检索结果-内蒙古大学图书馆

人工晶体学报 2002年第3期31卷 208-217页

作者：王占国中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京100083

应用MBE技术和SK生长模式 ,通过对研究材料体系的应力分布设计 ,生长动力学研究和生长工艺优化 ,实现了In(Ga)As/GaAs,InAlAs/AlGaAs/GaAs和InAs/InAl(Ga)As/InP无缺陷量子点 (线 )的尺寸、形状、密度和分布有序性的可控生长 ,这对进一... 详细信息

应用MBE技术和SK生长模式 ,通过对研究材料体系的应力分布设计 ,生长动力学研究和生长工艺优化 ,实现了In(Ga)As/GaAs,InAlAs/AlGaAs/GaAs和InAs/InAl(Ga)As/InP无缺陷量子点 (线 )的尺寸、形状、密度和分布有序性的可控生长 ,这对进一步的器件应用特别重要。讨论了半导体纳米结构的空间有序性分布物理起因和退火的机制。

关键词：半导体纳米材料可控生长量子点量子线

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沸石分子筛中半导体量子纳米团簇的组装及应用前景

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物理学进展 1997年第1期17卷 83-117页

作者：陈伟王占国林兰英林兆军钱家骏中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室

在沸石分子筛中可以形成稳定的、分子尺寸的半导体团簇。这类团簇具有单相性、均匀性好的特点，并可形成三维量子超晶格结构。本文简单介绍沸石分子筛的结构及反应性之后，对团簇的组装技术及表征方法进行了详细的讨论，对半导体团簇的... 详细信息

在沸石分子筛中可以形成稳定的、分子尺寸的半导体团簇。这类团簇具有单相性、均匀性好的特点，并可形成三维量子超晶格结构。本文简单介绍沸石分子筛的结构及反应性之后，对团簇的组装技术及表征方法进行了详细的讨论，对半导体团簇的特征、性质反应用前景进行了较系统的论述。并指出了这类团簇材料应用存在的问题及发展方向。

关键词：沸石分子筛半导体量子团簇纳米

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氮化镓材料中质子输运过程的模拟

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原子能科学技术 2012年第6期46卷 648-651页

作者：张明兰张晓倩杨瑞霞狄炤厅河北工业大学信息工程学院天津300401 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京100083

对入射能量为50keV～3MeV的质子在氮化镓(GaN)材料中的输运过程进行了Monte-Carlo模拟,得到垂直入射质子在GaN材料中的输运情况、质子与晶格原子作用产生的空位分布特征。模拟结果表明:在厚度固定(3.5μm)的GaN材料中,当入射能量小于300... 详细信息

对入射能量为50keV～3MeV的质子在氮化镓(GaN)材料中的输运过程进行了Monte-Carlo模拟,得到垂直入射质子在GaN材料中的输运情况、质子与晶格原子作用产生的空位分布特征。模拟结果表明:在厚度固定(3.5μm)的GaN材料中,当入射能量小于300keV时,质子束横向扩展明显,入射离子全部被阻止在材料中;随着入射能量增大,质子束横向扩展减弱,离子穿透几率增大,当能量大于500keV时,入射离子几乎全部从材料中穿出。

关键词： GaN 质子辐射输运缺陷

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稀土功能薄膜的离子束外延法制备生长研究

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中国稀土学报 2005年第5期23卷 576-581页

作者：杨少延柴春林周剑平刘志凯陈涌海陈诺夫王占国中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京100083

介绍了一种利用离子束外延(Ion-beam Epitaxy,IBE)技术制备生长高纯稀土功能薄膜的新方法。以纯度要求不高的低成本稀土氯化物为原材料来产生大束流稀土元素离子,通过准确控制双束合成或单束浅结注入掺杂的同位素纯低能离子的能量、束... 详细信息

