检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：曹俊诚封松林黎华谭智勇韩英军郭旭光朱福英吕京涛王长伍滨和中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海市长宁路865号200050

太赫兹(THz)量了级联激光器(QCL)为固态半导体器件,具有能量转换效率高、体积小、轻便和易集成等优点,已成为THz技术领域的研究热点之一。THz QCL近年来有了迅速的发展,有望在THz通信领域得到应用。本文报道了我们在THz QCL的Monte-carl... 详细信息

太赫兹(THz)量了级联激光器(QCL)为固态半导体器件,具有能量转换效率高、体积小、轻便和易集成等优点,已成为THz技术领域的研究热点之一。THz QCL近年来有了迅速的发展,有望在THz通信领域得到应用。本文报道了我们在THz QCL的Monte-carlo模拟、异质结构材料生长、器件工艺和器件测试等方面的研究结果。

关键词：太赫兹半导体激光器量子级朕激光器蒙特卡罗模拟固态半导半导体器件能量转换异质结构

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环境磁场的补偿与控制

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现代科学仪器 2008年第5期 114-116页

作者：丰朋胡国四蒋式勤陈亮谢晓明同济大学控制科学与工程系烟台大学光电信息科学技术学院中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

实现了一种对环境磁场补偿控制的比例积分(PI)控制模拟电路,即利用磁强计测量到的环境磁场作为系统输入,经过PI模拟电路放大处理后,作为反馈信号输出到线圈,形成闭环控制,起到了补偿环境磁场的作用。该模拟控制电路与数字电路方案相比,... 详细信息

实现了一种对环境磁场补偿控制的比例积分(PI)控制模拟电路,即利用磁强计测量到的环境磁场作为系统输入,经过PI模拟电路放大处理后,作为反馈信号输出到线圈,形成闭环控制,起到了补偿环境磁场的作用。该模拟控制电路与数字电路方案相比,具有控制速度快、结构简单等特点。实验结果说明,该系统对环境磁场的低频扰动具有较好的补偿作用。

关键词：环境磁场 PI控制模拟电路

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量子级联激光器有源核中界面声子的特性研究

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物理学报 2007年第1期56卷 500-506页

作者：徐刚毅李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

研究了量子级联激光器有源核中界面声子的色散关系和静电势分布.根据有源核内部的平移不变性导出了界面声子的色散关系.计算显示有源核中的界面声子可以分为体声子和表面声子模式.体声子的色散曲线构成一系列准连续的声子子带,其静电势... 详细信息

研究了量子级联激光器有源核中界面声子的色散关系和静电势分布.根据有源核内部的平移不变性导出了界面声子的色散关系.计算显示有源核中的界面声子可以分为体声子和表面声子模式.体声子的色散曲线构成一系列准连续的声子子带,其静电势分布于整个有源核并呈现出Bloch波的特征.表面声子的色散曲线位于各体声子子带的带隙内,其静电势局域在有源核一侧.这些结果将有助于量子级联激光器和子带跃迁激光器的优化设计.

关键词：量子级联激光器界面声子

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GaAs/AlAs DBR的GSMBE优化生长及表征

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稀有金属材料与工程 2007年第4期36卷 587-591页

作者：谢正生吴惠桢劳燕锋刘成曹萌中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

采用气态源分子束外延(GSMBE)技术优化生长了GaAs/AlAs分布布拉格反射镜(DBR)材料,并用X射线衍射(XRD)及反射光谱对其生长质量进行了表征。结果表明,采用5s间断生长的GaAs/AlAs DBR材料质量和界面质量优于无间断生长,并且10对GaAs/AlAs ... 详细信息

采用气态源分子束外延(GSMBE)技术优化生长了GaAs/AlAs分布布拉格反射镜(DBR)材料,并用X射线衍射(XRD)及反射光谱对其生长质量进行了表征。结果表明,采用5s间断生长的GaAs/AlAs DBR材料质量和界面质量优于无间断生长,并且10对GaAs/AlAs DBR的质量优于30对,说明DBR对数越多,周期厚度波动越大,材料质量越差。优化生长得到的30对GaAs/AlAs DBR的反射率大于99%,中心波长为1316nm,与理论设计结构的模拟结果基本一致,可用作1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)直接键合的反射腔镜。

