检索结果-内蒙古大学图书馆

低温物理学报 2014年第2期36卷 136-139页

作者：刘洋荣亮亮蒋坤常凯孔祥燕谢晓明信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所中科院上海微系统所-吉林大学“地球物理探测技术”联合实验室上海科技大学

超导量子干涉器件(SQUID)是超导磁力仪的核心器件,应用于地球物理探测时,环境射频电磁场干扰SQUID工作,导致性能(噪声和工作稳定性等)全面下降,甚至无法正常工作.本文运用电磁场仿真技术和测试方法,对物探SQUID应用的射频干扰屏蔽方法... 详细信息

超导量子干涉器件(SQUID)是超导磁力仪的核心器件,应用于地球物理探测时,环境射频电磁场干扰SQUID工作,导致性能(噪声和工作稳定性等)全面下降,甚至无法正常工作.本文运用电磁场仿真技术和测试方法,对物探SQUID应用的射频干扰屏蔽方法与效果进行分析研究.模拟户外环境仿真,结果表明:随着屏蔽层数增加可屏蔽的射频场的频谱范围增大,8层时就可达到满意的屏蔽效果.测试与仿真结果的规律一致.基于室内和户外两种不同电磁环境开展了低温SQUID工作射频屏蔽对比验证.实验结果表明:不同应用环境对系统射频屏蔽的要求不同(室内:2层以上屏蔽,户外:8层以上屏蔽).本研究为定量分析并解决物探环境射频屏蔽的关键问题奠定了基础.

关键词： SQUID 物探应用有限元分析射频屏蔽

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相变存储器及其发展

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功能材料信息 2014年第5期11卷 7-10页

作者：宋志棠成岩中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

相变存储器作为一种新型的基于硫系化合物薄膜的随机存储器,被认为最有可能在不远的将来成为主流的非易失性存储器。本文将对相变存储器的基本概念、原理、发展现状及产业化趋势作以介绍。

关键词：相变存储器发展

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基于同步辐射的软X光谱学在能源材料电子结构研究中的应用

基于同步辐射的软X光谱学在能源材料电子结构研究中的应用

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中国化学会第29届学术年会

作者：刘啸嵩中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息与功能材料国家重点实验室

能源材料的电子结构从根本上决定器件的性能。如何准确测量及调控材料的电子结构已成为材料科学领域最重要的研究方向之一。软X射线光谱学对于研究材料的电子结构和化学性质具有独特优势。利用先进同步辐射光源广谱、高亮度、高分辨率... 详细信息

能源材料的电子结构从根本上决定器件的性能。如何准确测量及调控材料的电子结构已成为材料科学领域最重要的研究方向之一。软X射线光谱学对于研究材料的电子结构和化学性质具有独特优势。利用先进同步辐射光源广谱、高亮度、高分辨率等优势,我们可以选择性地激发材料中处于特定初始能级的电子。在激发-衰变过程中,光子或电子将携带特定能带上的信息被释放出来。通过对出射电子或光子的测量,我们可以得到包括元素,化学键,轨道,位点,占有态和非占有态等全面的信息。进一步结合能源材料的特点,与可控材料生长结合,发展原位实验装置和测量方法,突破传统高真空壁垒,实现在可变气氛、可变压强、和模拟真实工作环境下材料电子结构测量。在此报告中,我将通过锂离子电池材料等方面的研究实例,向大家介绍一下软X射线光谱学的原理和其在能源材料领域中的应用。

关键词：同步辐射软X光谱学电子结构能源材料

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基于同步辐射的软X光谱学在锂离子电池材料研究中的应用

基于同步辐射的软X光谱学在锂离子电池材料研究中的应用

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第17届全国固态离子学学术会议暨新型能源材料与技术国际研讨会

作者：刘啸嵩中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息与功能材料国家重点实验室

【引言】电极材料的电子结构是决定锂电池性能的重要因素。如何准确测量及调控材料的电子结构已成为锂电池研究领域重要的学科方向之一。软X射线光谱学对于研究材料的电子结构和化学性质具有独特优势。利用先进同步辐射光源广谱、高亮...

