检索结果-内蒙古大学图书馆

MBE生长AlGa AsSb/InGa AsSb材料的应变控制

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稀有金属 2004年第3期28卷 530-532页

作者：唐田张永刚郑燕兰唐雄心李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

基于理论计算和实验 ,对采用MBE方法生长的不同组份的AlGaAsSb/InGaAsSb材料的应变进行了研究。结果表明 ,通过对材料中的As组份调节 ,可以对材料中的应变进行控制 ,达到良好的应变补偿效果 ,实验结果和理论计算相当吻合。

关键词： InGaAsSb AIGaAsSb 应变

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隧道结在多结太阳电池中的应用

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稀有金属 2004年第3期28卷 526-529页

作者：朱诚张永刚李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

主要应用高掺杂的p n结理论进行隧道结的计算研究工作 ,针对GaInP/GaAs双结电池的结构 ,选择不同的宽禁带材料研究隧道结I V特性以及不同的掺杂浓度对于其I V特性的影响 ,寻找出掺杂浓度与隧穿电流的关系曲线。结果表明 :随着掺杂浓度... 详细信息

主要应用高掺杂的p n结理论进行隧道结的计算研究工作 ,针对GaInP/GaAs双结电池的结构 ,选择不同的宽禁带材料研究隧道结I V特性以及不同的掺杂浓度对于其I V特性的影响 ,寻找出掺杂浓度与隧穿电流的关系曲线。结果表明 :随着掺杂浓度的提高 ,峰值电流密度逐渐增大 ;对于GaInP/GaAs太阳电池 ,隧道结采用GaInP材料比采用GaAs材料性能要好的多。

关键词：隧道结隧穿电流串接太阳电池 I-V特性

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半导体激光器的热场分析及热特性表征

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稀有金属 2004年第3期28卷 551-553页

作者：张永刚何友军南矿军李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

基于有限元方法和实际器件的材料和结构参数 ,对 1.3 μmInAsP/InGaAsP脊波导多量子阱激光器和 8μmInAlAs/InGaAs/InP量子级联激光器等半导体激光器在CW以及各种脉冲驱动条件下的热场分布进行了模拟计算和分析 ,并对研制的实际器件采... 详细信息

基于有限元方法和实际器件的材料和结构参数 ,对 1.3 μmInAsP/InGaAsP脊波导多量子阱激光器和 8μmInAlAs/InGaAs/InP量子级联激光器等半导体激光器在CW以及各种脉冲驱动条件下的热场分布进行了模拟计算和分析 ,并对研制的实际器件采用变脉冲方法对其热特性进行了测量表征 ,实测与模拟所得结果相当吻合。

关键词：半导体激光器热场分析热阻有限元

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大孔径光电导天线产生的太赫兹脉冲时间特性研究

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稀有金属 2004年第3期28卷 588-589页

作者：张同意曹俊诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

在电流涌流模型中考虑了电场屏蔽效应、有限载流子寿命和有限弛豫时间的影响 ,得到了大孔径光电导天线表面辐射场和辐射远场的解析表达式 ,讨论了辐射场对载流子寿命、弛豫时间、激励光脉冲通量和脉冲宽度的依赖关系。

关键词：光电导天线太赫兹脉冲时间特性解析表达式

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InGaAs PIN光电探测器的暗电流特性研究

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半导体光电 2004年第5期25卷 341-344,379页

作者：郝国强张永刚刘天东李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

　从理论上分析了In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器在不同掺杂浓度及反向偏压下的暗电流特性,并与研制的器件的实测结果进行了比较和讨论。模拟结果表明:在低偏压下,器件中的产生复合电流起主要作用,偏压增大时,隧道电流起主要作用,且In0.53... 详细信息

　从理论上分析了In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器在不同掺杂浓度及反向偏压下的暗电流特性,并与研制的器件的实测结果进行了比较和讨论。模拟结果表明:在低偏压下,器件中的产生复合电流起主要作用,偏压增大时,隧道电流起主要作用,且In0.53Ga0.47As光吸收层的载流子浓度对器件的暗电流有很大的影响,实测器件特性与模拟结果完全符合。文中还对器件结面积和电极尺寸等对暗电流的影响进行了比较和分析。

关键词：光电探测器暗电流 InGaAs 化合物半导体

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立方相MgxZn1-xO纳米晶体薄膜的物理特性

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功能材料 2004年第z1期35卷 386-389页

作者：吴惠桢梁军劳燕锋陈乃波徐天宁邱东江中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 浙江大学物理系浙江杭州310027 浙江大学物理系浙江杭州310027 浙江大学物理系浙江杭州310027

介绍了在Si衬底和石英玻璃衬底上生长的立方相MgxZn1-xO(0.55≤x≤1)晶体薄膜的物理特性,AFM和XRD等微结构特性表征显示了良好的表面形貌和高度的(111)取向生长特性.采用Manifacier方法,根据透射光谱中的干涉峰,计算得到立方相MgxZn1-x... 详细信息

