检索结果-内蒙古大学图书馆

材料科学与工程学报 2017年第4期35卷 542-547页

作者：汪翔陈新周王帆李顺英华东理工大学材料科学与工程学院超细材料制备与应用教育部重点实验室上海市先进聚合物材料重点实验室上海200237 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

本文以化学沉淀法制备出立方体Cu_2O,以Cu_2O为模板用水热离子交换法制备出纳米Cu_7S_4。利用X-射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对Cu_7S_4进行测试,结果显示Cu_7S_4具有中空立方体结构,平均尺寸在550nm左右... 详细信息

本文以化学沉淀法制备出立方体Cu_2O,以Cu_2O为模板用水热离子交换法制备出纳米Cu_7S_4。利用X-射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对Cu_7S_4进行测试,结果显示Cu_7S_4具有中空立方体结构,平均尺寸在550nm左右。使用三电极体系,采用循环伏安法、恒流充放电、电化学阻抗谱和循环稳定性分析研究了Cu_7S_4的电化学性能。测试结果表明,当电流密度为1A·g^(-1)时,Cu_7S_4的比电容为275F·g^(-1)。在电流密度为4A·g^(-1)时,Cu_7S_4循环1000次仍能保留94.8%的比电容,展示出良好的循环性能。

关键词：纳米立方体水热合成电化学超级电容器

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多线性-环化和枝化结构共聚物制备还原响应性胶束的研究

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化工新型材料 2017年第10期45卷 109-111页

作者：宋华杰谢德彪曹红亮陈新华东理工大学材料科学与工程学院超细材料制备与应用教育部重点实验室上海200237 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

将聚乙二醇大分子引发剂(PEG5KBr)和二丙烯酰胺乙氧基二硫化物(BADS)分别作为引发剂和交联剂,以甲基丙烯酸丁酯(BMA)为疏水性单体,采用逆向增强-原子转移自由基聚合得到新型的两亲性嵌段共聚物。通过核磁共振氢谱和凝胶渗透色谱对聚合... 详细信息

将聚乙二醇大分子引发剂(PEG5KBr)和二丙烯酰胺乙氧基二硫化物(BADS)分别作为引发剂和交联剂,以甲基丙烯酸丁酯(BMA)为疏水性单体,采用逆向增强-原子转移自由基聚合得到新型的两亲性嵌段共聚物。通过核磁共振氢谱和凝胶渗透色谱对聚合物的组成和结构进行表征;由动态光散射和透射电子显微镜测试聚合物自组装产物的尺寸和形貌。结果表明:聚合物组成为PEG1-PBMA45-PBADS5,数均分子量为20900,呈现出独特的多线性-环化和枝化分子结构,其中枝化度为11%,环化度为27%。聚合物能够自组装成40nm左右、具有还原响应性的球形胶束。

关键词：载药高分子材料逆向增强-原子转移自由基聚合还原响应性嵌段共聚物环化和枝化

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700℃退火下铝调制镍硅锗薄膜的外延生长机理

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物理学报 2016年第3期65卷 214-220页

作者：平云霞王曼乐孟骁然侯春雷俞文杰薛忠营魏星张苗狄增峰张波上海工程技术大学基础学院上海201600 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

文章研究了在700℃退火下,铝插入层调制镍和硅锗合金反应形成单相镍硅锗化物的生长机理.透射电镜测试结果表明,镍硅锗薄膜和硅锗衬底基本达到赝晶生长;二次质谱仪和卢瑟福沟道背散射测试结果表明,在镍硅锗薄膜形成的过程中,铝原子大部... 详细信息

文章研究了在700℃退火下,铝插入层调制镍和硅锗合金反应形成单相镍硅锗化物的生长机理.透射电镜测试结果表明,镍硅锗薄膜和硅锗衬底基本达到赝晶生长;二次质谱仪和卢瑟福沟道背散射测试结果表明,在镍硅锗薄膜形成的过程中,铝原子大部分移动到镍硅锗薄膜的表面.研究结果表明,铝原子的存在延迟了镍和硅锗合金的反应,镍硅锗薄膜的热稳定性和均匀性都得到了提高.最后,基于上述实验结果给出了铝原子调制形成外延镍硅锗薄膜的生长机理.

