检索结果-内蒙古大学图书馆

化工学报 2017年第7期68卷 2918-2924页

作者：周王帆陈新曹红亮王海燕赵仰之贾晓博王曼华东理工大学材料科学与工程学院超细材料制备与应用教育部重点实验室上海市先进聚合物材料重点实验室上海200237 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

以生物质法国梧桐枯叶为原料,将炭化的枯叶通过KOH化学活化处理,制备法国梧桐枯叶基活性炭(PLAC)。采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能量色散谱(EDS)、X射线光电子能谱(XPS)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)、氮气吸脱附对法国梧桐基枯叶活性... 详细信息

以生物质法国梧桐枯叶为原料,将炭化的枯叶通过KOH化学活化处理,制备法国梧桐枯叶基活性炭(PLAC)。采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能量色散谱(EDS)、X射线光电子能谱(XPS)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)、氮气吸脱附对法国梧桐基枯叶活性炭的形貌、成分、比表面积、孔径分布等进行表征;运用三电极电化学体系,通过循环伏安,恒流充放电,循环稳定性测试,电化学阻抗谱分析法国梧桐枯叶基活性炭的超级电容器电极性能。结果显示,在800℃下碳化,通过KOH活化处理的法国梧桐基活性炭制备的电极,在1 A·g^(-1)电流密度下,比电容达到266 F·g^(-1)。电极在5 A·g^(-1)的电流密度下循环2000次后,比容量仍保留97.0%,展示出良好的电极性能。

关键词：生物质活性炭电化学法国梧桐超级电容器电极材料

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原位液体室透射电子显微镜技术的发展及应用

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科学通报 2017年第25期62卷 2886-2892页

作者：陈新李唱柯凯华东理工大学材料科学与工程学院超细材料制备与应用教育部重点实验室上海市先进聚合物材料重点实验室上海200237 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

原位液体室透射电子显微镜技术的发展,极大地扩展了透射电子显微镜的使用范围,使之能够以纳米尺度的成像分辨率对液体环境中的样品进行实时动态分析.本文基于本课题组近年来参与和开展的研究,综述了原位液体室电子显微镜的研究进展,包... 详细信息

原位液体室透射电子显微镜技术的发展,极大地扩展了透射电子显微镜的使用范围,使之能够以纳米尺度的成像分辨率对液体环境中的样品进行实时动态分析.本文基于本课题组近年来参与和开展的研究,综述了原位液体室电子显微镜的研究进展,包括原位液体室透射电子显微镜实验装置的研制,及其在纳米材料制备与表征、电化学反应过程、新能源材料与器件、生命科学等领域的应用.最后,对原位液体室透射电子显微镜领域的未来发展趋势进行了展望.

关键词：原位液体室透射电子显微镜纳米材料辐照诱导沉积电化学锂离子电池

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用原位液体池透射电镜技术表征金属钯在球形金纳米颗粒表面的异质沉积

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物理化学学报 2017年第3期33卷 458-463页

作者：周晓琴张辉张泽陈新金传洪华东理工大学材料科学与工程学院超细材料制备与应用教育部重点实验室上海市先进聚合物材料重点实验室上海200237 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 浙江大学材料科学与工程学院硅材料国家重点实验室杭州310027

采用原位液体池透射电镜技术,在扫描透射电子显微镜(STEM)中,实时观察溶液中金属钯(Pd)在金(Au)纳米颗粒及团簇周围的异质沉积过程。通过对该动态过程的定量分析,结合高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对样品进行形貌与结构表征,研究异质沉... 详细信息

采用原位液体池透射电镜技术,在扫描透射电子显微镜(STEM)中,实时观察溶液中金属钯(Pd)在金(Au)纳米颗粒及团簇周围的异质沉积过程。通过对该动态过程的定量分析,结合高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对样品进行形貌与结构表征,研究异质沉积的机理。结果表明,电子束辐照下Au-Pd异质结构纳米颗粒的形成存在两种主要机制:第一种机制中,Pd在Au纳米颗粒表面的生长是以岛状沉积开始,随着时间推移,出现Pd岛的结构弛豫和沿着Au颗粒表面的迁移扩展。伴随Pd的不断沉积和弛豫,Au-Pd复合颗粒的外接圆直径表现为震荡生长,而Au表面的Pd覆盖率显示出随时间单调增加的趋势。第二种机制中,由于Pd单体在Au纳米颗粒上的沉积位点有限,使部分被还原的Pd在Au颗粒以外区域进行同质形核与生长形成Pd团簇,之后再与Au颗粒上的Pd岛合并。进一步的结果分析显示,Au颗粒外围的Pd沉积体为多晶结构,由随机取向的Pd纳米晶粒构成。

