检索结果-内蒙古大学图书馆

北京工业大学学报 2025年第3期51卷 269-276页

作者：尹志岗董昊程勇吴金良张志伟张兴旺中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京100083 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049

HfO_(2)基铁电薄膜的负电容现象提供了解决微纳电子器件功耗问题的可行策略,但其物理图像却一直饱受争议。基于Landau-Devonshire和Landau-Khalatnikov方程,对铁电HfO_(2)/介质双层体系开展了理论模拟。结果表明:根植于零场吉布斯自由... 详细信息

HfO_(2)基铁电薄膜的负电容现象提供了解决微纳电子器件功耗问题的可行策略,但其物理图像却一直饱受争议。基于Landau-Devonshire和Landau-Khalatnikov方程,对铁电HfO_(2)/介质双层体系开展了理论模拟。结果表明:根植于零场吉布斯自由能及准静态极化-电场曲线的准静态负电容理论,难以如实反映极化-电场动态演化轨迹。与准静态负电容理论的预言不同,HfO_(2)/介质体系的负电容强烈依赖于介质层分压效应,具有瞬态属性。回滞现象与Landau-Khalatnikov方程中的阻尼系数相关,本质上起源于热耗散过程,基于电容匹配原理很难完全消除回滞。与阻尼系数相关的热耗散随频率增大而急剧增加,因此负电容场效应晶体管并不适用于高频应用领域。该研究有助于深入理解HfO_(2)基体系中的负电容物理起源。

关键词：负电容极化-电压曲线回滞吉布斯自由能热耗散氧化铪基铁电材料

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氧化物全光控突触研究进展

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发光学报 2025年第2期46卷 245-259页

作者：单海应宏微程培红胡令祥王敬蕊叶志镇诸葛飞宁波大学材料科学与化学工程学院浙江宁波315211 中国科学院宁波材料技术与工程研究所浙江宁波315201 宁波工程学院电子与信息工程学院浙江宁波315211 浙江大学材料科学与工程学院硅及先进半导体材料全国重点实验室浙江杭州310027 浙江大学温州研究院浙江温州325006 中国科学院脑科学与智能技术卓越创新中心上海200031 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100029

类脑神经形态计算有望克服传统冯·诺依曼计算架构瓶颈,实现低功耗、高效信息处理,进而推动人工智能技术的发展。人工突触是构建神经形态系统的关键硬件,其中光电突触结合了电子学和光子学优势,具有光学感知、信息计算和存储等多种... 详细信息

类脑神经形态计算有望克服传统冯·诺依曼计算架构瓶颈,实现低功耗、高效信息处理,进而推动人工智能技术的发展。人工突触是构建神经形态系统的关键硬件,其中光电突触结合了电子学和光子学优势,具有光学感知、信息计算和存储等多种功能。新兴的全光控光电突触,其电导非易失性增大和降低均通过光信号实现,可有效避免电信号对器件微结构的破坏,改善工作稳定性,并且赋予突触器件新的功能。氧化物易制备,与CMOS工艺兼容性好,是使用最广泛的人工突触材料。本文梳理了具有长程可塑性的氧化物全光控突触器件研究进展,分别讨论了基于光波长和光功率调控的全光控突触,主要聚焦器件结构、材料选择和光电响应机制,最后分析了当前全光控突触发展面临的挑战。

关键词：神经形态计算光电突触全光控突触长程可塑性氧化物

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离子能量和沉积温度对离子束沉积碳膜表面形貌的影响

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物理学报 2001年第7期50卷 1324-1327页

作者：廖梅勇秦复光柴春林刘志凯杨少延姚振钰王占国中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室北京100083

利用质量分离的低能离子束沉积技术 ,得到了非晶碳膜 .所用离子能量为 5 0— 2 0 0eV ,衬底温度从室温到80 0℃ .在沉积的能量范围内 ,衬底为室温时薄膜为类金刚石 ,表面非常光滑 ;而 6 0 0℃下薄膜主要是石墨成分 ,表面粗糙 .沉积能量... 详细信息

利用质量分离的低能离子束沉积技术 ,得到了非晶碳膜 .所用离子能量为 5 0— 2 0 0eV ,衬底温度从室温到80 0℃ .在沉积的能量范围内 ,衬底为室温时薄膜为类金刚石 ,表面非常光滑 ;而 6 0 0℃下薄膜主要是石墨成分 ,表面粗糙 .沉积能量大于 140eV ,80 0℃时薄膜表面分立着高度取向的、垂直衬底表面、相互平行的开口碳管 .用高分辨电子显微镜看到了石墨平面的垂直择优取向 ,离子的浅注入和应力是这种优先取向的主要机理 .

