检索结果-内蒙古大学图书馆

红外与毫米波学报 2003年第5期22卷 349-352页

作者：陈奶波邱东江吴惠桢张寒洁鲍世宁何丕模浙江大学物理系浙江杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

用电子束蒸发反应沉积在Si(111)衬底上低温生长了立方MgZnO薄膜和高度C -轴取向的ZnO薄膜 .X 射线光电子能谱 (XPS)结果表明 ,立方MgZnO薄膜中的Mg含量比靶源中的高 .紫外光致荧光谱 (UVPL)测试显示 ,与ZnO相比MgZnO的荧光峰从 393nm蓝... 详细信息

用电子束蒸发反应沉积在Si(111)衬底上低温生长了立方MgZnO薄膜和高度C -轴取向的ZnO薄膜 .X 射线光电子能谱 (XPS)结果表明 ,立方MgZnO薄膜中的Mg含量比靶源中的高 .紫外光致荧光谱 (UVPL)测试显示 ,与ZnO相比MgZnO的荧光峰从 393nm蓝移至 373nm ,这可能与MgZnO的带隙变宽有关 .对ZnO薄膜的研究还发现 ,生长过程中充O2 与否对ZnO发光特性的影响显著 ,不充O2 时样品的紫外荧光峰较之充O2

关键词：紫外光致荧光谱 X射线光电子能谱晶体薄膜氧化锌电子束蒸发反应沉积法光谱蓝移光谱红移带隙

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多孔硅外延转移技术制备以氮化硅为绝缘埋层的SOI新结构

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Journal of Semiconductors 2003年第2期24卷 189-193页

作者：谢欣云刘卫丽门传玲林青沈勤我林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

为减少自加热效应 ,利用多孔硅外延转移技术成功地制备出一种以氮化硅为埋层的 SOI新结构 .高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得到的 SOI新结构具有很好的结构和电学性能 ,退火后的氮化硅埋层为非晶结构 .

关键词：绝缘埋层氮化硅薄膜 SOI结构多孔硅外延转移

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近红外波段光子晶体的微细加工方法研究进展

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功能材料 2003年第3期34卷 242-243,246页

作者：汪扬宋志棠章宁琳林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

　光子晶体及其在光电子领域的应用是目前国际上的研究热点之一,是一种新型的光电子功能材料。在近红外光通讯领域中,光子晶体(对应光子晶体晶格常数为亚微米)有非常重要的应用,可以制作许多以前所不能制作的高性能光学器件。如何制备... 详细信息

　光子晶体及其在光电子领域的应用是目前国际上的研究热点之一,是一种新型的光电子功能材料。在近红外光通讯领域中,光子晶体(对应光子晶体晶格常数为亚微米)有非常重要的应用,可以制作许多以前所不能制作的高性能光学器件。如何制备用于光通讯领域的光子晶体越来越引起广泛关注。本文综述了近红外波段光子晶体的微细加工制备方法的研究进展。

关键词：光子晶体微细加工光电子功能材料近红外波段光学器件研究进展

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超薄顶层硅SOI衬底上高k栅介质ZrO_2的性能

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Journal of Semiconductors 2003年第10期24卷 1099-1102页

作者：章宁琳宋志棠沈勤我林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用超高真空电子束蒸发法制备了用于全耗尽SOI场效应晶体管 (MOSFET)中作为高k栅介质的ZrO2 薄膜 .X射线光电子能谱 (XPS)分析结果显示 :ZrO2 薄膜成分均一 ,为完全氧化的ZrO2 ,其中Zr∶O =1∶2 2 ,锆氧原子比偏高可能是由于吸附了空... 详细信息

采用超高真空电子束蒸发法制备了用于全耗尽SOI场效应晶体管 (MOSFET)中作为高k栅介质的ZrO2 薄膜 .X射线光电子能谱 (XPS)分析结果显示 :ZrO2 薄膜成分均一 ,为完全氧化的ZrO2 ,其中Zr∶O =1∶2 2 ,锆氧原子比偏高可能是由于吸附了空气中O2 等杂质 .扩展电阻法 (SRP)和剖面透射电镜 (XTEM)都表征出 6 0 0℃退火样品清晰的ZrO2 /topSi/BO/Sisub的结构 ,其中ZrO2 /topSi界面陡直 ,没有界面产物生成 .选区电子衍射显示薄膜在 6 0 0℃快速退火后仍基本呈非晶态 .研究了上述MOSOS结构的高频C V性能 ,得到ZrO2 薄膜的等效氧化物厚度EOT =9 3nm ,相对介电常数ε≈ 2 1,平带电位VFB=- 2 4 5 1eV .

关键词：超高真空电子束蒸发法全耗尽SOI MOSFET 高k栅介质 ZrO2

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SOI材料中Cu杂质的纳米孔吸杂研究

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中国科学（E辑） 2003年第1期33卷 47-55页

作者：张苗吴雁军刘卫丽安正华林成鲁朱剑豪中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 香港城市大学物理与材料科学系

采用纳米孔吸杂方法对新型硅基材料SOI(silicon-on-insulator)中的Cu杂质进行了吸除研究.室温下,将3.5×1016cm-2的H+或9×1016cm-2的He+注入到SOI氧化埋层下面的硅衬底内,700℃退火形成纳米孔,研究纳米孔对SOI顶层硅中不同剂... 详细信息

