检索结果-内蒙古大学图书馆

功能材料与器件学报 2020年第6期26卷 387-392页

作者：朱雷赵佳中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

传统的SAW制备在LiNbO3(LNO)、LiTiO3(LTO)等体压电材料上。这些体单晶材料的主要问题是成本较高且不与CMOS工艺兼容。近年来,越来越多的研究者开始致力于开发薄膜SAW器件。本文针对基于键合工艺制备LiNbO3和LiTiO3薄膜材料的研究进展... 详细信息

传统的SAW制备在LiNbO3(LNO)、LiTiO3(LTO)等体压电材料上。这些体单晶材料的主要问题是成本较高且不与CMOS工艺兼容。近年来,越来越多的研究者开始致力于开发薄膜SAW器件。本文针对基于键合工艺制备LiNbO3和LiTiO3薄膜材料的研究进展及其产业化进展进行了综合阐述,为后续研究提供一定的参考。

关键词：键合工艺射频滤波器压电薄膜材料

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基于铁电材料的人工突触器件的研究进展

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功能材料与器件学报 2020年第3期26卷 160-168页

作者：赵兰天刘晨鹤任青华刘强陈玲丽俞文杰中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

神经形态计算因具有解决传统冯诺依曼架构的瓶颈问题的潜力,已经被深入研究。在众多人工突触器件材料系统中,铁电材料有独特的极化和非易失性特性,其在神经形态计算中应用前景巨大。本文总结了有关于铁电突触器件的最新研究进展,梳理了... 详细信息

神经形态计算因具有解决传统冯诺依曼架构的瓶颈问题的潜力,已经被深入研究。在众多人工突触器件材料系统中,铁电材料有独特的极化和非易失性特性,其在神经形态计算中应用前景巨大。本文总结了有关于铁电突触器件的最新研究进展,梳理了铁电材料的基本性质,分析了两种铁电突触器件—铁电隧穿结(FTJ)和铁电场效应晶体管(FeFET)的工作原理以及研究成果,并对基于铁电材料的人工突触器件目前的研究状况以及未来的发展分别做出了总结与展望。

关键词：神经形态计算人工突触器件铁电材料铁电隧穿结铁电场效应晶体管

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应用于MOEMS集成的TSV技术研究

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传感技术学报 2019年第5期32卷 649-653页

作者：胡正高盖蔚徐高卫罗乐中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

硅通孔(TSV)通过缩短互连长度可实现低延迟、低功耗等目的。对应用于微光机电系统(MOEMS)集成的TSV工艺进行了研究,通过ICP-DRIE参数优化获得了陡直TSV通孔;通过金-金键合及bottom-up法,实现了TSV的无缺陷填充;对填充后的TSV进行电学表... 详细信息

硅通孔(TSV)通过缩短互连长度可实现低延迟、低功耗等目的。对应用于微光机电系统(MOEMS)集成的TSV工艺进行了研究,通过ICP-DRIE参数优化获得了陡直TSV通孔;通过金-金键合及bottom-up法,实现了TSV的无缺陷填充;对填充后的TSV进行电学表征,测试结果表明,单个TSV的电阻平均值为0.199Ω、相邻两个TSV的电容在无偏压时为170.45 fF、TSV的漏电流在100 V时为9.43 pA,具有良好的电学特性。

关键词：硅通孔(TSV) 微光机电系统(MOEMS) ICP刻蚀键合电镀

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基于超导TES探测器X射线能谱仪的稀土元素L边荧光谱学研究

基于超导TES探测器X射线能谱仪的稀土元素L边荧光谱学研究

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中国稀土学会2021学术年会

作者：吴秉骏张硕夏经铠刘志信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所中国科学院大学大科学中心上海科技大学上海科技大学物质科学与技术学院

基于超导转变边探测器(TES, Transition-Edge Sensor)的低温X射线能谱仪兼具高能量分辨率、高探测效率、低噪声等特点,可以大幅提升实验室及光源线站的能谱分析能力[1-3]。TES探测器作为生长在Si衬底上的微纳器件,以高原子序数材料(如Au... 详细信息