关键词：原位液体池透射电镜贵金属纳米晶异质沉积结构弛豫表面迁移

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硅基片上刻蚀衍射光栅及其平坦化设计

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激光技术 2017年第3期41卷 361-366页

作者：陈鑫武爱民仇超黄海阳赵瑛璇盛振李伟甘甫烷中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049

刻蚀衍射光栅(EDG)作为实现波分复用功能的关键器件,对于片上光互连的实现至关重要。为了实现1310nm波段通道间隔为20nm的硅基EDG,采用了基尔霍夫标量衍射理论仿真方法进行理论设计和仿真验证,通过在闪耀光栅反射面引入布喇格反射光栅... 详细信息

刻蚀衍射光栅(EDG)作为实现波分复用功能的关键器件,对于片上光互连的实现至关重要。为了实现1310nm波段通道间隔为20nm的硅基EDG,采用了基尔霍夫标量衍射理论仿真方法进行理论设计和仿真验证,通过在闪耀光栅反射面引入布喇格反射光栅来提高反射效率、降低器件插入损耗,并在入射波导处引入多模干涉耦合器以实现通道频谱平坦化设计。结果表明,闪耀光栅反射面的反射效率由35%提高到了85%,1d B带宽达到12nm。这对于提高系统稳定性、增大传输距离和容量、降低系统成本具有显著作用,能够满足光互连系统的实际应用需求。

关键词：集成光学刻蚀衍射光栅硅基光互连波分复用技术

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一种用于PCRAM的嵌入式片内电容电荷泵

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微电子学 2017年第6期47卷 806-809页

作者：田震陈后鹏雷宇李喜王倩李晓云宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049

针对相变存储器小片内电容和低功耗的应用要求,在分析传统升压式电容电荷泵局限性的基础上,提出了一种应用于相变存储单元的嵌入式片内电容电荷泵。该电容电荷泵无需电感器件,存储单元不会受到高电磁干扰,采用了特殊的互补型电荷泵升压... 详细信息

针对相变存储器小片内电容和低功耗的应用要求,在分析传统升压式电容电荷泵局限性的基础上,提出了一种应用于相变存储单元的嵌入式片内电容电荷泵。该电容电荷泵无需电感器件,存储单元不会受到高电磁干扰,采用了特殊的互补型电荷泵升压方法,具有电源效率高、瞬态响应速度快、面积小、电容可片内集成等优点。在SMIC 40nm标准CMOS工艺条件下,对设计的嵌入式片内电容电荷泵进行仿真。结果表明,负载电流变化为250mA/μs时,输出瞬态响应时间为374.2ns,电源转换效率可达81.65%,静态电流为7.22μA,输出能力为4V/2.5mA。

关键词：电荷泵片内电容低功耗电源效率瞬态响应

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Littman结构的平移透镜外腔半导体激光器

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激光杂志 2017年第6期38卷 1-3页

作者：荣春朝严进一龚谦中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049

首次提出并实现了一种利用笼式共轴系统搭建的Littman结构平移透镜外腔半导体激光器。通过微调节架驱动准直透镜平移从而改变光栅表面的激光入射角,可以实现约8.5 nm的连续波长调谐,准直透镜平移1μm波长改变约0.02 nm,实验测量值与理... 详细信息

首次提出并实现了一种利用笼式共轴系统搭建的Littman结构平移透镜外腔半导体激光器。通过微调节架驱动准直透镜平移从而改变光栅表面的激光入射角,可以实现约8.5 nm的连续波长调谐,准直透镜平移1μm波长改变约0.02 nm,实验测量值与理论计算值能够很好地吻合。通过压电陶瓷驱动准直透镜平移,研究了Littman结构平移透镜外腔半导体激光器的跳模特性并定性分析了发生跳模的基本原理。此外,该外腔系统的出射激光具有优异的单模特性和稳定性,室温下工作电流为300 m A时单模输出功率超过18 m W。

关键词：调谐激光器平移透镜跳模单模激射

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9通道心磁图仪性能测试与临床应用研究

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低温物理学报 2017年第3期39卷 1-6页

作者：李明张朝祥张树林陈威鲁丽王毅孔祥燕中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院超导电子学卓越创新中心中国科学院大学

中国科学院上海微系统与信息技术研究所自主研制了9通道心磁图仪,可在闹市区的简易磁屏蔽环境中稳定工作.本系统包含9个信号通道和3个参考通道,通过采集人体的36点心磁信号,可提供等磁图、伪电流密度图等一系列磁成像,供医生解读.本文... 详细信息

中国科学院上海微系统与信息技术研究所自主研制了9通道心磁图仪,可在闹市区的简易磁屏蔽环境中稳定工作.本系统包含9个信号通道和3个参考通道,通过采集人体的36点心磁信号,可提供等磁图、伪电流密度图等一系列磁成像,供医生解读.本文主要基于该系统进行了完整的性能测试与评估,测得该系统多周期时域噪声水平优于4pT,系统带宽为DC-40Hz,9个信号通道的磁场-电压转换系数约为2500pT/V、系统摆率达0.3×106Φ0/s.目前,该系统已经成功采集接近50余例志愿者的心磁数据,为临床研究提供了极具价值的医学信息.

