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第十一届全国超导学术研讨会暨超导发现100周年纪念大会

作者：王永良张国峰董慧王会武邱隆清谢晓明张懿中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 peter Grünberg Institute (PGI-8)Forschungszentrum Jülich (FZJ)Jülich 52425Germany

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单极型量子级联激光器的发明及其进展(邀请论文)

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中国激光 2010年第9期37卷 2213-2220页

作者：李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 信息功能材料国家重点实验室上海200050

1960年发明的固态激光器和气体激光器,1962年发明的双极型半导体激光器和1994年发明的单极型量子级联激光器(QCL)是激光领域的三个重大革命性里程碑。自1994年发明单极型QCL以来,目前已研制出波长覆盖2.63～360μm,室温连续功率达瓦级... 详细信息

1960年发明的固态激光器和气体激光器,1962年发明的双极型半导体激光器和1994年发明的单极型量子级联激光器(QCL)是激光领域的三个重大革命性里程碑。自1994年发明单极型QCL以来,目前已研制出波长覆盖2.63～360μm,室温连续功率达瓦级的系列中远红外波段单极型QCL。本文对QCL的发明、激射机制、材料与激光器进行了综述性介绍。讨论了QCL及其在环境与气候监测、医学成像和检查及疾病诊断、通信、国土安全等战略新兴应用领域的研究现状和未来发展趋势。

关键词：半导体激光量子级联激光器分子束外延中远红外

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晶格失配度达2.6%的波长扩展InGaAs/InP光电探测器结构(英文)

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红外与毫米波学报 2010年第2期29卷 81-86页

作者：顾溢李成王凯李好斯白音李耀耀张永刚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

利用气态源分子束外延,采用相对较高的1.1%μm-1失配度变化速率,在InAlAs递变缓冲层上生长了晶格失配度高达2.6%的InP基InGaAs变形晶格探测器结构,并与采用相同结构而晶格失配度为1.7%和2.1%的探测器样品进行了比较。通过原子力显微镜、... 详细信息

利用气态源分子束外延,采用相对较高的1.1%μm-1失配度变化速率,在InAlAs递变缓冲层上生长了晶格失配度高达2.6%的InP基InGaAs变形晶格探测器结构,并与采用相同结构而晶格失配度为1.7%和2.1%的探测器样品进行了比较。通过原子力显微镜、X射线衍射、光致发光和器件特性测试对样品进行了表征。结果显示该晶格失配度达2.6%的探测器结构具有较好的表面形貌、较大的晶格弛豫度和理想的光学特性。器件室温截止波长约为2.9μm,直径为300μm的器件室温下在反向偏压10mV时的暗电流为2.56μA。

关键词：光电探测器缓冲层 InGaAs 晶格失配

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SQUID自举电路(SBC)的研究

SQUID自举电路(SBC)的研究

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第十一届全国超导学术研讨会暨超导发现100周年纪念大会

作者：张懿 Andreas Offenh(a)usser 张国峰董慧王永良王会武谢晓明江绵恒 Hans-Joachim Krause Alex.I.Braginski Peter Grünberg Institute (PGI-8) Forschungszentrum Jülich (FZJ)Jülich 52425Germany Joint Research Laboratory on Superconductivity and Bioelectronics Collaboration between CAS-Shanghai and FZJ Joint Research Laboratory on Superconductivity and Bioelectronics Collaboration between CAS-Shanghai and FZJ Peter Grünberg Institute (PGI-8)Forschungszentrum Jülich (FZJ)Jülich 52425German Joint Research Laboratory on Superconductivity and Bioelectronics Collaboration between CAS-Shanghai and FZJ 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

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红外激光光声光谱气体传感谐振腔分析(英文)

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红外与毫米波学报 2010年第5期29卷 321-324,341页

作者：张晓钧张永刚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

设计制作了适合中红外激光光声光谱气体检测用的圆柱形光声腔,采用有限元法对其声信号的传输和探测进行了模拟分析并与实际测量结果进行了系统的比较.结果表明此光声腔中的二阶纵模在4.2KHz附近具有最大的共振幅度和适中的Q值,十分适合... 详细信息

设计制作了适合中红外激光光声光谱气体检测用的圆柱形光声腔,采用有限元法对其声信号的传输和探测进行了模拟分析并与实际测量结果进行了系统的比较.结果表明此光声腔中的二阶纵模在4.2KHz附近具有最大的共振幅度和适中的Q值,十分适合中红外光声光谱气体传感应用.

