检索结果-内蒙古大学图书馆

第六届中国功能材料及其应用学术会议

作者：王曦孙佳胤武爱民陈静中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用有限元方法,通过ANSYS软件模拟了体硅衬底上和SOI衬底上生长的GaN外延膜从1100℃的生长温度降到20℃的热应力变化情况。模拟结果表明SOI衬底作为一种柔性衬底,能有效减少异质外延的晶格失配,但是单从热失配的角度,由于引入了热膨胀... 详细信息

采用有限元方法,通过ANSYS软件模拟了体硅衬底上和SOI衬底上生长的GaN外延膜从1100℃的生长温度降到20℃的热应力变化情况。模拟结果表明SOI衬底作为一种柔性衬底,能有效减少异质外延的晶格失配,但是单从热失配的角度,由于引入了热膨胀系数(CET)更小的埋层SiO2,SOI衬底会使得外延层热应力略有增大。为了降低外延层中的热应力,我们结合微机电系统(MEMS)的制造工艺,用深反应离子刻蚀(DRIE)的方法,借助于SOI材料自停止刻蚀的优势,将衬底硅和埋氧去除,使得SOI的超薄顶层硅部分悬空,形成一种新型的SOI衬底.模拟结果表明,这种新型SOI衬底可以将GaN外延层中的热应力降低20％左右.

关键词：氮化镓宽禁带半导体材料 SOI衬底热膨胀系数反应离子刻蚀

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注硅工艺对UNIBOND SOI材料抗辐照性能的影响

注硅工艺对UNIBOND SOI材料抗辐照性能的影响

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第六届中国功能材料及其应用学术会议

作者：武爱民陈静张恩霞杨慧张正选王曦中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

SOI材料天然具有抗瞬时辐射的能力,而通过特定的改性处理后,SOI的抗总剂量能力也可以得到大幅度的提高。SOI材料主流的制备方法包括SIMOX(注氧隔离方法)和UNIBOND SOI(智能剥离方法制备)。在SIMOXSOI的抗辐射加固领域,采用氮离子注入、... 详细信息

SOI材料天然具有抗瞬时辐射的能力,而通过特定的改性处理后,SOI的抗总剂量能力也可以得到大幅度的提高。SOI材料主流的制备方法包括SIMOX(注氧隔离方法)和UNIBOND SOI(智能剥离方法制备)。在SIMOXSOI的抗辐射加固领域,采用氮离子注入、氮氧共注入以及硅离子注入的方法都曾取得过很有效的结果。采用硅离子注入的方法对UNIBOND SOI进行了抗总剂量加固.采用P-MOS的表征方法对加固前后的样品进行了比较和分析,在HP-4155B半导体测试仪上得到的I-V曲线和提取的参数表明,注入的离子有效地减少了埋层中积累的正电荷得,圆片抗总剂量能力得到了大幅度提高。初步的理论分析表明是注入的硅离子形成的纳米团簇起到了俘获正电荷的作用。

关键词： SOI材料注硅工艺智能剥离硅离子注入纳米晶改性处理抗辐照性能

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旋转超导体产生的微弱伦敦磁场的探测

旋转超导体产生的微弱伦敦磁场的探测

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第九届全国超导学术研讨会

作者：谢晓明孙越中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

旋转超导体会在其内部产生一均匀磁场，称为伦敦磁场。伦敦磁场的研究具有重要理论和应用价值。本文对微弱伦敦磁场的探测方法进行了初步研究，使用多层超导筒屏蔽外界环境磁场的干扰，采用超导量子干涉器件(SQUID)来读出旋转超导体产... 详细信息

旋转超导体会在其内部产生一均匀磁场，称为伦敦磁场。伦敦磁场的研究具有重要理论和应用价值。本文对微弱伦敦磁场的探测方法进行了初步研究，使用多层超导筒屏蔽外界环境磁场的干扰，采用超导量子干涉器件(SQUID)来读出旋转超导体产生的磁场。通过对冻结磁通产生的干扰信号的有效分离，成功地观测到了伦敦磁场信号。通过理论分析，确定了伦敦磁场探测对应屏蔽性能的要求，对提高伦敦磁场探测信噪比的措施进行了讨论。

