检索结果-内蒙古大学图书馆

功能材料与器件学报 2005年第2期11卷 173-176,191页

作者：刘成吴惠桢劳燕锋黄占超曹萌中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在InP(100)衬底上生长了InAsP/InGaAsP应变补偿量子阱为有源层和InP/InGaAsP分布布拉格反射镜(DBR)为上、下腔镜的垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构。通过湿法刻蚀和聚酰亚胺隔离工艺制作出了1.3μmVCSEL... 详细信息

采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在InP(100)衬底上生长了InAsP/InGaAsP应变补偿量子阱为有源层和InP/InGaAsP分布布拉格反射镜(DBR)为上、下腔镜的垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构。通过湿法刻蚀和聚酰亚胺隔离工艺制作出了1.3μmVCSEL,器件在室温下可连续单模激射,阈值电流约为4mA。实验测得的VCSEL结构反射光谱包括高反射带和腔模等参数与传递矩阵法拟合的反射光谱相符合;边发射电致发光谱的增益峰与腔模位置一致。

关键词：垂直腔面发射激光器气态源分子束外延光电特性

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立方Mg_xZn_(1-x)O晶体薄膜的制备和性能

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材料研究学报 2005年第3期19卷 277-281页

作者：余萍吴惠桢陈奶波徐天宁浙江大学浙江大学中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

采用低温物理沉积技术在二氧化硅衬底(SiO2/Si(100))和石英玻璃上生长出了MgxZn1-xO(x>0.5)晶体薄膜,并用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)图谱和紫外-可见光透射光谱对其进行了表征.结果表明,在SiO2/Si(100)和石... 详细信息

采用低温物理沉积技术在二氧化硅衬底(SiO2/Si(100))和石英玻璃上生长出了MgxZn1-xO(x>0.5)晶体薄膜,并用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)图谱和紫外-可见光透射光谱对其进行了表征.结果表明,在SiO2/Si(100)和石英玻璃衬底上沉积的MgxZn1-xO(x>0.5)晶体薄膜表面平整,均呈立方结构,且具有高度的(001)择优取向.立方MgxZn1-xO薄膜具有从紫外到近红外波段良好的透明性,折射率为1.7-1.8,随着波长的增大或Mg组分的增大而降低.

关键词：无机非金属材料 MgxZn1-xO晶体薄膜低温物理沉积立方相MgxZn1-xO 折射率

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相变型半导体存储器研究进展

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物理 2005年第4期34卷 279-286页

作者：刘波宋志棠封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心信息功能材料国家重点实验室上海200050

文章系统地介绍了相变型半导体存储器的原理、相变材料、特点、器件结构设计、研究现状及面临的几个关键器件工艺问题.C-RAM由于具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、可多级存储、高速读取、抗辐照、耐高低温、抗振动、抗电... 详细信息

文章系统地介绍了相变型半导体存储器的原理、相变材料、特点、器件结构设计、研究现状及面临的几个关键器件工艺问题.C-RAM由于具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、可多级存储、高速读取、抗辐照、耐高低温、抗振动、抗电子干扰和制造工艺简单等优点,被认为最有可能取代目前的FLASH、DRAM和SRAM而成为未来半导体存储器主流产品.

关键词：半导体存储器相变型研究进展抗电子干扰 FLASH 相变材料结构设计非易失性工艺问题研究现状循环寿命多级存储耐高低温制造工艺 SRAM DRAM 抗辐照抗振动器件

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YBCO熔融织构准单晶中的进氧和脱氧扩散研究

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物理学报 2005年第7期54卷 3380-3385页

作者：张玉龙姚忻张宏金燕苹上海交通大学物理系上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室上海200030 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室

采用热重法研究了YBCO熔融织构准单晶中氧的化学扩散过程.与以往的实验不同,采用固定氧偏压变化温度的方法获得氧浓度梯度.拟合实验所得重量等温弛豫曲线可知,在375—600℃温区内,熔融织构准单晶的氧化学扩散系数比单晶体高出约50%,但... 详细信息

采用热重法研究了YBCO熔融织构准单晶中氧的化学扩散过程.与以往的实验不同,采用固定氧偏压变化温度的方法获得氧浓度梯度.拟合实验所得重量等温弛豫曲线可知,在375—600℃温区内,熔融织构准单晶的氧化学扩散系数比单晶体高出约50%,但都约为10-10cm2s-1,激活能为～1eV.对YBCO熔融织构准单晶中的进氧和脱氧研究表明两者具有相同的速率,证实实验过程中环境氧分压的改变会导致进氧和脱氧过程不一致.