【引言】电极材料的电子结构是决定锂电池性能的重要因素。如何准确测量及调控材料的电子结构已成为锂电池研究领域重要的学科方向之一。软X射线光谱学对于研究材料的电子结构和化学性质具有独特优势。利用先进同步辐射光源广谱、高亮度、高分辨率等优势,可以选择性地激发材料中处于特定初始能级的电子。在激发-衰变过程中,光子或电子将携带特定能带上的信息

关键词：

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基于加权叠加算法的多通道极低场MRI图像重建

基于加权叠加算法的多通道极低场MRI图像重建

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第十三届全国超导薄膜和超导电子器件学术研讨会

作者：常宝林邱隆清董慧刘超谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

基于超导量子干涉器件(SQUID)的极低场核磁共振及其成像(ULF-NMR/MRI)以高性能、低成本、可移动、易集成等优点成为国际上SQUID应用领域的研究热点之一。采用多通道成像是ULF-MRI的发展趋势,但需采用重建算法对图像进行重建。本文基于... 详细信息

基于超导量子干涉器件(SQUID)的极低场核磁共振及其成像(ULF-NMR/MRI)以高性能、低成本、可移动、易集成等优点成为国际上SQUID应用领域的研究热点之一。采用多通道成像是ULF-MRI的发展趋势,但需采用重建算法对图像进行重建。本文基于加权叠加图像重建(WISR)算法,采用Matlab编写了多通道MRI图像重建软件,建立了多通道模型进行仿真,重建全成像视野(FOV)图像。在此基础上分析了探测器半径和样品到探测器间距等因素对图像重建的影响。最后采用果蔬样品进行了四通道极低场MRI测量,对测量数据进行图像重建软件处理,得到样品的全FOV图像,二维图像空间分辨率达2×2mm2,验证了该方法的可行性。

关键词： SQUID 极低场磁共振成像图像重建多通道

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无屏蔽环境下基于SQUID探测的多通道极低场MRI研究

无屏蔽环境下基于SQUID探测的多通道极低场MRI研究

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第十三届全国超导薄膜和超导电子器件学术研讨会

作者：刘超邱隆清董慧常宝林谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

在无屏蔽实验室环境中，我们搭建了一套基于低温超导量子干涉器件(SQUID)的4通道二阶梯度计探测系统用于极低场核磁共振及其成像(ULF-NMR/MRI)研究.为了提高测量信噪比，一对软铁屏蔽的永磁体被用作预极化场，其中心磁场达0.65T;为了精... 详细信息

在无屏蔽实验室环境中，我们搭建了一套基于低温超导量子干涉器件(SQUID)的4通道二阶梯度计探测系统用于极低场核磁共振及其成像(ULF-NMR/MRI)研究.为了提高测量信噪比，一对软铁屏蔽的永磁体被用作预极化场，其中心磁场达0.65T;为了精确快速地在永磁体和SQUID探测器之间传输样品，我们采用了一套商用的电动执行器.在传送距离为1m时，传输时间约为350ms.采用由6组线圈组成的全张量一阶梯度补偿方法，极大地改善了测量场均匀性.采用傅里叶成像方法及多通道加权叠加重建算法，获得了果蔬样品的四通道极低场MRI二维及三维图像，三维图像空间分辨率达224mm2.

关键词： SQUID 极低场MRI 全张量梯度补偿多通道

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高性能磁通量子计数式SQUID读出电路

高性能磁通量子计数式SQUID读出电路

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第十三届全国超导薄膜和超导电子器件学术研讨会

作者：王永良徐小峰孔祥燕谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所，信息功能材料国家重点实验室，上海 200050

直流超导量子干涉器件(SQUID：Superconducting QUantum Interference Device)的磁通电压传输特性曲线是周期性的。利用该特性可实现磁通量子计数式大量程SQUID 磁传感器。其原理是当SQUID 磁通锁定环路(FLL：Flux-Locked Loop)反馈磁... 详细信息

直流超导量子干涉器件(SQUID：Superconducting QUantum Interference Device)的磁通电压传输特性曲线是周期性的。利用该特性可实现磁通量子计数式大量程SQUID 磁传感器。其原理是当SQUID 磁通锁定环路(FLL：Flux-Locked Loop)反馈磁通达到整数个磁通量子时,通过FLL 复位实现工作点迁移重新锁定输出,记录工作点迁移的磁通量子数和FLL模拟输出,实现大量程磁通测量。磁通量子计数式读出电路的关键是要求FLL 能快速准确地完成预设工作点迁移,否则出现复位失败和磁通量子误计数。本文高性能读出电路采用无积分器的FLL 设计,缩短复位时间,提高电路响应能力。同时采用状态控制电路,确保工作点迁移到预定的工作点,避免了误计数。经实验验证上述电路工作点切换时间小于5uS,可满足200kHz 高采样率测量应用需求。

