检索结果-内蒙古大学图书馆

电子与信息学报 2013年第12期35卷 3030-3036页

作者：任东宇彭春荣夏善红中国科学院电子学研究所传感器技术国家重点实验室北京100190 中国科学院大学北京100039

为了实现AC(工频)和DC电场同时检测,该文基于MEMS电场传感器,采用直接数字频率合成器(DDS)激励及正交锁相技术研制出一种高性能微型电场传感器电路。该系统结合低噪声模拟电路和数字控制方式,采用DDS产生精准的传感器激励信号和双路正... 详细信息

为了实现AC(工频)和DC电场同时检测,该文基于MEMS电场传感器,采用直接数字频率合成器(DDS)激励及正交锁相技术研制出一种高性能微型电场传感器电路。该系统结合低噪声模拟电路和数字控制方式,采用DDS产生精准的传感器激励信号和双路正交参考信号,保证了激励信号及正交参考信号的频率、幅值稳定性以及双路正交参考信号之间准确的相位差。采用相关解调芯片及高速滤波器构建正交锁相放大电路,结合Advanced RISC Machines(ARM)微控制器,解决了单片机数字信号处理响应速度慢、资源不足等问题,成功实现AC(工频)及DC电场加载情况下传感器弱信号高精度提取。

关键词：微型电场传感器静电场及工频电场直接数字频率合成器(DDS) 正交锁相放大器分辨力

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低轴间耦合的MEMS三维电场传感器

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电子与信息学报 2018年第8期40卷 1934-1940页

作者：凌必赟彭春荣任仁储昭志张洲威雷虎成夏善红中国科学院电子学研究所传感器技术国家重点实验室北京100190 中国科学院大学北京100049

轴间耦合干扰是影响3维电场传感器测量准确性的重要因素。该文提出了一种低耦合干扰的MEMS 1维电场敏感芯片,并将3个上述的芯片正交组合研制出一款低轴间耦合的MEMS 3维电场传感器。不同于已见报道的测量垂直方向电场分量的MEMS 1维电... 详细信息

轴间耦合干扰是影响3维电场传感器测量准确性的重要因素。该文提出了一种低耦合干扰的MEMS 1维电场敏感芯片,并将3个上述的芯片正交组合研制出一款低轴间耦合的MEMS 3维电场传感器。不同于已见报道的测量垂直方向电场分量的MEMS 1维电场敏感芯片,该文提出的芯片采用轴对称设计,在差分电路的配合下能够测量垂直于对称轴方向的面内电场分量,并能够消除正交于测量轴方向的电场分量的耦合干扰。该MEMS 3维电场传感器具尺寸小和集成度高等优点。实验结果表明在0~120 k V/m电场强度范围内,该MEMS 3维电场传感器的轴间耦合灵敏度小于3.48%,3维电场测量误差小于7.13%。

关键词： MEMS 3维电场传感器轴间耦合干扰

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偏振差分反射光谱研究半导体材料的平面内光学各向异性

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光谱学与光谱分析 2006年第7期26卷 1185-1189页

作者：赵雷陈涌海左玉华王海宁时文华中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室北京100083 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京100083 中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室北京100080

介绍了偏振差分反射光谱的原理,并结合半导体材料平面内光学各向异性的来源,总结了偏振差分反射光谱作为一种重要的表面、界面分析技术在半导体材料研究中的应用,并分析指出其在Si基材料电光改性研究中将会起到重要作用。

关键词：偏振差分反射光谱半导体平面内光学各向异性电光改性

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用于肿瘤标志物现场快速检测的便携式仪表的研制

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分析化学 2016年第7期44卷 1148-1154页

作者：樊艳王杨刘军涛罗金平徐辉任徐声伟蔡新霞中国科学院电子学研究所传感器技术国家重点实验室中国科学院大学唐山学院智能与信息工程学院

针对肿瘤标志物高灵敏度现场快速检测的需求,将电化学检测技术与电子技术相结合,采用差分脉冲伏安法（Differential pulse voltammetry,DPV）研制了一种可用于肿瘤标志物现场快速检测的便携式仪表,检测电压和电流的分辨率分别为0.8 mV和... 详细信息