采用纳米孔吸杂方法对新型硅基材料SOI(silicon-on-insulator)中的Cu杂质进行了吸除研究.室温下,将3.5×1016cm-2的H+或9×1016cm-2的He+注入到SOI氧化埋层下面的硅衬底内,700℃退火形成纳米孔,研究纳米孔对SOI顶层硅中不同剂量Cu杂质(5×1013,5×1014,5×1015cm-2)的吸除.剖面透射电子显微镜(XTEM)与二次离子质谱(SIMS)分析表明,700℃以上,Cu杂质可以穿过SIMOX和Smart—Cut材料不同的氧化埋层到达硅衬底,并被纳米孔吸附.SIMOX氧化埋层界面的本征缺陷对Cu杂质具有一定的吸附作用,但吸杂效果远远低于纳米孔吸杂,且高温下会将杂质释放出来.Smart—cut SOI的氧化埋层界面完整,不具备吸杂作用.1000℃退火后,纳米孔可吸附高达3.5×1015cm-2以上的Cu杂质,纳米孔吸杂效率随Cu注入剂量的降低而升高.当顶层硅中Cu剂量低于5×1014 cm-2时,纳米孔吸杂效率达到90%以上,并将顶层硅中Cu杂质浓度降低到原来的4％以下.纳米孔吸杂是一条解决SOI杂质去除难题的有效途径.

关键词： SOI材料吸杂离子注入纳米孔铜金属杂质化学键吸附纳米技术

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AlN薄膜室温直接键合技术

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Journal of Semiconductors 2003年第2期24卷 216-220页

作者：门传玲徐政安正华吴雁军林成鲁同济大学材料学院微电子所上海200092 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用离子束增强沉积技术在 10 0 mm硅片上制备大面积均匀 Al N薄膜 ,原子力显微镜 (AFM)显示其表面平整光滑 ,均方根粗糙度 (RMS)为 0 .13nm ,满足直接键合的需要 .同时 ,采用智能剥离技术成功实现了室温下 Al N与注氢硅片的直接键合 ,... 详细信息

采用离子束增强沉积技术在 10 0 mm硅片上制备大面积均匀 Al N薄膜 ,原子力显微镜 (AFM)显示其表面平整光滑 ,均方根粗糙度 (RMS)为 0 .13nm ,满足直接键合的需要 .同时 ,采用智能剥离技术成功实现了室温下 Al N与注氢硅片的直接键合 ,形成了以 Al N薄膜为埋层的 SOI结构 ,即 Al N上的硅结构 (SOAN) .用扩展电阻、卢瑟福背散射 -沟道、剖面透射电镜等技术分析了所形成的 SOAN结构 .

关键词：直接键合 A1N薄膜智能剥离绝缘层上硅离子束增强沉积

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新型氮化铝埋层上硅结构的应力特性

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同济大学学报（自然科学版） 2003年第3期31卷 361-364页

作者：门传玲徐政安正华林成鲁同济大学材料科学与工程学院上海200092 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

为减轻传统SOI(silicon on insulator)材料的自加热效应 ,首次利用智能剥离技术 (smart cutprocess)成功制备了SOAN(silicon on aluminum nitride)结构 ,即以氮化铝 (AlN)薄膜为埋层的SOI结构 .采用离子束增强技术(IBED)在 10 .16cm(4in)硅片上合成了AIN薄膜 .剖面透射电镜照片证实了此SOAN结构 .高分辨的X射线衍射技术被用来研究此结构的剩余晶格应力 ,实验结果表明刚得到的SOAN结构在 110 0℃下退火

关键词：氮化铝薄膜应力高分辨X射线衍射

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InGaP/GaAs双结太阳电池

InGaP/GaAs双结太阳电池

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2003年中国太阳能学会学术年会

作者：张永刚刘天东胡雨生朱诚南矿军洪婷李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

本文报道了我们设计研制的InGaP/GaAs双结太阳电池,电池的转换效率在22%～24%之间(1AM0,28℃),填充因子约80%。文中对其材料结构、器件工艺制作以及性能测量表征等方面的问题进行了讨论。

关键词：光伏串接太阳电池化合物半导体 InGaP/GaAs

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太赫兹辐射源与探测器研究进展

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功能材料与器件学报 2003年第2期9卷 111-117页

作者：曹俊诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

太赫兹(THz)技术涉及电磁学、光电子学、半导体物理学、材料科学以及微加工技术等多个学科,它在信息科学、生物学、医学、天文学、环境科学等领域有重要的应用价值。THz振荡源与THz探测器则是THz频段应用的关键器件,也是THz技术研究领... 详细信息

太赫兹(THz)技术涉及电磁学、光电子学、半导体物理学、材料科学以及微加工技术等多个学科,它在信息科学、生物学、医学、天文学、环境科学等领域有重要的应用价值。THz振荡源与THz探测器则是THz频段应用的关键器件,也是THz技术研究领域的最前沿问题。本文简要概括了THz电磁波的重要特点、应用价值以及THz辐射源和探测器的最新研究进展。

关键词：太赫兹辐射源电磁波探测器负有效质量非线性动力学研究进展 THz电磁波

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水平HVPE反应器中气流动力学模拟与GaN生长

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功能材料与器件学报 2003年第4期9卷 469-472页

作者：孟兆祥于广辉叶好华雷本亮李存才齐鸣李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

建立了GaN HVPE系统的流体动力学模型,研究了反应气体在反应室内的浓度场,讨论了反应室内GaCl和NH_3管道空间配置对气体在衬底表面浓度分布的影响,并对HVPE系统反应室的设计进行了优化。材料生长结果表明,厚度均匀性良好,直接在蓝宝石... 详细信息

建立了GaN HVPE系统的流体动力学模型,研究了反应气体在反应室内的浓度场,讨论了反应室内GaCl和NH_3管道空间配置对气体在衬底表面浓度分布的影响,并对HVPE系统反应室的设计进行了优化。材料生长结果表明,厚度均匀性良好,直接在蓝宝石衬底上生长的GaN外延层摇摆曲线半宽为660 arcsec。

关键词： HVPE 流体动力学氮化镓反应室晶体生长模拟

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