关键词：非晶碳膜表面形貌质量分离低能离子束沉积离子能量沉积温度

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毫米波高电子迁移率晶体管的二维数值模拟

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红外与毫米波学报 1997年第3期16卷 226-230页

作者：张兴宏杨玉芬王占国中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室

建立了高电子迁移晶体管（ＨＥＭＴ）的二维数值模型，并用二维数值模拟的方法讨论了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ中的ＧａＡｓ沟道层量子阱中二维电子气的物理性质．通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程获得了沟道中的电子浓度和横向... 详细信息

建立了高电子迁移晶体管（ＨＥＭＴ）的二维数值模型，并用二维数值模拟的方法讨论了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ中的ＧａＡｓ沟道层量子阱中二维电子气的物理性质．通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程获得了沟道中的电子浓度和横向电场．模拟结果表明栅电压的改变对ＨＥＭＴ器件跨导产生很大的影响．

关键词：二维数值模拟电子气高电子迁移率晶体管

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自组装半导体量子点的电子学性质研究进展

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金属学报 2005年第5期41卷 463-470页

作者：孙捷金鹏王占国中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京100083

自组装半导体量子点是人工设计、生长的一种具有量子尺寸效应、量子干涉效应、表面效应、量子隧穿和Coulumb阻塞效应以及非线性光学效应的新型功能材料.由于其具有晶体缺陷少、材料制备工艺相对简单等优点而在未来纳米电子器件的研制中... 详细信息

自组装半导体量子点是人工设计、生长的一种具有量子尺寸效应、量子干涉效应、表面效应、量子隧穿和Coulumb阻塞效应以及非线性光学效应的新型功能材料.由于其具有晶体缺陷少、材料制备工艺相对简单等优点而在未来纳米电子器件的研制中有重要的应用价值.本文按照纵向输运、横向输运、电荷存储的顺序,扼要评述了自组装半导体量子点电子学性质的最新研究进展,并对目前存在的问题和发展前景作了分析.

关键词：自组装半导体量子点量子尺寸效应纳米电子器件

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分子束外延生长的n型Al掺杂ZnS_(1-x)Te_x深中心研究

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物理学报 1998年第2期47卷 286-293页

作者：卢励吾张砚华中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放研究实验室

应用电容电压、光致荧光和深能级瞬态谱技术研究了分子束外延生长的ｎ型Ａｌ掺杂ＺｎＳ１－ｘＴｅｘ外延层深中心．Ａｌ掺杂ＺｎＳ０９７７Ｔｅ００２３的光致荧光强度明显低于不掺杂的ＺｎＳ０９７７Ｔｅ００２３，这表明一... 详细信息

应用电容电压、光致荧光和深能级瞬态谱技术研究了分子束外延生长的ｎ型Ａｌ掺杂ＺｎＳ１－ｘＴｅｘ外延层深中心．Ａｌ掺杂ＺｎＳ０９７７Ｔｅ００２３的光致荧光强度明显低于不掺杂的ＺｎＳ０９７７Ｔｅ００２３，这表明一部分Ａｌ原子形成非辐射深中心．Ａｌ掺杂ＺｎＳ１－ｘＴｅｘ（ｘ＝０，００１７，００４和００４６）的深能级瞬态傅里叶谱表明，Ａｌ引进导带下的０２１和０３９ｅＶ电子陷阱，Ｔｅ除了作为材料合金的成分和等电子中心外，还涉及到一个电子陷阱的形成，其相对于导带的能级位置随Ｔｅ组分增加而减小．实验结果还表明仅有少量掺杂的Ａｌ原子形成非辐射中心。

关键词：硫化锌深中心分子束外延生长 n型铝掺杂

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含有AlGaAs插入层的InAs/GaAs三色量子点红外探测器

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物理学报 2016年第10期65卷 325-329页

作者：刘珂马文全黄建亮张艳华曹玉莲黄文军赵成城中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京100083