针对肿瘤标志物高灵敏度现场快速检测的需求,将电化学检测技术与电子技术相结合,采用差分脉冲伏安法（Differential pulse voltammetry,DPV）研制了一种可用于肿瘤标志物现场快速检测的便携式仪表,检测电压和电流的分辨率分别为0.8 mV和1 nA。结合实验室自制微流控纸芯片,利用该便携式仪表对肿瘤标志物癌胚抗原（Carcinoembryonic antigen,CEA）进行检测,实验结果表明,在1;00μg/L浓度范围内,DPV峰值电流响应与CEA抗原浓度对数呈线性关系,线性相关系数为0.998,检出限为10 pg/mL。根据抗原抗体特异性结合和电化学检测原理,检测到电化学反应的微弱电流后,仪表可以根据已经标定的电流与浓度之间的比例关系自动计算出肿瘤标志物的浓度。此便携式仪表具有检测灵敏度高、检出限低等优点,可广泛应用于肿瘤标志物的即时检测。

关键词：肿瘤标志物电化学检测差分脉冲伏安法便携式即时检测

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不同偏置下全耗尽SOI NMOSFET总剂量抗辐射的研究

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Journal of Semiconductors 2007年第5期28卷 750-754页

作者：王宁娟刘忠立李宁于芳李国花中国科学院半导体研究所传感器国家重点实验室北京100083

研究了不同偏置条件下,全耗尽SOI NMOSFET的总剂量抗辐射特性,主要讨论不同偏置条件对器件中陷获电荷的产生和分布,以及由此对器件性能产生的影响.通过器件模拟发现,在辐射过程中器件的偏置条件不同,造成器件的有源区和埋氧层中电场的... 详细信息

研究了不同偏置条件下,全耗尽SOI NMOSFET的总剂量抗辐射特性,主要讨论不同偏置条件对器件中陷获电荷的产生和分布,以及由此对器件性能产生的影响.通过器件模拟发现,在辐射过程中器件的偏置条件不同,造成器件的有源区和埋氧层中电场的分布有着很大的差异.而俘获电荷的产生与电场又有着紧密的联系,所以造成了俘获电荷的分布和密度有很大的不同,从而对器件的影响也不同.模拟结果表明,在三种不同的偏置条件下,OFF态(关态)时背沟道附近陷获电荷密度最高,以常数电流法估算出的阈值电压负漂移最大,同时引起了最大的本底静态漏电流.

关键词： SOI 全耗尽总剂量辐射器件模拟

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基于MIS电容器的Al_(2)O_(3)与In_(0.74)Al_(0.26)As的界面特性

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红外与毫米波学报 2022年第2期41卷 384-388页

作者：万露红邵秀梅李雪顾溢马英杰李淘中国科学院上海技术物理研究所传感器技术国家重点实验室上海200083 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室上海200083 中国科学院大学北京100049

采用In_(0.74)Al_(0.26)As/In_(0.74)Ga_(0.26)As/In_(x)Al_(1-x)As异质结构多层半导体作为半导体层,制备了金属-绝缘体-半导体(MIS)电容器。其中,SiN_(x)和SiN_(x)/Al_(2)O_(3)分别作为MIS电容器的绝缘层。高分辨率透射电子显微镜和X射线光电子能谱的测试结果表明,与通过电感耦合等离子体化学气相沉积生长的SiN_(x)相比,通过原子层沉积生长的Al_(2)O_(3)可以有效地抑制Al_(2)O_(3)和In_(0.74)Al_(0.26)As界面的In2O3的含量。根据MIS电容器的电容-电压测量结果,计算得到SiN_(x)/Al_(2)O_(3)/In_(0.74)Al_(0.26)As的快界面态密度比SiN_(x)/In_(0.74)Al_(0.26)As的快界面态密度低一个数量级。因此,采用原子层沉积生长的Al_(2)O_(3)作为钝化膜可以有效地降低Al_(2)O_(3)和In_(0.74)Al_(0.26)As之间的快界面态密度,从而降低In_(0.74)Ga_(0.26)As探测器的暗电流。

关键词： InAlAs 原子层沉积 Al_(2)O_(3) SiN_(x)金属-绝缘体-半导体电容器界面态密度

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氟氏链霉菌离子束注入突变谱的分析

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微生物学报 2007年第2期47卷 265-269页

作者：刘晓秋张国青钱世钧中国科学院微生物研究所传感器国家重点实验室北京100080

用低能N+离子束注入转谷氨酰胺酶产生菌氟氏链霉菌后,通过试验,初步确定了注入的效应曲线,获得了一系列突变菌株。提取原始菌株和突变菌株的DNA,采用PCR反应分段扩增出转谷氨酰胺酶基因进行单链构象多态性分析(SSCP),并将特异性条带克... 详细信息