关键词：分布布拉格反射镜气态源分子束外延 X射线衍射反射谱

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低温Au-In-Au金属键合及其在VCSELs制作中的应用

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金属学报 2007年第3期43卷 264-268页

作者：谢正生吴惠桢劳燕锋刘成曹萌中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

研究了Au-In-Au低温金属键合技术,并把它应用到长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)器件结构的制作中．利用该技术不仅有利于提升器件的热学性能,而且有利于提高VCSEL结构中分布Bragg反射腔镜(DBR)的反射率．实验结果表明,InP基外延半腔VC... 详细信息

研究了Au-In-Au低温金属键合技术,并把它应用到长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)器件结构的制作中．利用该技术不仅有利于提升器件的热学性能,而且有利于提高VCSEL结构中分布Bragg反射腔镜(DBR)的反射率．实验结果表明,InP基外延半腔VCSEL结构成功地在200℃低温下金属键合到Si衬底上,键合强度高,键合质量达到了VCSEL器件工艺制作要求．对键合样品光学特性的分析表明,低温金属键合过程不影响量子阱有源区及DBR的光学性质,这对VCSEL器件结构的制作是有利的．这种低温金属键合技术,有望应用在许多半导体光电器件的制作中．

关键词：低温金属键合垂直腔面发射激光器反射谱光致荧光谱

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气态源分子束外延Al_xGa_(1-x)As(x=0~1)材料中Si的掺杂行为研究(英文)

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红外与毫米波学报 2007年第1期26卷 1-4,9页

作者：李华李爱珍张永刚齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

研究了Si在AlxGa1-xAs(0≤x≤1)中的掺杂行为.为比较Al組份对Si掺杂浓度的影响,在用气态源分子束外延生长(GSMBE)掺Si n型AlxGa1-xAs(0≤x≤1)的所有样品时,n型掺杂剂Si炉的温度恒定不变.用Hall效应测量外延层的自由载流子浓度和迁移率,... 详细信息

研究了Si在AlxGa1-xAs(0≤x≤1)中的掺杂行为.为比较Al組份对Si掺杂浓度的影响,在用气态源分子束外延生长(GSMBE)掺Si n型AlxGa1-xAs(0≤x≤1)的所有样品时,n型掺杂剂Si炉的温度恒定不变.用Hall效应测量外延层的自由载流子浓度和迁移率,用X射线双晶衍射迴摆曲线测量外延层的组份.测试结果表明,当AlxGa1-xAs中Al组份从0增至0.38时,Si的掺杂浓度从4×1018cm-3降至7.8×1016cm-3,电子迁移率从1900 cm2/Vs降至100 cm2/Vs.这与AlxGa1-xAs材料的Γ-X直接—间接带隙的转换点十分吻合.在AlxGa1-xAs全组份范囲内,自由载流子浓度隨Al组份从0至1呈“V”形变化,在X=0.38处呈最低点.在x>0.4之后,AlxGa1-xAs的电子迁移随Al组分的增加,一直维持较低值且波动幅度很小.

关键词：气态源分子束外延 AlGaAs Si掺杂电学性质组分

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刻蚀改变InGaN/AlGaN应变多量子阱发光特性

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光学学报 2007年第3期27卷 494-498页

作者：曹萌吴惠桢劳燕锋刘成谢正生中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

为了分析干法刻蚀对应变多量子阱(SMQWs)发光特性的影响,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长的InGaN/AIGaN应变多量子阱覆盖层表面刻蚀了约95 nm。通过光致发光(PL)特性表征发现,干法刻蚀后量子阱... 详细信息