关键词：熔融织构 YBCO 准单晶氧扩散扩散过程浓度梯度扩散系数实验过程热重法 600 激活能氧分压化学脱氧

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掩埋隧道结的研制及其在1.3μm VCSEL结构中的应用

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江西科学 2005年第5期23卷 557-561页

作者：吴惠桢刘成劳燕锋黄占超曹萌中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在(100)InP衬底上分别了生长了δ掺杂的p+-A lInAs-n+-InP和p+-InP-n+-InP两种隧道结结构,用电化学C-V和I-V特性曲线表征了载流子浓度和电学特性,发现p+-A lInAs-n+-InP隧道结性能好于p+-InP-n+-InP隧... 详细信息

采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在(100)InP衬底上分别了生长了δ掺杂的p+-A lInAs-n+-InP和p+-InP-n+-InP两种隧道结结构,用电化学C-V和I-V特性曲线表征了载流子浓度和电学特性,发现p+-A lInAs-n+-InP隧道结性能好于p+-InP-n+-InP隧道结。接着在(100)InP衬底上生长了包含p+-A lInAs-n+-InP掩埋隧道结和多量子阱有源层的1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构,测试得出其开启电压比普通的PIN结VCSEL小,室温下其电致荧光谱波长在1.29μm。

关键词：隧道结垂直腔面发射激光器光电特性

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ULSI关键工艺技术——纳米级化学机械抛光

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微纳电子技术 2005年第7期42卷 336-339页

作者：张楷亮宋志棠封松林 Chen Bomy 中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心信息功能材料国家重点实验室上海200050

IC器件尺寸的纳米化,要求高的光刻曝光分辨率,在采用短波长和大数值孔径曝光系统提高分辨率的同时导致了焦深变浅,进而对晶片表面的平坦化要求越来越高。在比较了IC工艺中的四种平坦化技术基础上,重点综述了唯一可以实现全局平坦化的化... 详细信息

IC器件尺寸的纳米化,要求高的光刻曝光分辨率,在采用短波长和大数值孔径曝光系统提高分辨率的同时导致了焦深变浅,进而对晶片表面的平坦化要求越来越高。在比较了IC工艺中的四种平坦化技术基础上,重点综述了唯一可以实现全局平坦化的化学机械抛光(CMP)方法的发展、应用及展望。

关键词：超大规模集成电路化学机械抛光纳米抛光液全局平坦化

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硅衬底超精密CMP中抛光液的研究

硅衬底超精密CMP中抛光液的研究

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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

作者：钟旻张楷亮宋志棠封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心信息功能材料国家重点实验室200050上海

化学机械抛光(CMP)是当今IC生产的重要工艺之一,本文针对硅衬底的化学机械抛光,采用自制的大粒径硅溶胶抛光液进行抛光实验,研究了抛光液中主要组分对抛光速率和表面平整度的影响,以提高抛光速率和抛光质量,采用测厚仪、AFM、台阶仪对... 详细信息

化学机械抛光(CMP)是当今IC生产的重要工艺之一,本文针对硅衬底的化学机械抛光,采用自制的大粒径硅溶胶抛光液进行抛光实验,研究了抛光液中主要组分对抛光速率和表面平整度的影响,以提高抛光速率和抛光质量,采用测厚仪、AFM、台阶仪对抛光速率和表面进行了测试和表征.通过优化试验获得了高速率、高平整的抛光表面:去除速率(RR)达697nm/min,粗糙度RMS降低至4.516(A),在提高抛光速率的同时对硅片实现了超精密抛光.