关键词：光声光谱气体传感共振频率有限元方法

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图形化SOI衬底上侧向外延生长GaN研究

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功能材料 2010年第7期41卷 1208-1210页

作者：张波陈静魏星武爱民薛忠营罗杰馨王曦张苗中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

采用MOCVD系统,在图形化的绝缘体上硅(SOI:silicon-on-insulator)衬底上侧向外延生长了GaN薄膜。利用SEM、TEM和Raman光谱对生长的GaN薄膜的质量进行了分析研究。研究发现,在GaN的侧向外延生长区域,侧向生长的GaN能够完全合并,GaN薄膜... 详细信息

采用MOCVD系统,在图形化的绝缘体上硅(SOI:silicon-on-insulator)衬底上侧向外延生长了GaN薄膜。利用SEM、TEM和Raman光谱对生长的GaN薄膜的质量进行了分析研究。研究发现,在GaN的侧向外延生长区域,侧向生长的GaN能够完全合并,GaN薄膜内的残余应力减小,穿透位错密度大幅度降低。

关键词：氮化镓绝缘体上硅侧向外延

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新结构InGaP/GaAs/InGaP DHBT生长及特性研究

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固体电子学研究与进展 2010年第1期30卷 23-26,68页

作者：艾立鹍徐安怀孙浩朱福英齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

设计并生长了一种新的InGaP/GaAs/InGaP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入n+-InGaP插入层结构,以解决InGaP/GaAs/InGaP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题。采用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过优化生长条件,获得了高质... 详细信息

设计并生长了一种新的InGaP/GaAs/InGaP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入n+-InGaP插入层结构,以解决InGaP/GaAs/InGaP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题。采用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过优化生长条件,获得了高质量外延材料,成功地生长出带有n+-InGaP插入层结构的GaAs基InGaP/GaAs/InGaP DHBT结构材料。采用常规的湿法腐蚀工艺,研制出发射极面积为100μm×100μm的新型结构InGaP/GaAs/InGaP DHBT器件。直流特性测试的结果表明,所设计的集电结带有n+-InGaP插入层的InGaP/GaAs/InGaP DHBT器件开启电压约为0.15V,反向击穿电压达到16V,与传统的单异质结InGaP/GaAs HBT相比,反向击穿电压提高了一倍,能够满足低损耗、较高功率器件与电路制作的要求。

关键词：双异质结双极晶体管气态源分子束外延砷化镓

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基于RSJ模型的SBC器件数值模拟研究

基于RSJ模型的SBC器件数值模拟研究

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第十一届全国超导学术研讨会暨超导发现100周年纪念大会

作者：王会武王永良董慧张懿谢晓明 Joint Research Laboratory on Superconductivity and Bioelectronics Collaboration between CAS-Shanghai and FZJ Joint Research Laboratory on Superconductivity and Bioelectronics Collaboration between CAS-Shanghai and FZJ Peter Grünberg Institute (PGI-8)Forschungszentrum Jülich (FZJ)Jülich 52425Germany 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

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InAs/GaAs量子点激光器结温研究

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半导体光电 2010年第6期31卷 866-869页

作者：高山李世国陈朋杨海东徐承福曹春芳龚谦中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

对利用气源分子束外延(GSMBE)技术生长的InAs/GaAs量子点激光器的工作结温进行了研究,结温的测试是基于量子点激光器的温度升高会导致Fabry-Perot(F-P)腔的腔模移动。在20℃脉冲工作模式下,当脉冲注入电流的占空比从1%变化到准连续波(95... 详细信息

对利用气源分子束外延(GSMBE)技术生长的InAs/GaAs量子点激光器的工作结温进行了研究,结温的测试是基于量子点激光器的温度升高会导致Fabry-Perot(F-P)腔的腔模移动。在20℃脉冲工作模式下,当脉冲注入电流的占空比从1%变化到准连续波(95%),InAs/GaAs量子点激光器的结温升高了23.9℃,在相同的测试条件下,商用量子阱激光器的结温仅升高了3.5℃。InAs/GaAs量子点激光器的结温比商用量子阱激光器的结温升高了6.8倍,这是影响激光器性能的一个重要参数。

关键词：结温量子点激光器腔模移动气源分子柬外延

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InP基RTD特性的数值模拟研究

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固体电子学研究与进展 2010年第3期30卷 317-322,332页

作者：王伟孙浩孙晓玮徐安怀齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院研究生院北京100039 信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用基于非平衡格林函数法(Non-equilibrium Green’s function,NEGF)量子输运模拟器WinGreen对InP基共振隧穿二极管(RTD)的输运特性进行了计算模拟,分析了Ga0.47In0.53As/AlAs以及富In组份势阱双势垒结构几何参数、散射参数、发射区和... 详细信息

采用基于非平衡格林函数法(Non-equilibrium Green’s function,NEGF)量子输运模拟器WinGreen对InP基共振隧穿二极管(RTD)的输运特性进行了计算模拟,分析了Ga0.47In0.53As/AlAs以及富In组份势阱双势垒结构几何参数、散射参数、发射区和集电区掺杂浓度以及隔离层厚度对InP基RTD器件I-V特性的影响。模拟结果表明,采用富In组份的势阱有利于降低峰值电压,提高发射区掺杂浓度有利于增大峰值电流密度,而散射则会导致谷值电流增大,影响其负阻特性。

关键词：磷化铟基共振隧穿二极管电流-电压特性非平衡格林函数法散射

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