频段技术应用的重要器件之一.文章主要介绍了PV-THzQWIP的工作原理、特点、理论设计及其研究进展.

关键词：太赫兹波太赫兹量子阱探测器光伏探测热分辨率

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InGaAs/InP光伏探测器阵列钝化工艺及均匀性研究

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半导体光电 2008年第1期29卷 60-63页

作者：田招兵张永刚顾溢祝向荣郑燕兰中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

通过对气态源分子束外延结合常规器件工艺研制的晶格匹配InGaAs/InP光伏型探测器阵列光响应和暗电流特性的表征和比较,研究了聚酰亚胺和氮化硅两种钝化工艺对阵列器件性能和均匀性的影响,并对两种不同钝化膜阵列器件后续封装的可靠性进... 详细信息

通过对气态源分子束外延结合常规器件工艺研制的晶格匹配InGaAs/InP光伏型探测器阵列光响应和暗电流特性的表征和比较,研究了聚酰亚胺和氮化硅两种钝化工艺对阵列器件性能和均匀性的影响,并对两种不同钝化膜阵列器件后续封装的可靠性进行了比较和分析。实验结果表明,气态源分子束外延材料具有良好的均匀性;氮化硅钝化器件总体性能上优于聚酰亚胺钝化器件。引线封装实验显示,SiN钝化膜有较好的抗冲击和热稳定性,具有更好的工艺相容性。

关键词： InGaAs 光伏探测器焦平面阵列钝化气态源分子束外延

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薄膜厚埋层SOI材料的新制备技术

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Journal of Semiconductors 2008年第7期29卷 1350-1353页

作者：魏星王湘陈猛陈静张苗王曦林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海新傲科技有限公司上海201821

在结合低剂量注氧隔离(SIMOX)技术和键合技术的基础上,研究了制备薄膜(薄顶层硅膜)厚埋层SOI材料的新技术——注氧键合技术.采用该新技术成功制备出薄膜厚埋层SOI材料,顶层硅厚度130nm,埋氧层厚度1μm,顶层硅厚度均匀性±2%.并分别... 详细信息

在结合低剂量注氧隔离(SIMOX)技术和键合技术的基础上,研究了制备薄膜(薄顶层硅膜)厚埋层SOI材料的新技术——注氧键合技术.采用该新技术成功制备出薄膜厚埋层SOI材料,顶层硅厚度130nm,埋氧层厚度1μm,顶层硅厚度均匀性±2%.并分别采用原子力显微镜(AFM)和剖面透射电镜(XTEM)对其表面形貌和结构进行了表征.研究结果表明,SIMOX材料顶层硅通过键合技术转移后仍能够保持其厚度均匀性,且埋氧层和顶层硅之间具有原子级陡峭的分界面,因此注氧键合技术将会是一项有广阔应用前景的SOI制备技术.

关键词：薄膜厚埋层SOI材料注氧键合技术剖面透射电镜

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超导梯度计及其对环境噪声的抑制能力

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功能材料与器件学报 2008年第6期14卷 971-976页

作者：陈亮蒋式勤谢晓明同济大学电子与信息工程学院上海200092 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

研究了超导磁传感器的交流标定方法,并在此基础上研究了不同软件梯度计的实现方案及其对环境干扰磁场的抑制能力。采用多个频率、多个强度的参考磁场对传感器进行标定得到的结果一致性良好。合成的一阶软件梯度计经过实验验证具有很好... 详细信息

研究了超导磁传感器的交流标定方法,并在此基础上研究了不同软件梯度计的实现方案及其对环境干扰磁场的抑制能力。采用多个频率、多个强度的参考磁场对传感器进行标定得到的结果一致性良好。合成的一阶软件梯度计经过实验验证具有很好的微弱磁信号检测能力,在城市实验室噪声环境下成功实现了约50pT微弱磁场信号的探测。还对标定精度以及实验中观察到的不同软件梯度计方案结果之间的差别进行了讨论。

关键词： SQUID 磁强计硬件梯度计软件梯度计环境噪声抑制

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脉冲阳极氧化工艺制作GaAs/AlGaAs宽条形半导体激光器

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功能材料与器件学报 2008年第5期14卷 859-863页

作者：魏星乔忠良薄报学陈静张苗王曦中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室长春130022

研究了脉冲阳极氧化工艺的特性,并利用脉冲阳极氧化工艺制作出激射波长为776nm的宽条形半导体激光器,器件阈值电流为0.35A,斜率效率为1.12W/A,与常规工艺制作的器件相比阈值电流降低了22%,斜率效率提高了18%。

关键词：湿法刻蚀脉冲阳极氧化斜率效率

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离子束辅助沉积铂碳混合膜及其抑制栅电子发射性能

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功能材料与器件学报 2008年第4期14卷 757-762页

作者：江炳尧冯涛王曦柳襄怀中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 纳光电集成与先进装备教育部工程研究中心华东师范大学上海200062

采用离子束辅助沉积技术,在硅、钼衬底上分别制备铂碳混合膜。XRD的分析结果表明,当铂碳混合膜中铂的组份较多时,有较强的铂(111)面衍射峰和较弱的铂(200)面衍射峰,铂的组份呈(111)择优取向。Raman谱的分析结果表明,碳基本上呈非晶状态... 详细信息

采用离子束辅助沉积技术,在硅、钼衬底上分别制备铂碳混合膜。XRD的分析结果表明,当铂碳混合膜中铂的组份较多时,有较强的铂(111)面衍射峰和较弱的铂(200)面衍射峰,铂的组份呈(111)择优取向。Raman谱的分析结果表明,碳基本上呈非晶状态。模拟二极管的实验表明,在纯钼阳极上镀覆铂碳混合膜,其抑制热电子发射的性能明显优于纯钼阳极。

关键词：离子束辅助沉积铂碳混合膜栅电子发射

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THz量子级联激光器用材料的生长及器件制作

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功能材料信息 2008年第1期5卷 25-26页

作者：韩英军黎华谭智勇曹俊诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海20005

采用分子束外延法,生长了GaAs/Al_(0.17)Ga_(0.85)As基共振声子辅助跃迁的太赫兹量子级联激光器,并按单面金属波导制备工艺制作了器件。材料的结构通过高分辨X射线衍射来确定。在温度为9～150K的范围内,测量了器件的Ⅰ—Ⅴ曲线。

关键词：太赫兹量子级联激光器分子束外延

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