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宽范围脉冲测量条件下半导体激光器的特性及热阻测量
宽范围脉冲测量条件下半导体激光器的特性及热阻测量
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 张永刚 南矿军 何友军 李爱珍 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室(上海)
本文介绍了基于宽范围脉冲测量条件下的半导体激光器热阻测量方案以及具有宽范围和大电流驱动能力、能覆盖从可见光至中红外波段的半导体激光器测量表征系统,并给出了具体测量实例.
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GaN MOCVD生长中低温缓冲层生长速率对外延层质量的影响
GaN MOCVD生长中低温缓冲层生长速率对外延层质量的影响
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 于广辉 千叶大学电子光情报基础技术研究中心(日本) 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室(上海)
本文通过对于生长过程的在位监测,以及生长后的外延片的结晶和表面测量,研究了在MOCVD生长中,研究了低温缓冲层生长速率对于外延层质量的影响.
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1.3μm垂直腔面发射激光器的进展
1.3μm垂直腔面发射激光器的进展
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 吴惠桢 雷华平 陈意桥 齐鸣 李爱珍 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室(上海市)
论文综述了1.3μm垂直腔面发射激光器的研究现状,设计了适合与1.3μm垂直腔面发射激光器的多层膜反射镜,并用光荧光光谱分析了由GSMBE生长的、可用与1.3μm垂直腔面发射激光器有源层的InAsP/InGaAsP应变补偿量子阱结构的发光特性.
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