基于超导转变边探测器(TES, Transition-Edge Sensor)的低温X射线能谱仪兼具高能量分辨率、高探测效率、低噪声等特点,可以大幅提升实验室及光源线站的能谱分析能力[1-3]。TES探测器作为生长在Si衬底上的微纳器件,以高原子序数材料(如Au)作为吸收体提高其计数率,并以Mo-Au双层薄膜构成其温度敏感结构[3,4]。将其超导转变温度稳定于95 mK左右,可以对从软X射线(～1.5 keV)至硬X射线(～18 keV)的超宽能量范围有很好的电学信号线性响应,并可以精确测量入射X射线光子的能量[4-6]。目前已于上海科技大学建设完成了国内首套基于多像素超导TES探测器的低温X射线能谱仪并已投入实际运行[1]。当稀土元素受到X射线照射时,荧光激发所得的L边光子的能量大小恰好处于TES探测器的最佳工作范围,可以通过能量标定将电学信号精确转换成能量刻度[7,8]。通过一段时间的荧光信号数据积累,可以得到较宽能量范围下的该稀土元素的L边荧光谱,从而可以进行分峰拟合,精确测得不同峰的中心值、峰形状乃至面积比例[8]。对一定比例的不同稀土元素铽(Tb,Z=65)、镝(Dy,Z=66)、钬(Ho,Z=67)氧化物混合物的X射线荧光谱实测结果如下图Fig.1所示,通过标定分析可以分析得到其不同化学组成的成分比例等信息,从而为进一步的稀土资源开发、环境保护等应用提供有效参考[7,9]。

关键词：超导转变边探测器 X射线荧光发射谱稀土元素化学组成分析

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基于低温SQUID瞬变电磁系统的涡流补偿方法

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传感技术学报 2019年第10期32卷 1483-1486页

作者：荣亮亮包苏新董丙元裴易峰伍俊邱隆清宋正威中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院超导电子学卓越创新中心上海200050 中国科学院大学北京100049

为了避免瞬变电磁法TEM(Transient Electromagnetic Method)系统中的金属成分受发射场激发带来的涡流干扰,本文利用传输函数与发射场卷积获得系统涡流大小,并进行抵扣,以获得真实的地下响应信号。文中介绍了瞬变电磁法工作原理,描述了... 详细信息

为了避免瞬变电磁法TEM(Transient Electromagnetic Method)系统中的金属成分受发射场激发带来的涡流干扰,本文利用传输函数与发射场卷积获得系统涡流大小,并进行抵扣,以获得真实的地下响应信号。文中介绍了瞬变电磁法工作原理,描述了涡流形态及对SQUID接收信号的影响,同时建立了SQUID系统传输函数的测量装置,并对该传输函数的卷积效果进行了验证,确保卷积结果与实测结果一致。实验结果证明该涡流补偿方法可以应用于实际探矿工作中,提高了探测精准度。

关键词：超导量子干涉仪瞬变电磁涡流传输函数卷积精准度

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国内外光刻胶产业分析及发展建议

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功能材料与器件学报 2020年第6期26卷 382-386页

作者：朱宇波黄嘉晔中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 上海集成电路材料研究院有限公司上海200050

光刻胶是集成电路光刻工艺中的关键材料,光刻胶产业具有很高的技术壁垒,市场基本被国外企业垄断。近年来,随着集成电路芯片制造产能向中国大陆转移,我国对光刻胶的需求稳步增加,实现进口替代的需求迫切。本文针对光刻胶产业,从全球产业... 详细信息

光刻胶是集成电路光刻工艺中的关键材料,光刻胶产业具有很高的技术壁垒,市场基本被国外企业垄断。近年来,随着集成电路芯片制造产能向中国大陆转移,我国对光刻胶的需求稳步增加,实现进口替代的需求迫切。本文针对光刻胶产业,从全球产业情况、相关产业巨头、产业特点以及国内光刻胶产业面临的问题方面进行综合阐述,最后提供了国内光刻胶产业的发展建议。

关键词：光刻胶集成电路制造产业分析

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锗基石墨烯能带加工：锰合金化插层

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核技术 2019年第8期42卷 56-61页

作者：崔奋为胡旭东朱海龙黄本锐马妮李昂中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049 上海科技大学物质科学与技术学院量子电子学联合实验室上海201210

在石墨烯或其异质结中引入带隙是石墨烯能带工程研究的重要课题。借助合金化的方法在石墨烯和锗[Ge(110)]衬底之间成功插入二维Mn-Ge合金岛,并对此异质结构开展微观原子结构及低能电子激发的扫描隧道显微学研究。在不同石墨烯覆盖度的... 详细信息

