检索结果-内蒙古大学图书馆

发光学报 2020年第8期41卷 971-976页

作者：李金友王海龙杨锦曹春芳赵旭熠于文富龚谦曲阜师范大学物理工程学院山东省激光偏光与信息技术重点实验室山东曲阜273165 中国科学院大学信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

研究了InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器在不同温度下的电流-电压特性,并建立了一个理论模型进行描述。实验所用激光器腔长为0.3 mm,脊条宽度为3μm。实验测量得到该激光器在15~100 K的电压温度系数(d V/d T)为7.87~8.32 mV/K,在100~300 ... 详细信息

研究了InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器在不同温度下的电流-电压特性,并建立了一个理论模型进行描述。实验所用激光器腔长为0.3 mm,脊条宽度为3μm。实验测量得到该激光器在15~100 K的电压温度系数(d V/d T)为7.87~8.32 mV/K,在100~300 K的电压温度系数为2.93~3.17 mV/K。由理论模型计算得到该激光器在15~100 K的电压温度系数为2.56~2.75 mV/K,在100~300 K的电压温度系数为3.91~4.15 mV/K。在100~300 K,实验测量与理论模型计算得出的电压温度系数接近,理论模型能较好地模拟激光器的温度电压特性;但在15~100 K相差较大,还需要进一步完善。

关键词：量子阱激光器 InGaAs/GaAs/InGaP 低温温度电压特性

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基于单微波量子探测器的微波信号量子二阶相干性实验研究

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激光与光电子学进展 2021年第10期58卷 321-324页

作者：严会玲吴养曹赵军民尤立星赵卫岗李桂红王平段可欣中国电子科技集团公司第三十九研究所陕西省天线与控制技术重点实验室陕西西安710065 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 西安交通大学电子科学与工程学院电子器件与材料研究所陕西西安710049

通过对单载波信号和热噪声信号的单微波量子探测研究,验证了基于微波光学.上转换的单微波量子探测器对弱微波信号的响应能力。基于量子光学理论,开展了微波信号二阶相千度特性的实验研究,实验证明了微波波段的单载波信号和热噪声的二阶... 详细信息

通过对单载波信号和热噪声信号的单微波量子探测研究,验证了基于微波光学.上转换的单微波量子探测器对弱微波信号的响应能力。基于量子光学理论,开展了微波信号二阶相千度特性的实验研究,实验证明了微波波段的单载波信号和热噪声的二阶量子相干度具有与光学波段的相干光源和热光源相同的量子特性。

关键词：成像系统微波量子单微波量子探测微波信号二阶量子相干度

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TEM方法中磁场垂直分量Bz强度特征研究

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地球物理学进展 2021年第1期36卷 170-177页

作者：康慧敏荣亮亮王光杰王若李彦恒李奇霖裴易峰中国科学院地质与地球物理研究所中国科学院地球科学研究院北京100029 中国科学院大学北京100049 中国科学院页岩气与地质工程重点实验室北京100029 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 火箭军工程设计研究院北京100011

瞬变电磁法由于其高效、轻便等诸多优点成为现今应用较为广泛的地球物理勘探手段.但由于二次场随时间衰减较快,TEM方法在勘探深度上受到一定的限制.近几年,低温SQUID(Superconducting Quantum Interference Device)磁传感器硬件已经研... 详细信息

瞬变电磁法由于其高效、轻便等诸多优点成为现今应用较为广泛的地球物理勘探手段.但由于二次场随时间衰减较快,TEM方法在勘探深度上受到一定的限制.近几年,低温SQUID(Superconducting Quantum Interference Device)磁传感器硬件已经研发成熟,可以应用到TEM方法中,用于磁场强度探测.本文提出了均匀半空间TEM磁场分量Bz的显式表达式,并借助正弦数值滤波变换,得到了层状介质的磁场时间域计算公式.针对均匀半空间地层,分别进行了不同收发距、不同电阻率条件下的Bz响应特征计算.此外,对于层状介质模型,针对不同层厚的两层介质、低阻薄层和高阻薄层的三层介质,均进行了Bz正演结果.最后,对1 km长偶极的TEM磁场响应在地表空间分布情况进行讨论.结果表明,Bz作为TEM测量手段,对深部低阻薄层的探测灵敏度优于高阻薄层;且相对于传统TEM方法中测量磁场变化量,直接测量磁场Bz可以明显地提高探测方法的优势,增大勘探深度,并且电偶极其测量空间范围更大,效率更高.