为了分析干法刻蚀对应变多量子阱(SMQWs)发光特性的影响,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长的InGaN/AIGaN应变多量子阱覆盖层表面刻蚀了约95 nm。通过光致发光(PL)特性表征发现,干法刻蚀后量子阱光致发光强度较未刻蚀量子阱光致发光强度提高了近3倍。干法刻蚀后,量子阱表面呈现高低起伏状形貌,粗糙度提高,出射光在起伏状粗糙形貌表面反复散射,从而逃逸概率增大,有助于光致发光强度增强。理论计算结果得出表面形貌变化引起的量子阱光致发光强度增强因子约为1．3倍。另外,由于所采用的感应耦合等离子体功率较小,刻蚀损伤深度几乎不会达到量子阱阱层,然而干法刻蚀过程中Ar离子隧穿到量子阱阱层内部可能形成新的发光中心,从而使量子阱的发光强度得到提高。

关键词：光学材料应变多量子阱干法刻蚀损伤光致发光

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离子注入在1.3μm面发射激光器结构中的应用

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功能材料 2007年第8期38卷 1257-1259,1264页

作者：刘成曹春芳劳燕锋曹萌谢正生吴惠桢中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

研究了H+离子注入对InP材料和1.3μm面发射激光器结构的电学、光学性能的影响。当离子注入后InP表面电学特性退化,在300℃以上退火后,材料表面回复较好,H+离子注入区电阻率约为InP体材料的104倍。接着,将离子注入工艺应用于1.3μm面发... 详细信息

研究了H+离子注入对InP材料和1.3μm面发射激光器结构的电学、光学性能的影响。当离子注入后InP表面电学特性退化,在300℃以上退火后,材料表面回复较好,H+离子注入区电阻率约为InP体材料的104倍。接着,将离子注入工艺应用于1.3μm面发射激光器结构电流限制孔径的制作,通过比较电学特性得出450℃的最佳退火温度,并发现高温退火后电致发光强度增强。

关键词：垂直腔面发射激光器离子注入退火

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长波长VCSEL结构中的欧姆接触工艺

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半导体光电 2007年第5期28卷 667-670,675页

作者：刘成曹春芳劳燕锋曹萌吴惠桢中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

简要叙述了欧姆接触工艺在长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)制作中的重要作用。采用圆环传输线方法(CTLM)研究了应用于长波长VCSEL结构的p型InGaAsP和InP材料与Ti-Au的接触特性,发现p-InGaAsP与Ti-Au经高温退火后能获得欧姆接触,其最低... 详细信息

简要叙述了欧姆接触工艺在长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)制作中的重要作用。采用圆环传输线方法(CTLM)研究了应用于长波长VCSEL结构的p型InGaAsP和InP材料与Ti-Au的接触特性,发现p-InGaAsP与Ti-Au经高温退火后能获得欧姆接触,其最低比接触电阻值可达6.49×10-5Ω.cm2。将此工艺结果应用于1.3μm VCSEL结构中,发现其开启电压和串联电阻显著减小。

关键词：垂直腔面发射激光器欧姆接触比接触电阻快速退火

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干法刻蚀影响应变量子阱发光的机理研究

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物理学报 2007年第2期56卷 1027-1031页

作者：曹萌吴惠桢刘成劳燕锋黄占超谢正生张军江山中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室武汉邮电科学研究院武汉430074

采用感应耦合等离子体刻蚀技术对InAsP/InP应变多量子阱和InAsP/InGaAsP应变单量子阱材料的覆盖层进行了不同厚度的干法刻蚀.实验结果表明,干法刻蚀后量子阱光致荧光强度得到了不同程度的增强.干法刻蚀过程不仅增加了材料表面粗糙度,同... 详细信息

采用感应耦合等离子体刻蚀技术对InAsP/InP应变多量子阱和InAsP/InGaAsP应变单量子阱材料的覆盖层进行了不同厚度的干法刻蚀.实验结果表明,干法刻蚀后量子阱光致荧光强度得到了不同程度的增强.干法刻蚀过程不仅增加了材料表面粗糙度,同时使其内部微结构发生变化.采用湿法腐蚀方法去除表面变粗糙对量子阱发光特性的影响,得到干法刻蚀覆盖层20nm后应变单量子阱微结构变化和其表面粗糙度变化两个因素分别使荧光强度提高1.8倍和1.2倍的结果.

关键词：干法刻蚀应变多量子阱光致发光谱损伤

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