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  • 301 篇 中文
检索条件"机构=中国科学院上海技术物理研究所 传感技术联合国家重点实验室"
301 条 记 录,以下是21-30 订阅
排序:
γ辐照温短波HgCdTe光伏器件的导纳谱研究
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物理学报 1999年 第6期48卷 1107-1112页
作者: 胡新文 赵军 陆慧庆 李向阳 方家熊 中国科学院传感技术国家重点实验室 上海技术物理研究所
利用变频导纳谱研究了γ辐照前后Hg1-xCdxTe(x=06)n+onp结中的深能级缺陷.辐照前其缺陷能级位置在价带上015eV,俘获截面σp=29×10-18cm2,缺陷密度Nt=65×1015... 详细信息
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第二代静止轨道气象卫星用多波段红外探测器封装及性能(英文)
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红外与激光工程 2018年 第4期47卷 109-116页
作者: 刘大福 徐勤飞 汪洋 贾嘉 袁洪辉 中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室 上海200083 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室 上海200083 中国科学院大学 北京100049
第二代地球静止轨道(GEO)气象卫星用于定量化气象预报,中国已经成功研制出该卫星。卫星上扫描辐射计的探测波段从第一代风云二号的四个增加到现在的十四个,十四个波段中有八个是红外波段,覆盖了短波到甚长波的红外波段。这八个红外波段... 详细信息
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界面热阻测量方法及影响因素研究进展
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工程热物理学报 2020年 第10期41卷 2580-2588页
作者: 王镇 莫德锋 汪洋 徐红艳 李雪 余利泉 李俊 王小坤 中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室 上海200083 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室 上海200083 中国科学院大学 北京100049
界面热阻在热管理方面具有重要的研究价值与意义,对产品的可靠性,性能,功耗以及寿命等具有重要影响.介绍了界面热阻的测量方法,包括稳态方法,结构函数法,3ω法,激光光热法,激光闪光法,时域热反射法和频域热反射法等。稳态方法原理简单,... 详细信息
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超大面阵红外探测器冷平台支撑结构研究
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红外与激光工程 2023年 第2期52卷 188-194页
作者: 张阳 莫德锋 范崔 石新民 俞君 龚海梅 李雪 中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室 上海200083 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室 上海200083 中国科学院大学 北京100049
为满足拼接式超大面阵型红外探测器的空间应用需求,超大规模冷平台组件需要在低温下工作,冷平台支撑结构需要较高的刚度以满足组件的抗振动性能,又需要较高的结构热阻以降低其传导漏热。提出了对称式八杆结构作为冷平台支撑,该支撑结构... 详细信息
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深低温大功率电阻阵列封装结构研究
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红外与激光工程 2022年 第8期51卷 422-430页
作者: 孙权 莫德锋 刘大福 龚海梅 中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室 上海200083 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室 上海200083 中国科学院大学 北京100049
电阻阵列的封装需求向着集成度高、大功率、深低温方向发展。为了满足130 K以下低温工作、稳态功率100 W以上的深低温应用需求,提出了一种利用液氮进行制冷的集成封装结构,并利用有限元仿真和实测验证相结合的方法验证了装置的制冷能力... 详细信息
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采用CFD方法对液氮冷却结构进行流体和热分析
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红外与激光工程 2022年 第10期51卷 76-84页
作者: 孙权 莫德锋 刘大福 龚海梅 中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室 上海200083 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室 上海200083 中国科学院大学 北京100049
低温应用的大功率器件需要设计高冷却效率的液冷结构。采用计算流体动力学(CFD)方法模拟了以液氮-氮气两相流为制冷剂的空腔结构、微通道结构和扰流柱结构的流动与传热过程。结果表明,相比于空腔结构和微槽道结构,扰流柱结构具有较好... 详细信息
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离子束刻蚀碲镉汞中转型宽度
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红外与毫米波学报 2014年 第5期33卷 477-480页
作者: 徐国庆 刘向阳 王仍 储开慧 汤亦聃 乔辉 贾嘉 李向阳 中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室 上海200083 中国科学院研究生院 北京100049
用Ar+离子束在p型HgCdTe(碲镉汞)上刻蚀出不同体积的环孔,利用激光诱导电流方法测试转型后的n区宽度.研究发现,在相同的刻蚀条件下,n区宽度取决于材料的汞空位浓度和被刻蚀HgCdTe体积.当被刻蚀HgCdTe体积相同时,n区宽度随汞空位浓度的... 详细信息
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边积分边读出低噪声红外焦平面读出电路研究
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红外与毫米波学报 2011年 第4期30卷 297-300,304页
作者: 黄张成 黄松垒 张伟 陈郁 方家熊 中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室 上海200083 中国科学院研究生院 北京100039
设计了一款低噪声InGaAs焦平面读出电路.提出一种新型相关双采样电路结构,可在边积分边读出模式下有效抑制积分电容(0.15 pF)的KTC噪声.电路经0.5μm 5 V Nwell CMOS工艺流片,测试结果符合设计目标,在高帧频边积分边读出模式下工作状态... 详细信息
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基于朗缪尔吸附模型的杜瓦真空寿命评估研究
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红外与毫米波学报 2023年 第4期42卷 434-440页
作者: 范崔 王小坤 季鹏 张磊 俞君 沈一璋 莫德锋 李雪 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室 上海200083 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室 上海200083 中国科学院大学 北京100039
影响杜瓦真空寿命的主要是内部材料出气。针对红外探测器杜瓦的出气机理及密封前需长时间排气特点,提出了以满足朗缪尔吸附模型的脱附速率方程作为杜瓦出气率模型的真空寿命评估方法。创新性地提出排气结束时变温监测离子流的方法,获得... 详细信息
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InGaAs/InP界面控制对InGaAs薄膜电学和光学性质的影响
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红外与毫米波学报 2019年 第6期38卷 751-757页
作者: 郑文龙 张亚光 顾溢 李宝宝 陈泽中 陈平平 上海理工大学材料科学与工程学院 上海200093 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 上海200083 中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室 上海200083
研究了全固态源分子束外延(MBE)生长InGaAs/InP异质结界面扩散对InGaAs外延薄膜电学和光学性质的影响.通过X射线衍射、变温霍尔测试和变温光致发光等方法对InGaAs薄膜样品进行细致研究.发现在InGaAs/InP界面之间插入一层利用As4生长的In... 详细信息
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