关键词：瞬变电磁法 SQUID 磁场强度正演

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基于非易失性存储器件的类脑计算研究进展

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功能材料与器件学报 2021年第6期27卷 505-513页

作者：周琮泉秦瑞东李鑫中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

随着人工智能领域的快速发展,海量数据的处理需要相应硬件的对应开发。对人脑物理结构及工作机制的深入研究使得基于非易失性内存的类脑计算器件集成一系列受神经系统启发的功能,从而为大数据计算工作提供一种高效、节能的方法。本文介... 详细信息

随着人工智能领域的快速发展,海量数据的处理需要相应硬件的对应开发。对人脑物理结构及工作机制的深入研究使得基于非易失性内存的类脑计算器件集成一系列受神经系统启发的功能,从而为大数据计算工作提供一种高效、节能的方法。本文介绍了类脑计算的发展历程,概述了针对不同应用的非易失性内存器件的大致分类,并着重介绍了代表性的非易失性内存器件构建人工突触和神经元器件的研究进展。

关键词：类脑计算非易失性内存器件相变存储器阻变随机存储器铁电场效应晶体管

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忆阻器及其在人工突触器件中的研究进展

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功能材料与器件学报 2021年第6期27卷 494-504页

作者：秦瑞东陈玲丽朱宇波李鑫俞文杰中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

忆阻器与生物突触具有天然相似性,通过忆阻器人工突触构建神经网络是实现高性能计算最有前景的方案之一。本文介绍了忆阻器的工作机制,概述了忆阻器的不同阻变机理,着重介绍了忆阻器材料及其研究近况。最后,从应用出发,回顾了近期通过... 详细信息

忆阻器与生物突触具有天然相似性,通过忆阻器人工突触构建神经网络是实现高性能计算最有前景的方案之一。本文介绍了忆阻器的工作机制,概述了忆阻器的不同阻变机理,着重介绍了忆阻器材料及其研究近况。最后,从应用出发,回顾了近期通过忆阻器构建人工突触器件的进展,并简要讨论了忆阻器发展面临的主要挑战。

关键词：忆阻器神经形态计算人工突触器件

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“单光子与单像素成像”专题前言

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激光与光电子学进展 2021年第10期58卷 1-2页

作者：韩申生吴令安尤立星中国科学院上海光学精密机械研究所中国科学院物理研究所英国物理学会中国科学院上海微系统与信息技术研究所中国科学院超导电子学研究室中国科学院信息功能材料国家重点实验室中国电子学会超导电子学分会国家超导标准化技术委员会

光学成像是人们获取信息的最为重要的技术手段之一。“百闻不如一见”,从宇宙的瑰丽场景到细胞内部的蛋白相互作用与构象变化,光学成像技术的进步在不断加深我们对自然、生命的理解,记录我们的喜怒哀乐,并在医学诊断、智能制造、资源普... 详细信息

光学成像是人们获取信息的最为重要的技术手段之一。“百闻不如一见”,从宇宙的瑰丽场景到细胞内部的蛋白相互作用与构象变化,光学成像技术的进步在不断加深我们对自然、生命的理解,记录我们的喜怒哀乐,并在医学诊断、智能制造、资源普查、环境保护和国防安全等领域发挥着关键性的支撑作用。

关键词：光学成像技术智能制造资源普查医学诊断环境保护单光子国防安全蛋白相互作用

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基于无线自组网的电缆隧道综合无线监测系统研究

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功能材料与器件学报 2022年第1期28卷 79-83页

作者：袁奇邱继东钱天宇蒋晓娟许强王骁迪俞杰国家电网上海市电力公司电缆分公司上海200072 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

本文针对目前电缆隧道内部状态监测存在的问题,提出基于无线自组网的电缆隧道综合无线监测系统。利用mesh自组网自组织、自愈合的特点,结合MEMS传感芯片研制了无线温湿度传感器,O_(2)、CO_(2)、CO、CH_(4)等无线气体传感器,开发了监测... 详细信息

本文针对目前电缆隧道内部状态监测存在的问题,提出基于无线自组网的电缆隧道综合无线监测系统。利用mesh自组网自组织、自愈合的特点,结合MEMS传感芯片研制了无线温湿度传感器,O_(2)、CO_(2)、CO、CH_(4)等无线气体传感器,开发了监测系统软件。分析了电缆隧道结构对无线通信的影响,提出了适合电缆隧道内部的无线传感器安装布点方案,并开展现场应用,为后续在电缆隧道综合无线监测方面的研究提供基础。