本文报道了采用分子束外延技术制备的三色In As/Ga As量子点红外探测器.器件采用nin型结构,吸收区结构是在In Ga As量子阱中生长含有Al Ga As插入层的In As量子点,器件在77 K下的红外光电流谱有三个峰值:6.3,10.2和11μm.文中分析了它... 详细信息

本文报道了采用分子束外延技术制备的三色In As/Ga As量子点红外探测器.器件采用nin型结构,吸收区结构是在In Ga As量子阱中生长含有Al Ga As插入层的In As量子点,器件在77 K下的红外光电流谱有三个峰值:6.3,10.2和11μm.文中分析了它们的跃迁机制,并且分别进行了指认.因为有源区采用了不对称结构,所以器件在外加偏压正负方向不同时,光电流谱峰值的强度存在一些差异.不论在正偏压或者负偏压下,当偏压达到较高值,再进一步增大偏压时,都出现了对应于连续态的跃迁峰强度明显下降的现象,这是由量子点基态与阱外连续态的波函数交叠随着偏压进一步增大而迅速减小导致的.

关键词：量子点红外探测器子带跃迁光电流谱分子束外延

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离子注入法制备GaN∶Er薄膜的Raman光谱分析

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光谱学与光谱分析 2013年第3期33卷 699-703页

作者：陶东言刘超尹春海曾一平中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京100083

对离子注入法制备的u-,n-和p-GaN∶Er三种类型的薄膜样品进行了Raman光谱分析。Er+注入GaN样品后新出现了293,362和670cm-1等波数的Raman峰,其中293cm-1处的Raman峰被指认为无序激活的Raman散射(DARS),362cm-1和670cm-1处的Raman峰可能与离子注入后形成的GaN晶格缺陷有关。上述GaN∶Er样品在800℃退火前后的E2(high)特征峰均向高频方向移动,表明薄膜晶格中均存在着压应力。采用洛伦兹拟合分析了Raman光谱中组成A1(LO)模式峰的未耦合LO模与等离子体激元耦合模LPP+在不同样品中的出现情况,定性指出了GaN∶Er系列样品中载流子浓度的变化规律。

关键词：氮化镓离子注入稀磁半导体 Raman光谱

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InAs/GaAs亚单层结构的静压光谱研究

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红外与毫米波学报 1997年第2期16卷 131-136页

作者：李国华韩和相汪兆平李伟王占国中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室

在１５Ｋ下测量了ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ亚单层结构的静压光致发光，静压范围为０～８ＧＰａ．常压下ＩｎＡｓ层中重空穴激子的发光峰随ＩｎＡｓ层厚的减小向高能移动，同时峰宽变窄，强度减小．其压力行为与ＧａＡｓ基体的基本一致，表明... 详细信息

在１５Ｋ下测量了ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ亚单层结构的静压光致发光，静压范围为０～８ＧＰａ．常压下ＩｎＡｓ层中重空穴激子的发光峰随ＩｎＡｓ层厚的减小向高能移动，同时峰宽变窄，强度减小．其压力行为与ＧａＡｓ基体的基本一致，表明量子阱（线、点）模型仍适用于ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ亚单层结构．

关键词：亚单层静压光致发光砷化铟半导体

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不同组分In_xGa_(1-x)As(0≤x≤0.3)覆盖层对自组织InAs量子点的影响

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物理学报 2000年第11期49卷 2230-2234页

作者：王晓东刘会赟牛智川封松林中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室北京100083 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室北京100083

研究了不同In组分的InxGa1-xAs(0≤x≤ 0 3)覆盖层对自组织InAs量子点的结构及发光特性的影响 .透射电子显微镜和原子力显微镜表明 ,InAs量子点在InGaAs做盖层时所受应力较GaAs盖层时有所减小 ,并且x =0 3时 ,InGaAs在InAs量子点上继... 详细信息

研究了不同In组分的InxGa1-xAs(0≤x≤ 0 3)覆盖层对自组织InAs量子点的结构及发光特性的影响 .透射电子显微镜和原子力显微镜表明 ,InAs量子点在InGaAs做盖层时所受应力较GaAs盖层时有所减小 ,并且x =0 3时 ,InGaAs在InAs量子点上继续成岛 .随x值的增大 ,量子点的光荧光峰红移 ,但随温度的变化发光峰峰位变化不明显 .理论分析表明InAs量子点所受应力及其均匀性的变化分别是导致上述现象的主要原因 .

关键词：量子点盖层应力红移砷化铟半导体

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