介绍了一种利用离子束外延(Ion-beam Epitaxy,IBE)技术制备生长高纯稀土功能薄膜的新方法。以纯度要求不高的低成本稀土氯化物为原材料来产生大束流稀土元素离子,通过准确控制双束合成或单束浅结注入掺杂的同位素纯低能离子的能量、束斑形状、沉积剂量与配比及生长温度,在超高真空生长室内实现了稀土功能薄膜的高纯生长和低温优质外延。文中除了对新方法的技术特点、实施方式和应注意的关键技术进行了阐述,还结合CeO2,Gd2O3,GdxSi1-x等薄膜的制备研究,讨论了离子的束流密度、剂量配比、能量和生长温度等生长参数对成膜质量的影响。

关键词：稀土功能薄膜 IBE 高纯生长低温外延

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有序Ga_（0．5）In_（0．5）P光致发光的研究

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Journal of Semiconductors 1996年第3期17卷 180-185页

作者：董建荣刘祥林陆大成汪渡王晓晖王占国中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室

本文用光致发光（ＰＬ）研究了ＭＯＣＶＤ生长的有序Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ外延层的光学性质．发现有序程度较强的Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ样品的ＰＬ谱中，能量最高的峰的强度随温度升高，先减弱，然后增强，最后又减弱．我们提出了一... 详细信息

本文用光致发光（ＰＬ）研究了ＭＯＣＶＤ生长的有序Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ外延层的光学性质．发现有序程度较强的Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ样品的ＰＬ谱中，能量最高的峰的强度随温度升高，先减弱，然后增强，最后又减弱．我们提出了一个有序Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ的模型，认为有序Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ外延层是阱定随机分布的Ⅱ型多量子阱结构，能带边之下存在带尾态。并用该模型对实验结果进行了较好的解释．

关键词： GaInP 光致发光光学性质

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半导体激光器速率方程的参数提取(特邀)

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光子学报 2022年第2期51卷 72-79页

作者：王建坤黄永光刘祎慧中国科学院半导体研究所材料重点实验室北京100083 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049 低维半导体材料与器件北京市重点实验室北京100083

重新评估了常见半导体激光器参数提取方法中近似条件的适用性,提出更加通用的方程进行半导体激光器速率方程的参数提取。以分布式反馈激光器芯片为例,利用小信号频率响应曲线(S21)准确提取了半导体激光器谐振频率fr与阻尼因子γ,结合激... 详细信息

重新评估了常见半导体激光器参数提取方法中近似条件的适用性,提出更加通用的方程进行半导体激光器速率方程的参数提取。以分布式反馈激光器芯片为例,利用小信号频率响应曲线(S21)准确提取了半导体激光器谐振频率fr与阻尼因子γ,结合激光器的光功率-电流(P-I)响应曲线,即可计算出半导体激光器速率方程的各个参数。对比之前的参数提取近似计算方法,本方法适用的激光器驱动电流范围更宽,大电流下谐振频率fr等参数的提取更精确,对宽工作电流工作的激光器如模拟激光器等的优化改进有借鉴意义。

关键词：光纤通信分布反馈激光器半导体激光器速率方程参数提取谐振频率

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磁控溅射法生长CeO2/Si薄膜及其发光性质

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Journal of Semiconductors 2005年第Z1期26卷 61-64页

作者：柴春林杨少延刘志凯陈诺夫中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室北京100083 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室北京100083 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室北京100083 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室北京100083

利用反应磁控溅射法对CeO2薄膜的生长规律进行了研究.通过实验发现,溅射时氧气和氩气的比例对薄膜的成分和晶体质量有很大影响.在室温下测试了CeO2薄膜的PL谱,结果表明CeO2薄膜的发光主要来自于氧缺陷.

