检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 2017年第23期66卷 9-15页

作者：刘褚航强百强季育琛李炜上海科技大学物质科学与技术学院上海201210 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

利用数值有限差分法处理二维氢原子的基态波函数时,计算结果发现其存在着数值奇异特性.本文通过构造一套具有正交完备性的离散贝塞尔基函数,并结合基于Lanczos技术的数值精确对角化方法研究二维氢原子中的基态波函数的数值奇异特性,得... 详细信息

利用数值有限差分法处理二维氢原子的基态波函数时,计算结果发现其存在着数值奇异特性.本文通过构造一套具有正交完备性的离散贝塞尔基函数,并结合基于Lanczos技术的数值精确对角化方法研究二维氢原子中的基态波函数的数值奇异特性,得到的波函数数值解及其相应的本征能量均与解析结果相一致.这套新的完备的离散贝塞尔基函数,可以在研究一些波函数具有数值奇异特性的体系中发挥至关重要的作用.

关键词：二维氢原子离散贝塞尔基函数 Lanczos法

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支持逻辑电路辅助计算的相变存储系统设计

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上海交通大学学报 2018年第1期52卷 90-95页

作者：李鸽子陈小刚陈后鹏焦圣品宋志棠陈邦明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 上海天玑数据技术有限公司上海200233

设计了一种支持逻辑电路辅助计算的相变存储系统,将计算密集型任务卸载至基于逻辑电路的相变存储器(PCM)中,以解决由于大量数据迁移而造成的传输瓶颈问题;同时,利用逻辑电路的并行执行能力来实现对数据的高效处理,并利用PCM的独特优势... 详细信息

设计了一种支持逻辑电路辅助计算的相变存储系统,将计算密集型任务卸载至基于逻辑电路的相变存储器(PCM)中,以解决由于大量数据迁移而造成的传输瓶颈问题;同时,利用逻辑电路的并行执行能力来实现对数据的高效处理,并利用PCM的独特优势来提高系统的整体性能.结果表明,所提出的相变存储系统比传统的数据处理方式的性能更佳.

关键词：相变存储器存储内计算现场可编程门阵列排序算法流式计算

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Pb_(1-x)Mn_xTe稀磁半导体外延薄膜的光学特性

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红外与毫米波学报 2007年第4期26卷 261-264页

作者：夏明龙吴惠桢斯剑霄徐天宁王擎雷戴宁谢正生浙江大学物理系浙江杭州310027 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用分子束外延（MBE）方法在BaF2（111）衬底上生长了不同Mn组分的Pb1-xMnxTe（0≤x≤0.012）稀磁半导体薄膜.通过波长为3.0-11.0μm中红外透射谱的分析并应用透射光谱上干涉峰峰值的位置计算获得了Pb1-xMnxTe薄膜的折射率,由最小平方... 详细信息

采用分子束外延（MBE）方法在BaF2（111）衬底上生长了不同Mn组分的Pb1-xMnxTe（0≤x≤0.012）稀磁半导体薄膜.通过波长为3.0-11.0μm中红外透射谱的分析并应用透射光谱上干涉峰峰值的位置计算获得了Pb1-xMnxTe薄膜的折射率,由最小平方根拟合得到折射率的一阶Sellmeier色散关系.在吸收边附近,通过直接跃迁吸收系数与光子能量的关系外推得到其光学带隙.结果表明,在中红外区域其折射率随着Mn含量的增加而减小,其光学带隙则随着Mn含量的增加而增大,在温度T=295K时,随着Mn含量x由0变化到0.012,其光学带隙Eg由0.320eV增加到0.370eV. 基金

关键词： Pb1-xMnxTe外延薄膜红外透射谱折射率光学带隙

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一种应用于心磁噪声抑制的选择性平均方法研究*

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物理学报 2013年第9期62卷 464-468页

作者：刘明张树林李华邱阳曾佳张国峰王永良孔祥燕* 谢晓明中国科学技术大学信息学院电子科学技术系合肥 230027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

在心磁信号探测中,抑制环境噪声是提取心磁信号的关键.为了提高心磁信号的信噪比,信号平均得到了广泛地使用.然而,由于局部干扰噪声的存在,对整段数据进行平均的传统方法不可避免地会带来心磁信号的失真.本文通过采取模版匹配的方式,提... 详细信息

在心磁信号探测中,抑制环境噪声是提取心磁信号的关键.为了提高心磁信号的信噪比,信号平均得到了广泛地使用.然而,由于局部干扰噪声的存在,对整段数据进行平均的传统方法不可避免地会带来心磁信号的失真.本文通过采取模版匹配的方式,提出了一种选择性平均方法.结果显示,本方法能有效剔除带有低频波动、脉冲毛刺等干扰的数据段,获取高质量的平均心磁信号.