关键词：自组网电缆隧道无线监测

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300 mm硅片技术发展趋势探讨

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微纳电子与智能制造 2022年第1期4卷 14-29页

作者：刘赟薛忠营魏星李炜中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049 上海新昇半导体科技有限公司上海201306 上海硅产业集团股份有限公司上海201306

单晶硅片是半导体行业最重要的衬底材料,广泛应用于逻辑电路、存储器、射频器件与功率器件等电子器件。集成电路制造技术随摩尔定律的不断发展,半导体器件对硅片几何形貌与品质提出了越来越高的要求。本文梳理了硅片发展的历史,并对新一... 详细信息

单晶硅片是半导体行业最重要的衬底材料,广泛应用于逻辑电路、存储器、射频器件与功率器件等电子器件。集成电路制造技术随摩尔定律的不断发展,半导体器件对硅片几何形貌与品质提出了越来越高的要求。本文梳理了硅片发展的历史,并对新一代450 mm硅片发展前景及困难进行分析。针对每种器件应用场景,本文从晶体生长、掺杂、热处理等方面对提高硅片性能要求的技术发展进行了简要阐述与分析。最后,简单介绍了上海硅产业集团在300 mm硅片制造技术方面的研发进展。

关键词：单晶硅 450 mm 300 mm 器件应用硅片性能

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直拉单晶硅晶体缺陷研究进展

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微纳电子与智能制造 2022年第1期4卷 64-74页

作者：刘赟薛忠营魏星李炜信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院大学北京100049 上海新昇半导体科技有限公司上海201306 上海硅产业集团股份有限公司上海201306

直拉单晶硅是目前用于制造集成电路的主流衬底材料。随着集成电路的特征尺寸不断减小,对单晶硅衬底的晶体缺陷类型、密度、尺寸等提出日益苛刻的要求。因此,深入研究掌握直拉单晶硅晶体缺陷的形成机理并且快速准确地表征这些晶体缺陷,... 详细信息

直拉单晶硅是目前用于制造集成电路的主流衬底材料。随着集成电路的特征尺寸不断减小,对单晶硅衬底的晶体缺陷类型、密度、尺寸等提出日益苛刻的要求。因此,深入研究掌握直拉单晶硅晶体缺陷的形成机理并且快速准确地表征这些晶体缺陷,成为指导直拉单晶硅晶体生长工艺改进、实现晶体缺陷有效调控的重要技术手段。本文首先综述了晶体生长过程中控制缺陷形成的v/G理论的发展,并介绍了探测不同原生缺陷的表征方法。最后,简述了本文在缺陷表征方法的最新研究进展情况。

关键词：直拉单晶硅 v/G理论表征方法

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采用低剂量H^+注入技术制备绝缘体上锗材料

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半导体技术 2020年第7期45卷 530-535页

作者：刘运启薛忠营张波中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049

利用离子剥离技术在Ge晶圆上制备绝缘体上锗(GOI)时,高剂量H+注入会导致Ge晶格损伤,而且剥离后Ge表面粗糙度较大。为了解决以上问题,在Si衬底上外延Ge/Si0.7Ge0.3/Ge异质结构代替纯Ge制备GOI,研究了异质结构样品有效剥离的临界H+注入条... 详细信息

利用离子剥离技术在Ge晶圆上制备绝缘体上锗(GOI)时,高剂量H+注入会导致Ge晶格损伤,而且剥离后Ge表面粗糙度较大。为了解决以上问题,在Si衬底上外延Ge/Si0.7Ge0.3/Ge异质结构代替纯Ge制备GOI,研究了异质结构样品有效剥离的临界H+注入条件和相应的GOI表面粗糙度。使用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和原子力显微镜(AFM)对样品在H+注入和剥离后的裂缝形成过程、表面形貌、界面晶格损伤等进行观察和表征。实验结果表明,由于超薄Si0.7Ge0.3层对注入H+的吸附作用,剥离临界H+注入剂量由5.0×1016 cm-2下降到3.5×1016 cm-2,且在降低注入成本的同时也有效减少了H+注入对Ge晶格的损伤;由于剥离只发生在超薄Si0.7Ge0.3层,GOI表面粗糙度降低到1.42 nm (10μm×10μm)。该方法为制备高质量GOI材料提供了一种新思路。

关键词：绝缘体上锗(GOI) Ge/Si0.7Ge0.3/Ge 低剂量 H^+吸附剥离

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