关键词：旋转超导体伦敦磁场超导屏蔽冻结磁通超导量子干涉器件

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SQUID读出电路的仿真及其调试电路的设计

SQUID读出电路的仿真及其调试电路的设计

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第九届全国超导学术研讨会

作者：王永良王会武谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

超导量子干涉器件(SOUID)配合其读出电路可实现极其微弱磁场的测量，设计低噪声高性能的读出电路是SQUID应用中的一个重要工作。本文介绍了根据电路数学模型进行电路行为仿真的方法，对电路进行模块划分，建立各模块的数学模型，通过仿... 详细信息

超导量子干涉器件(SOUID)配合其读出电路可实现极其微弱磁场的测量，设计低噪声高性能的读出电路是SQUID应用中的一个重要工作。本文介绍了根据电路数学模型进行电路行为仿真的方法，对电路进行模块划分，建立各模块的数学模型，通过仿真分析影响电路性能的关键参数，进而指导具体电路的设计实现，同时介绍了一种调试电路的研制，可实现基于交流调制的磁通锁定式读出电路在常温下的调试。

关键词：读出电路电路仿真调试电路超导量子干涉器

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非对称DC SQUID的数值模拟研究

非对称DC SQUID的数值模拟研究

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第九届全国超导学术研讨会

作者：王会武谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

磁通电压转换系数是衡量直流超导量子干涉器(DC SQUID)性能的重要指标。使用数值模拟分析SQUID环电感和结临界电流的不对称程度对DC SQUID器件的磁通电压转换系数的影响，比较非对称结构器件和对称结构器件的性能差别。模拟结果显示磁... 详细信息

磁通电压转换系数是衡量直流超导量子干涉器(DC SQUID)性能的重要指标。使用数值模拟分析SQUID环电感和结临界电流的不对称程度对DC SQUID器件的磁通电压转换系数的影响，比较非对称结构器件和对称结构器件的性能差别。模拟结果显示磁通电压转换系数随着DE SOUID器件不对称程度的增大有提高。在提高磁通电压转换系数的基础上，讨论DC SOUID读出电路简化为直读式电路的可能性。

关键词：超导量子干涉器磁通电压转换非对称结构数值模拟

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超薄超导材料特性及应用

超薄超导材料特性及应用

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第九届全国超导学术研讨会

作者：尤立星中国科学院上海微系统信息与技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

介绍和讨论低温和高温超导超薄材料的制备及超导特性，并和普通非超薄超导材料特性相比较。超薄超导材料可以用于制备超导单光子探测器(简称SSPD)和超导热电子测辐射热仪(简称SHEB)。详细分析并讨论其应用。

关键词：超导材料光子探测器辐射热仪超薄材料

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短波红外InGaAs/InP光伏探测器系列的研制

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红外与毫米波学报 2006年第1期25卷 6-9页

作者：张永刚顾溢朱诚郝国强李爱珍刘天东中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用气态源分子束外延方法及应用有源区同质结构及较薄的组分渐变InxGa1-xAs缓冲层,研制了波长扩展的InGaAs/InP光伏探测器系列,其室温下的截止波长分别约为1.9μm,2.2μm.和2.5μm.对此探测器系列在较宽温度范围内的性能进行了细致表征... 详细信息

采用气态源分子束外延方法及应用有源区同质结构及较薄的组分渐变InxGa1-xAs缓冲层,研制了波长扩展的InGaAs/InP光伏探测器系列,其室温下的截止波长分别约为1.9μm,2.2μm.和2.5μm.对此探测器系列在较宽温度范围内的性能进行了细致表征,结果表明在室温下其R0A乘积分别为765,10.3和12.7Ωcm2,比室温降低100K时其暗电流和R0A可改善约3个量级.瞬态特性测量表明此探测器系列适合高速工作,实测响应速度已达数十ps量级.

