检索结果-内蒙古大学图书馆

人工晶体学报 2014年第12期43卷 3151-3156页

作者：王科范王珊谷城河南大学物理与电子学院开封475004 中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室北京100083

在In As/Ga As量子点的自组装生长阶段,采用δ掺杂技术对量子点进行不同浓度的Si掺杂,可以使得量子点的室温光致发光峰强度大幅提高,其原因是掺杂的Si原子释放电子钝化了周围的非辐射复合中心。这种掺杂也应用到了量子点太阳电池中,结... 详细信息

在In As/Ga As量子点的自组装生长阶段,采用δ掺杂技术对量子点进行不同浓度的Si掺杂,可以使得量子点的室温光致发光峰强度大幅提高,其原因是掺杂的Si原子释放电子钝化了周围的非辐射复合中心。这种掺杂也应用到了量子点太阳电池中,结果表明电池开路电压从0.72 V提高到了0.86 V,填充因子从60.4%提高到73.2%,短路电流从26.9 m A/cm2增加到27.4 m A/cm2。优化的Si掺杂可将量子点太阳的电池效率从11.7%提升到17.26%。

关键词： InAs/GaAs量子点太阳电池 δ掺杂Si 分子束外延

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

信息功能材料的研究现状和发展趋势

引用

化工进展 2004年第2期23卷 117-126页

作者：王占国中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京100083

介绍了国内外信息功能材料目前的研发水平、器件应用概况和发展趋势 ,主要介绍了半导体材料 ,也涉及到信息存储材料、有机光电子材料和人工晶体材料等。

关键词：信息功能材料半导体硅材料硅基异质结构材料固态量子构筑信息存储材料有机光电子材料人工晶体材料

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

离子注入制备GaAs:Mn薄膜的性质研究

引用

功能材料 2004年第Z1期35卷 1308-1310页

作者：宋书林陈诺夫尹志岗柴春林杨少延刘志凯中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室北京100083中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室北京100083 中国科学院力学研究所国家微重力实验室北京100080中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室北京100083中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室北京100083中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室北京100083中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室北京100083

采用高能离子注入的方式,在半绝缘性的GaAs衬底中掺杂引入Mn离子制备了磁性半导体.借助于X-射线衍射仪(XRD)进行了结构分析,没有发现新的衍射峰,并运用高分辨率X射线衍射仪(HR-XRD)分析了Mn离子注入后衬底(004)峰的微小变化.根据原子力... 详细信息

采用高能离子注入的方式,在半绝缘性的GaAs衬底中掺杂引入Mn离子制备了磁性半导体.借助于X-射线衍射仪(XRD)进行了结构分析,没有发现新的衍射峰,并运用高分辨率X射线衍射仪(HR-XRD)分析了Mn离子注入后衬底(004)峰的微小变化.根据原子力显微镜的结果发现,注入后的样品表面没有发生明显的变化.通过使用超导量子干涉仪SQUID进行变温分析,在所分析范围内M-T曲线存在拐点,但其所对应的铁磁性转变温度低于室温.

关键词：半绝缘性砷化镓磁性半导体铁磁性转变温度

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

氧化限制结构940 nm垂直腔面发射激光器

引用

激光与光电子学进展 2023年第15期60卷 223-230页

作者：颜伟年王秋华周亨杰邱平平赵玲娟阚强中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京100083 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049 低维半导体材料与器件北京市重点实验室北京100083

为研究氧化限制结构孔径对940 nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)特性的影响,制备了不同氧化孔径的940 nm VCSEL,并进行了测试分析。通过PICS3D软件对不同量子阱势垒材料的增益进行仿真计算,选取具有较高有源区材料增益的InGaAs/AlGaAs作为... 详细信息

为研究氧化限制结构孔径对940 nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)特性的影响,制备了不同氧化孔径的940 nm VCSEL,并进行了测试分析。通过PICS3D软件对不同量子阱势垒材料的增益进行仿真计算,选取具有较高有源区材料增益的InGaAs/AlGaAs作为量子阱,并开展了增益-腔模失配设计。在设计优化的基础上,制备了6种氧化孔径的940 nm VCSEL,对其光电输出特性进行测试。结果表明:氧化孔径为4μm的VCSEL,室温下斜率效率为0.93 W/A,最大功率转换效率为40.1%;氧化孔径为7μm的VCSEL,室温下最大输出功率为12.24 mW;氧化孔径为2μm的VCSEL,室温下最大基横模功率为2.67 mW。该器件在2 mA连续驱动电流下,在10~80℃的范围内均可实现边模抑制比大于45 dB的基横模输出。

关键词：激光器垂直腔面发射激光器氧化限制结构基横模孔径

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

铁磁/半导体异质结材料MnSb/Si的物理气相沉积生长

引用

Journal of Semiconductors 2003年第5期24卷 494-498页

作者：彭长涛陈诺夫张富强林兰英中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室

采用一种新的生长铁磁 /半导体异质结材料的方法——物理气相沉积方法生长了一种铁磁 /半导体异质结材料 Mn Sb/Si.对所获得的样品进行特征 X射线能谱分析表明 Mn和 Sb在 Si衬底上的沉积速率相近 ,它们的原子百分数之比接近 1∶ 1.X射... 详细信息

采用一种新的生长铁磁 /半导体异质结材料的方法——物理气相沉积方法生长了一种铁磁 /半导体异质结材料 Mn Sb/Si.对所获得的样品进行特征 X射线能谱分析表明 Mn和 Sb在 Si衬底上的沉积速率相近 ,它们的原子百分数之比接近 1∶ 1.X射线衍射分析发现薄膜中形成了 Mn Sb相 ,样品在室温下测出磁滞回线也从侧面验证了存在 Mn Sb相 .用原子力显微镜对样品的表面进行观察 ,发现 Mn Sb呈有规则形状的小晶粒状 ,晶粒大小比较均匀 ,尺寸大多数在 5 0 0 nm左右 .