关键词：外延生长机理铝插入层镍硅锗薄膜

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锗基石墨烯研制进展

锗基石墨烯研制进展

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第十二届全国分子束外延学术会议

作者：狄增峰张苗谢晓明王曦信息功能材料国家重点实验室上海微系统与信息技术研究所中国科学院

大尺寸单晶硅晶圆支撑集成电路发展持续六十余年.石墨烯材料作为具有极高载流子迁移率的沟道材料,有望替代当前的硅材料应用于未来集成电路技术中.当前,石墨烯材料主要利用化学气相外延方法生长在金属衬底上.然而,要实现真正石墨烯基集... 详细信息

大尺寸单晶硅晶圆支撑集成电路发展持续六十余年.石墨烯材料作为具有极高载流子迁移率的沟道材料,有望替代当前的硅材料应用于未来集成电路技术中.当前,石墨烯材料主要利用化学气相外延方法生长在金属衬底上.然而,要实现真正石墨烯基集成电路,金属基底石墨烯难以与微电子工艺兼容,因此迫切需要将石墨烯材料与半导体衬底集成.通过研究发现，在半导体锗衬底上能够通过CVD方法生长出大面积连续石墨烯薄膜，石墨烯薄膜生长行为与锗衬底晶向具有紧密相关性。锗（100）和锗（111）两种衬底上易于获得随机取向的石墨烯晶畴，从而相互合并形成多晶石墨烯。锗（110）衬底台阶处晶格匹配效应，能够导致石墨烯晶畴取向排列，从而能够无缝拼接，形成单晶石墨烯晶圆。目前，已经成功4英寸单晶石墨烯晶圆演示，有望真正将石墨烯材料应用于集成电路制造。

关键词：锗基石墨烯化学气相沉积晶格匹配电学性能

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InGaAs/InAlAs异变探测器应变弛豫和载流子输运调控

InGaAs/InAlAs异变探测器应变弛豫和载流子输运调控

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第二十一届全国半导体物理学术会议

作者：顾溢张永刚陈星佑马英杰杜奔张见中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海

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SOI MOSFET背栅总剂量辐射效应电流模型

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电子设计工程 2017年第5期25卷 142-145,149页

作者：黄建强何伟伟陈静罗杰馨中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049

基于SOI CMOS技术的抗辐射电路设计存在开发周期长、测试费用昂贵的问题。针对这一难点,本文通过对总剂量辐射效应机理的分析,提出了一种背栅总剂量效应电流模型。模型验证结果表明,该背栅总剂量模型仿真结果能高度吻合测试结果,模型能... 详细信息

基于SOI CMOS技术的抗辐射电路设计存在开发周期长、测试费用昂贵的问题。针对这一难点,本文通过对总剂量辐射效应机理的分析,提出了一种背栅总剂量效应电流模型。模型验证结果表明,该背栅总剂量模型仿真结果能高度吻合测试结果,模型能够给电路设计者提供可靠的仿真结果,缩短抗辐射电路开发周期,具有实用意义。

关键词： SOI MOSFET 总剂量效应背栅晶体管电流模型

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相变存储器材料研究

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中国科学：物理学、力学、天文学 2016年第10期46卷 119-127页

作者：吴良才宋志棠周夕淋饶峰封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

作为下一代最具竞争力的新型存储技术之一,相变存储技术近十多年来得到突飞猛进的发展,相关产品已经问世并实现量产.伴随着相变存储技术本身的发展,与其相关的基础研究也是近年来信息、材料等相关领域的研究热点.基于硫系化合物材料的... 详细信息

作为下一代最具竞争力的新型存储技术之一,相变存储技术近十多年来得到突飞猛进的发展,相关产品已经问世并实现量产.伴随着相变存储技术本身的发展,与其相关的基础研究也是近年来信息、材料等相关领域的研究热点.基于硫系化合物材料的相变存储介质是相变存储器的基础和核心,相变材料的性能决定相变存储器的性能.本文简要介绍了相变存储器的产业化动态、总结了常用GeSbTe相变材料及其机理的主要理论研究结果、分析了传统GeSbTe相变材料的C掺杂改性及其相变机理.

关键词：相变存储器 GeSbTe 相变机理 C掺杂

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InP基短波红外探测器与激光器研究最新进展

InP基短波红外探测器与激光器研究最新进展

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第十二届全国分子束外延学术会议

作者：顾溢张永刚陈星佑马英杰奚苏萍杜奔纪婉嫣师艳辉张见朱怡李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

在本报告中，将介绍在研究InP基大于1.7微米的短波红外波段探测器及激光器方面的最新进展。这些材料和器件均是采用气态源分子束外延生长的。对于探测器，设计并生长了不同结构的InP基异变InAlAs缓冲层，分析了组分阶跃递变、组分阶跃-... 详细信息