关键词：光伏探测器短波红外 InGaAs 气态源分子束外延

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气态源分子束外延生长扩展波长InGaAs探测器性能分析(英文)

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红外与毫米波学报 2006年第4期25卷 241-245页

作者：郝国强张永刚顾溢李爱珍朱诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

从理论与实验两方面对截止波长为1.7μm(x=0.53),1.9μm(x=0.6)和2.2μm(x=0.7)p in InxGa1-xAs探测器性能进行了研究.对探测器暗电流的研究结果表明,扩展波长In0.6Ga0.4As,In0.7Ga0.3As探测器在反向偏置低压区,欧姆电流占据主导地位;... 详细信息

从理论与实验两方面对截止波长为1.7μm(x=0.53),1.9μm(x=0.6)和2.2μm(x=0.7)p in InxGa1-xAs探测器性能进行了研究.对探测器暗电流的研究结果表明,扩展波长In0.6Ga0.4As,In0.7Ga0.3As探测器在反向偏置低压区,欧姆电流占据主导地位;在反向偏置高压区,缺陷隧穿电流占主导地位;且扩展波长In0.6Ga0.4As,In0.7Ga0.3As探测器的暗电流比In0.53Ga0.47As探测器增加较大.对探测器R0A随温度及i层载流子浓度变化关系的研究结果表明,在热电制冷温度下探测器性能可得到较大提高,i层的轻掺杂可使探测器的R0A得到改善.

关键词：光电子学光电探测器暗电流分析温度特性零偏压下微分电阻与面积乘积

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采用低温AlN插入层在氢化物气相外延中生长GaN膜

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光电子．激光 2006年第12期17卷 1453-1456页

作者：雷本亮于广辉孟胜齐鸣李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

采用低温AlN插入层在氢化物气相外延(HVPE)设备中生长出高质量GaN膜。X射线衍射(XRD)测量发现,低温AlN插入层有助于提高GaN膜的结晶质量。低温(10K)光致发光(PL)谱测量表明,低温AlN插入层有助于释放GaN膜外延生长的应力。原子力显微镜(A... 详细信息

采用低温AlN插入层在氢化物气相外延(HVPE)设备中生长出高质量GaN膜。X射线衍射(XRD)测量发现,低温AlN插入层有助于提高GaN膜的结晶质量。低温(10K)光致发光(PL)谱测量表明,低温AlN插入层有助于释放GaN膜外延生长的应力。原子力显微镜(AFM)测量显示,GaN膜具有非常光滑的表面形貌,并估算出其位错密度约为3.3×108cm-2。

关键词： GaN 氢化物气相外延(HVPE) 低温AIN插入层

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InAs/GaAs表面量子点的压电调制反射光谱研究

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物理学报 2006年第9期55卷 4934-4939页

作者：余晨辉王茺龚谦张波陆卫中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

运用压电调制反射光谱(PzR)方法测量了在以GaAs(311)B为衬底的In0.35Ga0.65As模板上生长的InAs表面量子点结构的反射谱.在77K温度下,观察到了来自样品各个组成结构(包括表面量子点本身、被覆盖层覆盖的量子点、In0.35Ga0.65As模板以及G... 详细信息

运用压电调制反射光谱(PzR)方法测量了在以GaAs(311)B为衬底的In0.35Ga0.65As模板上生长的InAs表面量子点结构的反射谱.在77K温度下,观察到了来自样品各个组成结构(包括表面量子点本身、被覆盖层覆盖的量子点、In0.35Ga0.65As模板以及GaAs衬底等)的调制信号.来自表面量子点本身的调制信号是多个清晰的调制峰.用一阶和三阶微分洛伦兹线形对PzR谱中对应结构的实验数据进行了拟合,精确确定了与样品的各个组成结构相对应的调制峰的能量位置.对不同样品PzR谱的差异进行了定性的说明.

关键词：压电调制光谱 InAs/GaAs表面量子点洛伦兹线形拟合

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