检索结果-内蒙古大学图书馆

红外与激光工程 2014年第5期43卷 1370-1374页

作者：王攀丁瑞军叶振华中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件国防科技创新实验室上海200083 中国科学院大学北京100049

针对短波红外焦平面阵列探测器弱信号耦合、高帧频输出和噪声抑制的要求,文中设计了512×256面阵探测器读出电路(ROIC)的高帧频模拟信号链路结构。完整的模拟信号链包含运放积分型(CTIA)单元输入级、相关双采样、电荷放大器和互补... 详细信息

针对短波红外焦平面阵列探测器弱信号耦合、高帧频输出和噪声抑制的要求,文中设计了512×256面阵探测器读出电路(ROIC)的高帧频模拟信号链路结构。完整的模拟信号链包含运放积分型(CTIA)单元输入级、相关双采样、电荷放大器和互补型输出级。在低温模型基础上,进行了前仿真和提取版图寄生参数的后仿真。仿真得到输出动态范围为2.8V,8路输出的工作帧频高于250Hz。基于CSMC-6S05DPTM0.5μm工艺完成流片,读出电路ROIC芯片的测试结果与仿真结果基本一致,为短波红外焦平面探测器弱信号读出提供了有效的设计选择。

关键词：短波红外焦平面 CTIA输入级相关双采样电荷放大器补型输出级

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

采用不同材料坩埚对碲锌镉晶体质量的影响

引用

激光与红外 2007年第B09期37卷 924-927页

作者：孙士文刘从峰方维政杨建荣中国科学院上海技术物理研究所红外材料与器件国防科技创新实验室上海200083

文中采用热解氮化硼（pBN）坩埚生长Cd0．96Zn0．04Te单晶体，并与采用内壁涂碳的石英坩埚生长的晶体进行了对比分析。本文获得的晶体尺寸为φ45mm×110mm，（111）衬底晶片面积最大可达40mm×30mm，测试分析结果显示：Everson... 详细信息

文中采用热解氮化硼（pBN）坩埚生长Cd0．96Zn0．04Te单晶体，并与采用内壁涂碳的石英坩埚生长的晶体进行了对比分析。本文获得的晶体尺寸为φ45mm×110mm，（111）衬底晶片面积最大可达40mm×30mm，测试分析结果显示：Everson腐蚀坑密度小于2×10^4cm^-2，且分布均匀，无网络状分布结构，与石英熏碳坩埚相比，结构质量有了明显提高；第二相夹杂物尺寸小于2μm，密度为0～1×10^3cm^-3；（111）B晶片的X—ray反射貌相图显示，晶体的结构均匀，完整性较好。上述晶体质量评价指标均优于采用石英熏碳坩埚生长获得的晶体，而且更为重要的是，上述各项指标在同一晶锭的各晶片上基本重复，这说明了单晶具有良好的均匀性，有利于生长均匀的碲镉汞外延层。

关键词：碲锌镉晶体生长氮化硼坩埚

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

InGaAs近红外线列焦面阵的研制进展

引用

红外与激光工程 2009年第1期38卷 14-18页

作者：龚海梅张可锋唐恒敬李雪张永刚缪国庆宋航方家熊中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室上海200083 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件国防科技创新实验室上海200083 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室吉林长春130033

研制出光谱响应为0.9～1.7μm的256×1、512×1元InGaAs线列焦平面组件,和光谱响应延展至2.4μm的256×1元InGaAs线列焦平面组件。焦平面组件包括光敏芯片、读出电路、热电制冷器以及管壳封装。光敏芯片在InP/InGaAs/InP(p-... 详细信息

研制出光谱响应为0.9～1.7μm的256×1、512×1元InGaAs线列焦平面组件,和光谱响应延展至2.4μm的256×1元InGaAs线列焦平面组件。焦平面组件包括光敏芯片、读出电路、热电制冷器以及管壳封装。光敏芯片在InP/InGaAs/InP(p-i-n)双异质结外延材料上采用台面结构实现,并与128×1或512×1元CTIA结构的读出电路耦合。焦平面器件置于双列直插金属管壳中,采用平行缝焊的方式进行封装。介绍了高均匀性长线列InGaAs焦平面组件的关键技术和主要性能结果,为更长线列焦平面组件的研制提供了坚实的基础。

关键词：短波近红外 InGaAs 焦平面组件读出电路

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

采用不同材料坩埚对碲锌镉晶体质量的影响

采用不同材料坩埚对碲锌镉晶体质量的影响

引用

第三届全国先进焦平面技术研讨会

作者：孙士文刘从峰方维政杨建荣中国科学院上海技术物理研究所红外材料与器件国防科技创新实验室上海200083

本研究采用热解氮化硼(pBN)坩埚生长Cd0.96Zn0.04Te单晶体,并与采用内壁涂碳的石英坩埚生长的晶体进行了对比分析。本文获得的晶体尺寸为φ455mm×110mm,(111)衬底晶片面积最大可达40mm×30mm,测试分析结果显示:Everson腐蚀坑... 详细信息

本研究采用热解氮化硼(pBN)坩埚生长Cd0.96Zn0.04Te单晶体,并与采用内壁涂碳的石英坩埚生长的晶体进行了对比分析。本文获得的晶体尺寸为φ455mm×110mm,(111)衬底晶片面积最大可达40mm×30mm,测试分析结果显示:Everson腐蚀坑密度小于2×104cm-2,且分布均匀,无网络状分布结构,与石英熏碳坩埚相比,结构质量有了明显提高;第二相夹杂物尺寸小于2μm,密度为0～1×103 cm-3;(111)B晶片的X-ray反射貌相图显示,晶体的结构均匀,完整性较好。上述晶体质量评价指标均优于采用石英熏碳坩埚生长获得的晶体,而且更为重要的是,上述各项指标在同一晶锭的各晶片上基本重复,这说明了单晶具有良好的均匀性,有利于生长均匀的碲镉汞外延层。

关键词：红外材料碲锌镉晶体氮化硼坩埚晶体生长

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：