关键词：磁控溅射 CeO2薄膜发光

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HEMT结构材料中二维电子气的输运性质研究

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Journal of Semiconductors 1999年第4期20卷 292-297页

作者：张兴宏夏冠群徐元森徐波杨玉芬王占国中国科学院上海冶金研究所半导体材料与器件研究室中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室

本文通过变温的Ｈａｌ测量系统地研究了ＧａＡｓ基ＨＥＭＴ和ＰＨＥＭＴ以及ＩｎＰ基ＨＥＭＴ三种结构材料的电子迁移率μｎ和二维电子浓度ｎｓ．仔细地分析了不同ＨＥＭＴ结构材料的散射机制对电子迁移率的影响以及不同ＨＥＭＴ材料结... 详细信息

本文通过变温的Ｈａｌ测量系统地研究了ＧａＡｓ基ＨＥＭＴ和ＰＨＥＭＴ以及ＩｎＰ基ＨＥＭＴ三种结构材料的电子迁移率μｎ和二维电子浓度ｎｓ．仔细地分析了不同ＨＥＭＴ结构材料的散射机制对电子迁移率的影响以及不同ＨＥＭＴ材料结构对电子浓度的影响．研究结果表明ＩｎＰ基ＨＥＭＴ的ｎｓ×μｎ值比ＧａＡｓ基ＨＥＭＴ和ＰＨＥＭＴ的ｎｓ×μｎ值都大，说明可以用ｎｓ×μｎ值来判断ＨＥＭＴ结构材料的性能好坏．

关键词： HEMT 结构材料晶体管电子迁移率二维电子气

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1.5-μm波段25-GHz重频亚皮秒脉冲输出半导体锁模激光器(特邀)

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光子学报 2022年第2期51卷 110-115页

作者：刘宇翔张瑞康王欢陆丹赵玲娟中国科学院半导体研究所材料重点实验室北京100083 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049 低维半导体材料与器件北京市重点实验室北京100083

针对高速光采样、光频梳以及光通信系统应用,研制了1.5μm波段高重频超短脉冲输出半导体锁模激光器。基于AlGaInAs/InP材料体系,采用两段式单片集成锁模结构,引入稀释波导结构,综合降低光限制因子、提升材料饱和能量、降低腔内损耗,从... 详细信息

针对高速光采样、光频梳以及光通信系统应用,研制了1.5μm波段高重频超短脉冲输出半导体锁模激光器。基于AlGaInAs/InP材料体系,采用两段式单片集成锁模结构,引入稀释波导结构,综合降低光限制因子、提升材料饱和能量、降低腔内损耗,从而降低有源区色散对脉冲的影响并提升脉冲峰值功率,最终在1.5μm波段实现了重复频率24.3 GHz、脉冲宽度680 fs的亚皮秒光脉冲输出,脉冲光谱宽度为7.2 nm,脉冲峰值能量为525 mW。

关键词：半导体激光器锁模激光器单片集成超短脉冲稀释波导

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Si纳米量子点的LPCVD自组织化形成及其生长机理研究

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物理学报 2003年第12期52卷 3108-3113页

作者：彭英才池田弥央宫崎诚一河北大学电子信息工程学院保定071002 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京100083 广岛大学电气工学系日本广岛

采用低压化学汽相沉积 (LPCVD)方法 ,依靠纯SiH4 气体分子的表面热分解反应 ,在由Si—O—Si键和由Si—OH键终端的两种SiO2 表面上 ,自组织生长了Si纳米量子点 .实验研究了所形成的Si纳米量子点密度随SiO2 表面的反应活性位置数、沉积温... 详细信息

采用低压化学汽相沉积 (LPCVD)方法 ,依靠纯SiH4 气体分子的表面热分解反应 ,在由Si—O—Si键和由Si—OH键终端的两种SiO2 表面上 ,自组织生长了Si纳米量子点 .实验研究了所形成的Si纳米量子点密度随SiO2 表面的反应活性位置数、沉积温度以及反应气压的变化关系 .依据LPCVD的表面热力学过程 ,定性地分析了Si纳米量子点的形成机理 .研究结果对具有密度分布均匀和晶粒尺寸可控的Si纳米量子点的自组织生长 ,以及Si基新型量子电子器件的制备具有重要的实际意义 .

关键词：硅纳米量子点低压化学汽相沉积法 LPCVD 薄膜生长量子器件自组织生长

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