关键词：化学机械抛光胶体SiO2 抛光速率抛光液

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制备条件对Ge2Sb2Te5薄膜电学性能的影响

制备条件对Ge2Sb2Te5薄膜电学性能的影响

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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

作者：夏吉林刘波宋志棠封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心信息功能材料国家重点实验室上海200050

本文研究了磁控溅射制备Ge2Sb2Te5薄膜时,制备条件诸如功率、气压等对薄膜性能的影响.主要通过测量薄膜方块电阻随退火温度的变化情况,探索Ge2Sb2Te5薄膜的成长机理.实验结果表明,不同溅射功率下制备的薄膜经不同温度退火后方块电阻没... 详细信息

本文研究了磁控溅射制备Ge2Sb2Te5薄膜时,制备条件诸如功率、气压等对薄膜性能的影响.主要通过测量薄膜方块电阻随退火温度的变化情况,探索Ge2Sb2Te5薄膜的成长机理.实验结果表明,不同溅射功率下制备的薄膜经不同温度退火后方块电阻没有明显的区别,而随着溅射气压的上升,薄膜方块电阻随退火温度的增加,下降的速率增加,也就是意味着由面心立方结构转变为六方结构所需的结晶温度降低.

关键词： Ge2Sb2Te5薄膜电学性能制备条件相变

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Ge2Sb2Te5抛光液的电化学及其化学机械抛光研究

Ge2Sb2Te5抛光液的电化学及其化学机械抛光研究

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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

作者：刘奇斌张楷亮王良咏封松林宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程研究中心信息功能材料国家重点实验室中国科学院研究生院

Ge2Sb2Te5目前被公认为在相变存储器(PCRAM)中最好的材料.本文主要是从电化学角度考查Ge2Sb2Te5薄膜在化学机械抛光液中作用.我们研究了Ge2Sb2Te5薄膜在不同的PH值和H2O2浓度下的电化学特性.在实验中我们用的电化学设备是SolartronSI12... 详细信息

Ge2Sb2Te5目前被公认为在相变存储器(PCRAM)中最好的材料.本文主要是从电化学角度考查Ge2Sb2Te5薄膜在化学机械抛光液中作用.我们研究了Ge2Sb2Te5薄膜在不同的PH值和H2O2浓度下的电化学特性.在实验中我们用的电化学设备是SolartronSI1287,主要测试了Ge2Sb2Te5薄膜在溶液中的开路电位,动电位扫描.开路电位结果显示在PH值等于10时,出现钝化行为,当PH等于11时,钝化开始向活化转变,当PH为12时,薄膜一直处于活化状态.在动电位扫描过程中,在不同的PH值和H2O2浓度下,薄膜的扫描曲线形状是相似的,变化也不大,说明薄膜腐蚀的反应机理是相同的.利用电化学实验结果,配置出GST抛光液,用于相变存储器的结构制作过程中.

关键词： Ge2Sb2Te5 相变存储器化学机械抛光电化学抛光液

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半导体硅片双面超精密化学机械抛光的研究

半导体硅片双面超精密化学机械抛光的研究

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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

作者：张楷亮宋志棠钟晻郑鸣捷刘卫丽封松林董尧德汪贵发楼春兰中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜材料工程技术研究中心信息功能材料国家重点实验室200050上海万象硅峰电子股份有限公司 324300浙江

为提高硅晶片双面超精密抛光的抛光速率,在分析双抛工艺过程基础上,采用自制大粒径二氧化硅胶体磨料配制了SIMIT8030-Ⅰ型新型纳米抛光液,在双垫双抛机台上进行抛光试验.抛光液、抛光前后厚度、平坦性能及粗糙度通过SEM、ADE-9520型晶... 详细信息

为提高硅晶片双面超精密抛光的抛光速率,在分析双抛工艺过程基础上,采用自制大粒径二氧化硅胶体磨料配制了SIMIT8030-Ⅰ型新型纳米抛光液,在双垫双抛机台上进行抛光试验.抛光液、抛光前后厚度、平坦性能及粗糙度通过SEM、ADE-9520型晶片表面测试仪、AFM进行了表征.结果表明:与进口抛光液Nacol2350相比,SIMIT8030-Ⅰ型抛光液不仅提高抛光速率40﹪(14微米/小时VS10微米/小时);而且表面平坦性TTV和TIR得到改善;表面粗糙度由0.4728nm降至0.2874nm,即提高抛光速率同时显著改善了抛光表面平坦性和粗糙度.

关键词：硅晶片双面抛光化学机械抛光抛光液

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