用低能N+离子束注入转谷氨酰胺酶产生菌氟氏链霉菌后,通过试验,初步确定了注入的效应曲线,获得了一系列突变菌株。提取原始菌株和突变菌株的DNA,采用PCR反应分段扩增出转谷氨酰胺酶基因进行单链构象多态性分析(SSCP),并将特异性条带克隆测序进行基因突变型的鉴定,分析离子束注入引起链霉菌基因的基因突变类型及特点。结果显示:碱基变异的类型包括转换、颠换和缺失。在检测到的24个碱基突变中,主要是碱基的置换(87.5%),碱基缺失的比例比较小(12.5%)。在碱基置换中,转换的频率(58.3%)高于颠换的频率(29.2%)。转换主要以C→T,A→G为主,颠换以G→T,C→G为主。此外构成DNA的4种碱基均可以被离子束辐照诱发变异,其中胞嘧啶发生突变的频率较高。

关键词：离子束诱发突变氟氏链霉菌转谷氨酰胺酶 SSCP

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AlGaN肖特基紫外探测器的γ辐照效应

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半导体光电 2008年第1期29卷 20-22,40页

作者：白云李雪张燕龚海梅中国科学院上海技术物理研究所传感器技术国家重点实验室上海200083

对AlGaN肖特基紫外探测器件用不同剂量的γ射线进行辐照,测量了器件辐照前后的电流-电压特性、电容-频率曲线和响应光谱曲线的变化。实验发现γ辐照对器件的暗电流没有产生大的影响,但大剂量的辐照有使肖特基势垒高度降低的趋势。同时... 详细信息

对AlGaN肖特基紫外探测器件用不同剂量的γ射线进行辐照,测量了器件辐照前后的电流-电压特性、电容-频率曲线和响应光谱曲线的变化。实验发现γ辐照对器件的暗电流没有产生大的影响,但大剂量的辐照有使肖特基势垒高度降低的趋势。同时辐照还引起了器件的电容的频率特性的增强,并且降低了器件的响应率。这些现象可能是γ辐照在AlGaN材料中诱生了新的缺陷能级造成的。

关键词： γ辐照 AlGaN 肖特基势垒

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一种新型微机械谐振式压力传感器研究

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传感技术学报 2009年第6期22卷 790-793页

作者：史晓晶陈德勇王军波毋正伟刘磊中国科学院电子学研究所传感器国家重点实验室北京100190

提出了一种微机械谐振式压力传感器的新结构。该传感器采用了电磁激励和差分检测方式。谐振器的制作采用了30μm厚扩散硅的(100)硅片,从而实现了谐振器与压力膜的一体化,避免了谐振梁与压力膜键合引入的应力,并且工艺简单易于实现。文... 详细信息

提出了一种微机械谐振式压力传感器的新结构。该传感器采用了电磁激励和差分检测方式。谐振器的制作采用了30μm厚扩散硅的(100)硅片,从而实现了谐振器与压力膜的一体化,避免了谐振梁与压力膜键合引入的应力,并且工艺简单易于实现。文中介绍了结构的有限元仿真(FEA-ANSYSSimulation)优化,工艺制作流程,及实验测试。在低真空下测试其品质因数(Q)高于10000,测量范围为0～100kPa,非线性度为0.62%,分辨率为1/10000,灵敏度为200Hz/kPa。

关键词：谐振式压力传感器 MEMS 电磁激励差分检测 FEA-ANSYS

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SOI微型电场传感器的设计与测试

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电子与信息学报 2011年第11期33卷 2771-2774页

作者：杨鹏飞彭春荣张海岩刘世国夏善红中国科学院电子学研究所传感器技术国家重点实验室北京100190 中国科学院研究生院北京100039

该文研制了一种新型的基于SOI(Silicon-On-Insulator)微机械加工技术的高性能电场传感器敏感结构。为提高传感器的灵敏度和信噪比,该器件采用侧面屏蔽感应电极的独特设计方案,降低了传感器屏蔽电极的边缘效应;并基于有限元仿真,进一步... 详细信息

该文研制了一种新型的基于SOI(Silicon-On-Insulator)微机械加工技术的高性能电场传感器敏感结构。为提高传感器的灵敏度和信噪比,该器件采用侧面屏蔽感应电极的独特设计方案,降低了传感器屏蔽电极的边缘效应;并基于有限元仿真,进一步优化了传感器敏感结构参数。在室温和室内大气压条件下,测试表明,测试量程0～50kV/m,传感器总不确定度优于2%,分辨率为50 V/m。

关键词：电场微传感器微机电系统(MEMS) 绝缘体上硅(SOI) 分辨率

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