关键词：铁磁/半导体异质结 MnSb/Si 物理气相沉积 MnSb相 X射线衍射分析

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

InGaAs/InAlAs量子级联激光器研究

引用

红外与毫米波学报 2001年第1期20卷 41-43页

作者：张权生刘峰奇张永照王占国 Honghai Gao A.Krier 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083 中国科学院半导体研究所半导体材料开放实验室北京100083 Physics Departimet Lancaster University

简要报道了自行研制的 In Ga As/ In Al As量子级联激光器的制备及其主要特性 .该器件具有增强型脊型波导结构 ,在 80 K时阈值电流为 0 .5 A,相应的阈值电流密度为 5 KA/ cm2 .

关键词：量子级联激光器制备 V-I特性光功率/电流特性发光特性 InGaAs InAlAs 半导体激光器

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

Si纳米线的固-液-固可控生长及其形成机理分析

引用

物理学报 2010年第2期59卷 1169-1174页

作者：彭英才范志东白振华马蕾河北大学电子信息工程学院保定071002 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京100083

以Au膜作为金属催化剂,直接从n-(111)Si单晶衬底上制备了直径为30—60nm和长度从几微米到几十微米的高质量Si纳米线.实验研究了Au膜层厚、退火温度、N2气流量和生长时间对Si纳米线形成的影响.结果表明,通过合理选择和优化组合上述各种... 详细信息

以Au膜作为金属催化剂,直接从n-(111)Si单晶衬底上制备了直径为30—60nm和长度从几微米到几十微米的高质量Si纳米线.实验研究了Au膜层厚、退火温度、N2气流量和生长时间对Si纳米线形成的影响.结果表明,通过合理选择和优化组合上述各种工艺条件,可以实现直径、长度、形状和取向可控的纳米线生长.基于固-液-固生长机理,定性阐述了Si纳米线的形成过程.

关键词： Si纳米线 Au-Si液滴合金固-液-固生长结构表征

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

可调谐DBR激光器波长锁定光路系统模拟设计

引用

半导体光电 2011年第4期32卷 580-584页

作者：叶楠姜震宇刘扬赵玲娟王圩中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京100083

利用ZEMAX软件设计了一套应用于可调谐DBR激光器输波长锁定的光路系统,该系统包括非球面镜、分光镜、法布里-珀罗标准具和消色差双胶合透镜。借助软件中的镀膜模块设计法布里-珀罗标准具的内部结构并表征其透射谱线,通过多重结构模块构... 详细信息

利用ZEMAX软件设计了一套应用于可调谐DBR激光器输波长锁定的光路系统,该系统包括非球面镜、分光镜、法布里-珀罗标准具和消色差双胶合透镜。借助软件中的镀膜模块设计法布里-珀罗标准具的内部结构并表征其透射谱线,通过多重结构模块构建分光系统,然后使用偏振分析模块计算系统总耦合效率和两分支的分光比。优化设计后的光路系统可应用于C波段可调谐DBR激光器20个信道的波长锁定。

关键词：可调谐DBR激光器波长锁定 ZEMAX

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

Mn注入n型Ge单晶的磁性研究

引用

功能材料 2004年第Z1期35卷 1219-1221,1224页

作者：刘力锋陈诺夫尹志岗杨霏周剑平中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京100083中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京100083 中国科学院力学研究所国家微重力实验室北京100083中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京100083中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京100083中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京100083

利用离子注入方法,以离子能量为100keV,剂量为3×1016cm-2,室温下往n型Ge(111)单晶衬底注入Mn+离子,注入后的样品分别在400和600℃氮气氛下进行热处理.利用交变梯度样品磁强计室温下对样品进行了磁性测量,利用X射线衍射法分析了样... 详细信息

利用离子注入方法,以离子能量为100keV,剂量为3×1016cm-2,室温下往n型Ge(111)单晶衬底注入Mn+离子,注入后的样品分别在400和600℃氮气氛下进行热处理.利用交变梯度样品磁强计室温下对样品进行了磁性测量,利用X射线衍射法分析了样品的结构特性,俄歇电子能谱法分析了热处理样品的组分特性.磁性测试结果表明热处理后的样品表现出室温下的铁磁性.结合样品的组分、结构特征进行磁性分析后认为样品在热处理后形成铁磁性半导体MnxGe1-x结构可能是样品表现室温铁磁性的主要原因.

关键词：离子注入铁磁性 MnxGe1-x

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于图形衬底的InAs/GaAs量子点和量子环液滴外延

引用

Journal of Semiconductors 2008年第10期29卷 2003-2008页

作者：赵暕陈涌海王占国徐波中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京100083

液滴外延生长半导体材料是一种较为新颖的MBE生长技术,而图形衬底对液滴外延的影响到目前为止并没有非常详细的研究结果.作者在GaAsμm级别图形衬底上进行了InAs的液滴外延生长,并在不同结构的图形衬底上得到了不同的InAs量子点和量子... 详细信息

液滴外延生长半导体材料是一种较为新颖的MBE生长技术,而图形衬底对液滴外延的影响到目前为止并没有非常详细的研究结果.作者在GaAsμm级别图形衬底上进行了InAs的液滴外延生长,并在不同结构的图形衬底上得到了不同的InAs量子点和量子环生长结果.基于生长结果,分析了图形衬底对液滴外延的影响和液滴外延下量子点和量子环的形成机制以及分布规律.

关键词：液滴外延图形衬底量子点量子环分布规律

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：