介绍了在Si衬底和石英玻璃衬底上生长的立方相MgxZn1-xO(0.55≤x≤1)晶体薄膜的物理特性,AFM和XRD等微结构特性表征显示了良好的表面形貌和高度的(111)取向生长特性.采用Manifacier方法,根据透射光谱中的干涉峰,计算得到立方相MgxZn1-xO薄膜的折射率.与已报道的六方相MgxZn1-xO(0≤x≤0.5)薄膜的折射率相类似,在400～800nm的可见光区域,不同Mg含量的立方相MgxZn1-xO薄膜,其折射率随入射波长的色散关系遵循一阶Sellmeier方程.对给定400nm的入射光波长,当薄膜中的Mg含量由55%增至100%时,其折射率由1.89衰减至1.73.

关键词：立方相MgxZn1-xO薄膜微结构光学特性

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SOI在高压器件中的应用

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功能材料 2004年第z1期35卷 983-987页

作者：王石冶刘卫丽张苗林成鲁宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心信息功能材料国家重点实验室上海200050

综述了绝缘层上的硅(SOI)材料在高压器件中的应用,分析了SOI高压器件的不同结构,并对现在最常用的RESURF LDMOS高压器件结构,以及不同器件参数对击穿电压的影响进行了分析和讨论.

关键词： SOI 高压器击穿电压

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短波红外光电器件及其传感应用

短波红外光电器件及其传感应用

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第一届长三角地区传感技术学术交流会

作者：张永刚信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所

1-3μm短波红外波段在传感应用方面具有两个最显著的光学特征:一方面它可与许多温度较高的物体的热辐射能量集中的波段相匹配,使其在红外对抗(热目标模拟、红外欺骗和阻塞干扰…)、成像(夜视、透雾和伪装、测距、目标识别、反侦测…)以... 详细信息

1-3μm短波红外波段在传感应用方面具有两个最显著的光学特征:一方面它可与许多温度较高的物体的热辐射能量集中的波段相匹配,使其在红外对抗(热目标模拟、红外欺骗和阻塞干扰…)、成像(夜视、透雾和伪装、测距、目标识别、反侦测…)以及红外热探测(精确制导、测温传感…)等方面具有广泛的应用;另一方面此波段的光可与物质间产生具有丰富特征的相互作用从而产生一系列特殊的吸收线、吸收带以及吸收窗口,这使得此波段在信息传输、多光谱辐射计量、多光谱成像、痕量气体探测(毒气检测、生化检测、环保检测等)和医疗(非介入诊断、微型手术、理疗…)等领域显得特别重要。本文将对短波红外波段在传感方面现实的和潜在的应用进行详细介绍,并结合我们在此波段光电器件方面开展的研究工作开展深入探讨,针对一些具体应用领域给出我们的思考与展望。

关键词：短波红外光电器件

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太赫兹辐射在半导体异质结的吸收研究

太赫兹辐射在半导体异质结的吸收研究

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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：曹俊诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室(上海)

通过考虑多光子过程和导带—价带间碰撞离化效应,研究了强THz场辐照下异质结的自由载流子吸收率.在计算中,我们考虑了电子—声学声子散射、电子—极化光学声子散射和分别来自远程杂质和本底杂质的弹性散射.计算结果表明,越强的或频率越... 详细信息

通过考虑多光子过程和导带—价带间碰撞离化效应,研究了强THz场辐照下异质结的自由载流子吸收率.在计算中,我们考虑了电子—声学声子散射、电子—极化光学声子散射和分别来自远程杂质和本底杂质的弹性散射.计算结果表明,越强的或频率越底的THz辐照对二维半导体输运的影响越大.计算的辐照频率为0.64THz的电磁辐射在InAs/AlSb异质结的吸收率与实验结果吻合很好.

关键词：太赫兹辐射异质结碰撞离化吸收率

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1.31μm垂直腔面发射激光器材料及其物理特性研究

1.31μm垂直腔面发射激光器材料及其物理特性研究

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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：吴惠桢黄占超劳燕锋中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室(上海市)

本文报道了采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在InP基衬底上生长发光波长为1.31μm的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱和在GaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs分布布拉格反射镜(DBR),并用直接键合技术将生长在InP基上的InAsP/InGaAsP应变补偿多量... 详细信息

本文报道了采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在InP基衬底上生长发光波长为1.31μm的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱和在GaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs分布布拉格反射镜(DBR),并用直接键合技术将生长在InP基上的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱结构组装到GaAs衬底上生长的DBR结构上,对其微结构、发光和电学等物理特性进行了比较系统的研究,发现500℃,620℃的键合过程和后续的剥离工艺过程不仅没有引起量子阱发光效率的降低,反而由于键合过程中的退火改进了晶体质量,大大提高了量子阱的发光强度.

关键词： GaAs/AlGaAs 分布布拉格反射镜 InAsP/InGaAsP 多量子阱垂直腔面发射激光器物理特性

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