关键词：直流超导量子干涉器件读出电路磁通量子计数磁通锁定回路

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铟镓砷单量子阱低温俄歇复合增强机制的光谱分析

铟镓砷单量子阱低温俄歇复合增强机制的光谱分析

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第十七届全国凝聚态光学性质会议

作者：朱亮宋禹忻祁镇王庶民邵军中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 中国科学院上海微系统与信息技术研究所功能信息材料国家重点实验室上海 200050

铟镓砷(InGaAs)是重要的信息功能材料,在光通信器件和固态激光器中应用广泛.但由于其合金特性,该材料易形成铟聚集团簇或缺陷,从而导致器件性能偏离.一般认为,富铟团簇导致载流子局域,进而导致光谱能量S形温度演化[1].最近,有研究报道...

铟镓砷(InGaAs)是重要的信息功能材料,在光通信器件和固态激光器中应用广泛.但由于其合金特性,该材料易形成铟聚集团簇或缺陷,从而导致器件性能偏离.一般认为,富铟团簇导致载流子局域,进而导致光谱能量S形温度演化[1].最近,有研究报道了相近材料中的低温俄歇复合增强效应,其根源尚不清楚[2].载流子的空间局域会增加动量不确定性,导致载流子俄歇复合过程的增强.因此,S形演化与低温俄歇复合间可能正相关.

关键词：

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大电流负载的片上LDO系统设计

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电子学报 2013年第7期41卷 1431-1435页

作者：胡佳俊陈后鹏宋志棠王倩宏潇李喜许伟义中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

本文分析了传统大电流负载的LDO(Low-dropout Regulator)系统实现系统稳定性和瞬态响应提高的局限性,在此基础上,提出了一种片内集成的瞬态响应提高技术.此技术无需外挂电容和等效串联电阻(Equivalent SeriesResistor,ESR),即能使系统... 详细信息

本文分析了传统大电流负载的LDO(Low-dropout Regulator)系统实现系统稳定性和瞬态响应提高的局限性,在此基础上,提出了一种片内集成的瞬态响应提高技术.此技术无需外挂电容和等效串联电阻(Equivalent SeriesResistor,ESR),即能使系统在全负载范围内保持稳定性和良好的纹波抑制能力.仿真结果表明,系统空载时,静态电流为64μA,且最大能提供800mA的负载电流,1KHz时的电源抑制比达到-60dB,当负载电流以800mA/5μs跳变时,最大下冲电压为400mV,上冲电压为536mV,恢复时间分别只需6.7μs和12.8μs,版图面积约为0.64mm2.

关键词：瞬态响应相位裕度快速响应低压差大电流负载

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新型相变材料Ti_(0.5)Sb_2Te_3刻蚀工艺及其机理研究

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无机材料学报 2013年第12期28卷 1364-1368页

作者：张徐刘波宋三年姚栋宁朱敏饶峰吴良才宋志棠封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100083

采用CF4和Ar混合气体研究了新型相变材料Ti0.5Sb2Te3(TST)的刻蚀特性,重点优化和研究了刻蚀气体总流速、CF4/Ar的比例、压力和功率等工艺参数对刻蚀形貌的影响。结果表明,当气体总流量为50 sccm、CF4浓度为26%﹑刻蚀功率为400 W和刻蚀... 详细信息

采用CF4和Ar混合气体研究了新型相变材料Ti0.5Sb2Te3(TST)的刻蚀特性,重点优化和研究了刻蚀气体总流速、CF4/Ar的比例、压力和功率等工艺参数对刻蚀形貌的影响。结果表明,当气体总流量为50 sccm、CF4浓度为26%﹑刻蚀功率为400 W和刻蚀压力为13.3 Pa时,刻蚀速度达到126 nm/min,TST薄膜刻蚀图形侧壁平整而且垂直度好(接近90°)﹑刻蚀表面平整(RMS为0.82 nm)以及刻蚀的片内均匀性等都非常好。

关键词：新型相变材料干法刻蚀 CF4+Ar气体刻蚀速度

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