关键词：心磁信号平均噪声抑制信噪比

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化学机械抛光工艺参数对氧化锆陶瓷抛光速率的影响

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表面技术 2018年第9期47卷 266-271页

作者：王光灵刘卫丽刘宇翔孔慧霍军朝宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049

目的探究SiO_2磨料固含量、抛光垫和下压力等工艺参数对氧化锆陶瓷化学机械抛光速率的影响和作用机理。方法采用粒径为80 nm的钠型稳定型硅溶胶,氢氧化钠溶液作为pH调节剂,将硅溶胶pH调至为10。通过CP-4抛光设备进行氧化锆陶瓷抛光实验... 详细信息

目的探究SiO_2磨料固含量、抛光垫和下压力等工艺参数对氧化锆陶瓷化学机械抛光速率的影响和作用机理。方法采用粒径为80 nm的钠型稳定型硅溶胶,氢氧化钠溶液作为pH调节剂,将硅溶胶pH调至为10。通过CP-4抛光设备进行氧化锆陶瓷抛光实验及摩擦系数采集,采用黏度测试仪测试不同固含量硅溶胶的黏度,采用扫描电子显微镜分析了SUBA系列两种抛光垫的微观结构。结果硅溶胶固含量为37%时,抛光速率最快,达到54.3 nm/min,此时摩擦系数最小,为0.1501。随着固含量的增加,摩擦系数小幅增加,并稳定在0.1540附近。硅溶胶固含量高于37%的抛光机制是流体力学作用的结果,固含量低于37%的抛光机制是流体力学和机械力共同作用的结果。扫描电镜下观察发现,SUBA800抛光垫的孔隙尺寸比SUBA600抛光垫的孔隙尺寸小,使用前者的抛光速率快于后者,抛光速率相差10 nm/min。因为孔隙多改变了硅溶胶和抛光垫的接触机制,增大了切应力和摩擦系数,机械作用力加强,从而加快了抛光速率。摩擦系数与下压力没有关系,下压力小于3.5 psi时,抛光速率符合Preston方程。结论对氧化锆陶瓷进行化学机械抛光处理,固含量在37%时,抛光速率最快。SUBA800抛光垫相比SUBA600抛光垫,更适合氧化锆陶瓷抛光。下压力小于3.5 psi时,抛光速率符合Preston方程行为,且摩擦系数和下压力没有关系。

关键词：化学机械抛光氧化锆陶瓷 Si02 抛光机理抛光垫固含量

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InAsP/InGaAsP/InP应变材料的二维倒空间衍射研究

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Journal of Semiconductors 2006年第Z1期27卷 58-63页

作者：黄占超吴惠桢劳燕锋刘成曹萌中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息与功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息与功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息与功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息与功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息与功能材料国家重点实验室上海200050

采用X射线衍射三轴二维倒空间衍射图研究了InP(100)衬底上分子束外延生长的压应变InAsP材料和张应变InGaAsP材料.实验测定了两种材料的(004)面、(224)面的倒空间衍射图,得到了处于部分弛豫状态的InGaAsP在不同方向呈现不同的应变状态.... 详细信息

采用X射线衍射三轴二维倒空间衍射图研究了InP(100)衬底上分子束外延生长的压应变InAsP材料和张应变InGaAsP材料.实验测定了两种材料的(004)面、(224)面的倒空间衍射图,得到了处于部分弛豫状态的InGaAsP在不同方向呈现不同的应变状态.排除了外延层倾斜及应变对确定失配度的影响,准确计算得到InAsP外延层体失配度为1.446%,InGaAsP外延层体失配度为-0.5849%,并且生长了高质量的应变补偿8阱多量子阱.

关键词： X射线衍射倒空间mapping 应变量子阱

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Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs量子阱中电子-LO声子的散射率

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物理学报 2013年第22期62卷 345-350页

作者：陈茜王海龙汪辉龚谦宋志棠山东省激光偏光与信息技术重点实验室曲阜师范大学物理系曲阜273165 中国科学院上海高等研究院上海201203 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

在有效质量近似下利用打靶法求出Ga1 xInxNyAs1 y/GaAs量子阱中的本征能级En,并通过费米黄金规则计算电子-LO声子由第一激发态到基态的散射率和平均散射率随温度、阱宽以及氮(N)和铟(In)组分变化的规律.计算结果表明:在In组分恒定的情况... 详细信息

在有效质量近似下利用打靶法求出Ga1 xInxNyAs1 y/GaAs量子阱中的本征能级En,并通过费米黄金规则计算电子-LO声子由第一激发态到基态的散射率和平均散射率随温度、阱宽以及氮(N)和铟(In)组分变化的规律.计算结果表明:在In组分恒定的情况下,随着N组分的增加,散射率和平均散射率增加;在N组分恒定的情况下,随着In组分的增加,散射率和平均散射率减小;随着温度的增加,在温度较低时散射率和平均散射率随温度的增加变化不大,在温度较高时随温度的增加而增加;随着阱宽的增加,散射率和平均散射率都是先增加到一个最大值,然后再减小,最大值出现在阱宽200 A附近.计算结果对Ga1 xInxNyAs1 y/GaAs量子阱在光电子器件应用方面有一定的指导意义.