在本报告中，将介绍在研究InP基大于1.7微米的短波红外波段探测器及激光器方面的最新进展。这些材料和器件均是采用气态源分子束外延生长的。对于探测器，设计并生长了不同结构的InP基异变InAlAs缓冲层，分析了组分阶跃递变、组分阶跃-连续递变缓冲层的弛豫过程以及缓冲层性能，研究了缓冲层掺杂对弛豫过程的影响;利用铋在融入III-V族材料晶格后产生大带隙收缩的效应，生长并分析了与InP衬底具有不同晶格失配度的InGaAsBi材料，基于与InP衬底接近晶格匹配的InGaAsBi材料研制了截止波长2.1微米的探测器，还通过适当增加In组分获得了截止波长达2.6微米的InGaAsBi探测器。在激光器方面，发展了梯形量子阱和InAlGaAs四元材料波导新结构，在生长InP基大失配高应变量子阱时采用铋作为表面剂提高了材料和器件的质量;在InP基In0.83Al0.17As异变衬底上生长了具有不同铋组分的InAsBi量子阱，室温下光致发光波长最长达到3.1微米。在材料和器件研究的基础上，所研制的InGaAs探测材料进一步在航天遥感载荷中获得了应用。

关键词：短波红外探测器激光器晶格结构性能表征

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Ⅲ-Ⅴ雪崩光电探测器:低电压、波长延伸及量子倍增增强

Ⅲ-Ⅴ雪崩光电探测器:低电压、波长延伸及量子倍增增强

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第十二届全国分子束外延学术会议

作者：马英杰张永刚顾溢陈星佑奚苏萍杜奔师艳辉纪婉嫣李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

本报告将介绍在InGaAs APD方面的持续探索，包括低电压型InGaAsAPD，波长延伸型InGaAs APD,和采用量子点倍增增强结构的GaAs APD概念演示器件。其中低电压型器件采用薄InAlAs电子倍增层和倍增吸收分离型结构，具有低工作电压、低击穿电... 详细信息

本报告将介绍在InGaAs APD方面的持续探索，包括低电压型InGaAsAPD，波长延伸型InGaAs APD,和采用量子点倍增增强结构的GaAs APD概念演示器件。其中低电压型器件采用薄InAlAs电子倍增层和倍增吸收分离型结构，具有低工作电压、低击穿电压温度系数，高线性增益系数和高增益稳定性及阵列增益均匀性等优良特性，适合于进一步发展APD焦平面应用。波长延伸型器件在InP衬底上采用In0.75Ga0.25As赝配吸收层和In0.52Al0.48As晶格匹配倍增层，获得了截止波长为2.25μm的APD器件，77K下增益系数达22。证实了在赝配架构下延伸APD响应波长至中红外波段的可行性。倍增增强型器件则演示了采用InAs量子点倍增区实现对载流子雪崩几率的增强。报告中还将对APD器件的发展和应用趋势做出总结。

关键词：雪崩光电探测器电压控制波长延伸量子倍增

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含超晶格电子势垒的In0.83Ga0.17As/InP探测器结构优化

含超晶格电子势垒的In0.83Ga0.17As/InP探测器结构优化

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第十二届全国分子束外延学术会议

作者：师艳辉张永刚顾溢马英杰陈星佑龚谦纪婉嫣杜奔中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

在民用和军用的短波红外(SWIR）探测器中,1-3μm波段的高铟组分InxGa1-xAs(x>0.53)pin型光电二极管探测器已获得广泛应用.不同于光通信应用中将探测器的带宽作为关键器件性能指标,航天遥感应用则更强调探测器的暗电流和光电流参数,... 详细信息

在民用和军用的短波红外(SWIR）探测器中,1-3μm波段的高铟组分InxGa1-xAs(x>0.53)pin型光电二极管探测器已获得广泛应用.不同于光通信应用中将探测器的带宽作为关键器件性能指标,航天遥感应用则更强调探测器的暗电流和光电流参数,对于响应速度则并没有苛刻的要求.在具有相同器件结构的赝配In0.83Ga0.17As/InP探测器的吸收层中插入In0.66Ga0.34As/InAs超晶格电子势垒，并调控势垒的插入位置，分别位于吸收层的正中间(PD-1)和吸收层内靠近PN结耗尽区的位置(PD-2)。测试结果表明PD-2在室温时拥有更强的光响应度.77K下，PD2的暗电流比PD-1降低了1个数量级。

关键词：短波红外探测器光电二极管铟砷化镓磷化铟基超晶格电子势垒结构设计光响应度暗电流

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