在石墨烯或其异质结中引入带隙是石墨烯能带工程研究的重要课题。借助合金化的方法在石墨烯和锗[Ge(110)]衬底之间成功插入二维Mn-Ge合金岛,并对此异质结构开展微观原子结构及低能电子激发的扫描隧道显微学研究。在不同石墨烯覆盖度的样品中,发现了一维纳米线和二维平板合金岛插层,在缺乏石墨烯保护的合金表面,二维合金岛可以恢复三维生长。Mn-Ge合金纳米线和二维岛插层使石墨烯分别打开了400meV和200meV的能隙,为改变石墨烯的能带结构提供了可行的方法。

关键词：石墨烯扫描隧道显微镜插层能带工程

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拓扑半金属材料角分辨光电子能谱研究进展

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物理学报 2019年第22期68卷 113-134页

作者：邓韬杨海峰张敬李一苇杨乐仙柳仲楷陈宇林中国科学院上海微系统与信息技术研究所中国科学院超导电子学卓越创新中心信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049 上海科技大学物质科学与技术学院上海201210 牛津大学物理系牛津郡OX13PU 清华大学物理系北京100084

拓扑半金属材料是具有拓扑保护的能带交叠的一类无能隙拓扑量子材料,具备许多独特的物理性质,是目前量子材料研究的前沿领域.根据能带交叠的简并度和维度等不同信息,拓扑半金属材料可以分为拓扑狄拉克半金属、拓扑外尔半金属和拓扑节线... 详细信息

拓扑半金属材料是具有拓扑保护的能带交叠的一类无能隙拓扑量子材料,具备许多独特的物理性质,是目前量子材料研究的前沿领域.根据能带交叠的简并度和维度等不同信息,拓扑半金属材料可以分为拓扑狄拉克半金属、拓扑外尔半金属和拓扑节线半金属等.具有高能量、动量分辨率的角分辨光电子能谱技术(ARPES)能够解析动量空间电子结构从而直接测量拓扑半金属中的拓扑电子态,是研究拓扑半金属材料的重要实验手段.本文系统回顾了利用ARPES技术测量的不同类型的典型拓扑半金属的电子结构特别是特征拓扑电子态,从而为拓扑半金属的物理起源、物性研究以及新奇拓扑半金属的探索提供了重要信息.

关键词：拓扑半金属电子结构量子材料角分辨光电子能谱

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基于QD-SOA-XGM的全光逻辑或非门研究

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通信技术 2020年第1期53卷 9-14页

作者：王玉倩王海龙孔雪纯杨帅龚谦山东省激光偏光与信息技术重点实验室曲阜师范大学物理系山东曲阜273165 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

为了改善基于交叉增益调制效应的量子点半导体光放大器全光逻辑或非门的性能,研究了QD-SOA-XGM全光逻辑门的码型效应特性,用两个连“1”脉冲和单个“1”脉冲的峰值功率来衡量,即P30/P20。研究结果表明:第一级输入电流越小,逻辑或非门的... 详细信息

为了改善基于交叉增益调制效应的量子点半导体光放大器全光逻辑或非门的性能,研究了QD-SOA-XGM全光逻辑门的码型效应特性,用两个连“1”脉冲和单个“1”脉冲的峰值功率来衡量,即P30/P20。研究结果表明:第一级输入电流越小,逻辑或非门的性能越好,而第二级输入电流对或非门性能影响很小;在一定范围内,输入连续光功率越大、有源区长度越长、有源区宽度越宽、最大模式增益越大、损耗系数越小,或非门输出效果越好。

关键词：级联量子点半导体光放大器交叉增益调制全光逻辑或非门码型效应

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X射线能谱方法在稀土能源材料中的研究应用

X射线能谱方法在稀土能源材料中的研究应用

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2021中国稀土学会学术年会

作者：余毅章辉刘志上海科技大学大科学中心上海市浦东新区华夏中路393号201210 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海市长宁区长宁路865号200050

基于二氧化铈的稀土能源催化材料具有可逆氧化还原对Ce3+/Ce4+、可调控氧空位和表面酸碱性质等优异性质，在能源催化和有机合成等领域取得了广泛的应用和研究。

关键词： X射线能谱方法原位氧化铈电催化

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