关键词：费米黄金规则 Ga1-xInxNyAs1-y GaAs量子阱 LO声子散射率

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高综合性能超导纳米线单光子探测器

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物理学报 2023年第11期72卷 314-321页

作者：郗玲玲杨晓燕张天柱肖游尤立星李浩中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院超导电子学卓越创新中心上海200050 中国科学院大学北京100039

超导纳米线单光子探测器(SNSPD)优异的时间特性(时间抖动和响应速度)是其最具吸引力的优势之一,并且已在量子通信、量子计算等领域中得到广泛应用.然而,由于SNSPD的各技术参数之间相互牵制,使得进一步提升SNSPD综合性能存在技术挑战.小... 详细信息

超导纳米线单光子探测器(SNSPD)优异的时间特性(时间抖动和响应速度)是其最具吸引力的优势之一,并且已在量子通信、量子计算等领域中得到广泛应用.然而,由于SNSPD的各技术参数之间相互牵制,使得进一步提升SNSPD综合性能存在技术挑战.小光敏面SNSPD在时间特性上具有明显优势,但同时存在探测效率低的突出问题.本文为面向量子信息应用的光纤耦合探测器,从开发实用化、产品化SNSPD出发,采用批量对准、高效耦合的自对准封装结构,围绕小光敏面自对准SNSPD综合性能的提升展开研究.采用发散小、易刻蚀的Au/SiO2光学腔,在提高纳米线光吸收效率的同时通过优化自对准芯片外轮廓加工精度的方式来提高自对准SNSPD的光耦合效率,并完成了配套的工艺研发.并通过小芯径光纤从器件封装角度提升耦合效率.除此之外,探测器的双层纳米线结构使其拥有更低的动态电感和更高的超导转变电流,进一步优化了器件的时间特性.实验制备的探测器在2.2 K温度下于1310 nm处达到最大效率82%,并且在1200—1600 nm波长范围内均有65%以上的系统探测效率,同时表现出40 MHz@3 dB的计数率以及38 ps的时间抖动.进一步,利用低温放大器读出系统可得到最小22 ps的时间抖动.本文研制的高综合性能超导单光子探测器,为实用化、产品化SNSPD提供了重要的技术参考.

关键词：超导纳米线单光子探测器自对准封装小光敏面

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铁基超导1111体系CaFeAsF的单晶生长和物性研究

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物理学报 2018年第17期67卷 1-18页

作者：牟刚马永辉中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院超导电子学卓越创新中心上海200050 中国科学院大学北京100049

自2008年发现铁基高温超导以来,人们对该体系的材料探索和物理性质开展了广泛而深入的研究.然而,作为最早被发现并且体材料中临界转变温度最高的一大类材料, 1111体系长期以来一直缺乏大尺寸高质量的单晶样品,这严重制约了对这一材料体... 详细信息

自2008年发现铁基高温超导以来,人们对该体系的材料探索和物理性质开展了广泛而深入的研究.然而,作为最早被发现并且体材料中临界转变温度最高的一大类材料, 1111体系长期以来一直缺乏大尺寸高质量的单晶样品,这严重制约了对这一材料体系相关物理问题的深入研究.最近几年,氟基的1111体系材料CaFeAsF的单晶生长取得了较大进展:以CaAs作为助熔剂,在常压下成功地生长出了毫米尺寸高质量的CaFeAsF母体以及Co掺杂的超导体单晶;在此基础上,多个研究组利用不同实验手段对该体系的物理性质进行了研究,并得到了一些比较重要的结果.本综述对该方向的进展进行初步总结,内容涵盖晶体生长、各向异性、强场下的磁阻、磁力矩、红外光谱、高压调控、量子振荡等内容.

关键词：铁基超导体 1111体系 CaFeAsF 单晶生长

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串联超导量子干涉器件阵列制备与测试分析

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物理学报 2021年第17期70卷 299-304页

作者：梁恬恬张国峰伍文涛倪志王永良应利良伍俊荣亮亮彭炜高波中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院超导电子学卓越创新中心上海200050 中国科学院大学北京100049

串联超导量子干涉器件(superconducting quantum interference device,SQUID)阵列通过增加SQUID数量来达到提升信噪比的目的,即SQUID电压信号随SQUID数目比例增加而总电压噪声正比于SQUID数目的平方根值.本文介绍了利用自主工艺线进行串... 详细信息

串联超导量子干涉器件(superconducting quantum interference device,SQUID)阵列通过增加SQUID数量来达到提升信噪比的目的,即SQUID电压信号随SQUID数目比例增加而总电压噪声正比于SQUID数目的平方根值.本文介绍了利用自主工艺线进行串联SQUID阵列研究的相关研究进展,实现了SQUID数量分别为200和800的阵列集成,测试得到磁通噪声达到0.5μФ_(0)/√Hz和输入电流灵敏度35μA/Ф_(0),等效输入电流噪声达到18pA/√Hz.另外,还给出了阵列参数与集成SQUID数量的关系,验证了设计可靠性和工艺一致性.

关键词：超导量子干涉器件磁通噪声超导制备工艺

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