关键词：心磁图仪超导量子干涉器件临床研究

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探究GSMBE制备GaAsBi薄膜中生长条件对Bi浓度的影响

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材料科学与工程学报 2017年第3期35卷 352-357页

作者：崔健潘文武吴晓燕陈其苗刘娟娟张振普王庶民中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 查尔姆斯理工大学微技术与纳米科学系瑞典哥德堡41296

为了探究GaAsBi薄膜生长中生长条件与Bi浓度的关系,我们利用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过改变每个GaAsBi单层的生长温度、AsH_3压和Bi源温度,在半绝缘GaAs(100)衬底上生长GaAsBi的多层结构。通过二次离子质谱(SIMS)及透射电镜X光谱... 详细信息

为了探究GaAsBi薄膜生长中生长条件与Bi浓度的关系,我们利用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过改变每个GaAsBi单层的生长温度、AsH_3压和Bi源温度,在半绝缘GaAs(100)衬底上生长GaAsBi的多层结构。通过二次离子质谱(SIMS)及透射电镜X光谱(EDX)测试得出:GaAsBi中Bi的浓度随着生长温度的升高而降低,且生长速率越慢表面偏析和再蒸发严重,可导致Bi浓度下降趋势更明显;Bi浓度随着AsH_3压的升高而减小,在As_2和Ga束流比在0.5~0.8之间几乎成线性变化,远不如固态源MBE敏感;此外,Bi源温度升高,Bi掺入的浓度也会增大,但是当生长温度大于420℃时,Bi就很难凝入。

关键词： GaAsBi 气态源分子束外延生长温度 AsH3压 Bi源温度

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非易失性突触存储阵列及神经元电路的设计

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微电子学与计算机 2017年第11期34卷 1-5页

作者：叶勇亢勇景蔚亮杜源宋志棠陈邦明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 上海新储集成电路有限公司上海200122

传统的神经形态芯片一般采用SRAM阵列来存储突触权重,掉电后数据会丢失,且只能通过单一地址译码进行存取,不利于突触权重的更新.为此,本文基于40nm先进工艺并结合嵌入式相变存储器设计了一种非易失性突触存储阵列及神经元电路,为神经元... 详细信息

传统的神经形态芯片一般采用SRAM阵列来存储突触权重,掉电后数据会丢失,且只能通过单一地址译码进行存取,不利于突触权重的更新.为此,本文基于40nm先进工艺并结合嵌入式相变存储器设计了一种非易失性突触存储阵列及神经元电路,为神经元的突触权重存储和更新提供了一种有效、高速和低功耗的解决方案.

关键词：神经元突触非易失性相变存储器人工神经网络

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0.13 μm SOI标准单元库抗总剂量辐射的测试验证

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半导体技术 2017年第6期42卷 469-474页

作者：卢仕龙刘汝萍林敏俞跃辉董业民中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 上海科技大学物质科学与技术学院上海201210

基于上海微系统与信息技术研究所0.13μm抗辐射部分耗尽(PD)绝缘体上硅(SOI)互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺标准单元库,设计了一款测试芯片,针对总剂量辐射效应对抗辐射标准单元库的验证方法进行研究。测试芯片主要用于测试标准单元的... 详细信息

基于上海微系统与信息技术研究所0.13μm抗辐射部分耗尽(PD)绝缘体上硅(SOI)互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺标准单元库,设计了一款测试芯片,针对总剂量辐射效应对抗辐射标准单元库的验证方法进行研究。测试芯片主要用于测试标准单元的功能和性能,同时为了满足总剂量辐射测试的试验要求,开发了现场可编程门阵列(FPGA)自动测试平台,用于芯片测试和数据采集工作。试验在模拟空间辐射环境下进行,通过了总剂量150 krad(Si)的辐射测试。测试经过辐射后的芯片,单元功能保持正确,性能变化在10%以内,经过退火处理后,内核(core)电流恢复辐射前的水平。

关键词：绝缘体上硅(SOI) 标准单元库测试芯片总剂量辐射现场可编程门阵列(FPGA)

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