检索结果-内蒙古大学图书馆

核技术 2025年第3期48卷 93-100页

作者：王利斌张逸韵黄广伟马志海席善学吴坤赵鑫宋玉收周春芝李海俊刘辉兰哈尔滨工程大学核科学与技术学院哈尔滨150001 国民核生化灾害防护国家重点实验室北京102205 中国科学院半导体研究所宽禁带半导体研发中心北京100083

传统半导体探测器无法长期工作在高剂量率辐射环境下,金刚石探测器具有禁带宽度大、载流子迁移率高、耐辐照能力强、时间响应快等优点,适用于极端环境下辐射探测。本文制备了高性能氧终端单晶金刚石(Single Crystal Diamond,SCD)探测器(... 详细信息

传统半导体探测器无法长期工作在高剂量率辐射环境下,金刚石探测器具有禁带宽度大、载流子迁移率高、耐辐照能力强、时间响应快等优点,适用于极端环境下辐射探测。本文制备了高性能氧终端单晶金刚石(Single Crystal Diamond,SCD)探测器(4.5 mm×4.5 mm×0.3 mm),并对其电学特性、能量分辨率、电荷收集效率及60Coγ辐射响应特性进行了研究;并利用238Puα源辐照测试了其电荷收集谱。结果表明,制备的单晶金刚石探测器在150 V偏压下暗电流低至0.26 pA‧mm^(−2);该探测器电子和空穴电荷收集效率分别高达98.9%和99.2%,能量分辨率分别为2.54%和2.86%。制备的SCD探测器工作在脉冲模式、电流模式下γ剂量率响应下限分别为0.0013 Gy‧h^(−1)及0.2 Gy‧h^(−1),响应下限至64 Gy‧h^(−1)时探测器线性相关度可达99.3%以上,且响应下限均优于国外商用金刚石探测器。研究金刚石探测器对γ射线的响应,有助于后续进一步深入研究基于单晶金刚石探测器的中子/γ射线甄别方法,并应用于实时γ剂量测量。

关键词：金刚石探测器半导体探测器 γ 剂量脉冲计数电流响应

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^(6)LiF单晶金刚石中子探测器制备及性能研究

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原子能科学技术 2025年第1期59卷 176-182页

作者：王利斌张逸韵李海俊马志海席善学刘辉兰宋玉收周春芝哈尔滨工程大学核科学与技术学院黑龙江哈尔滨150001 国民核生化灾害防护国家重点实验室北京102205 中国科学院半导体研究所宽禁带半导体研发中心北京100083

中子监测领域亟需耐辐照、响应快、能量分辨率高的中子探测器。金刚石材料具有禁带宽度大、抗辐照能力强、载流子迁移率高等优点,适合进行中子测量。本文设计并制备了基于^(6)LiF热中子转换材料的单晶金刚石中子探测器,通过探测^(6)Li(n... 详细信息

中子监测领域亟需耐辐照、响应快、能量分辨率高的中子探测器。金刚石材料具有禁带宽度大、抗辐照能力强、载流子迁移率高等优点,适合进行中子测量。本文设计并制备了基于^(6)LiF热中子转换材料的单晶金刚石中子探测器,通过探测^(6)Li(n,α)~3H反应产生的次级带电粒子提高单晶金刚石探测器的热中子灵敏度。为提高金刚石探测器对热中子的探测效率,针对^(252)Cf中子源基于单晶金刚石探测器进行了蒙特卡罗计算确定测量热中子所需聚乙烯慢化体厚度为5^(6)cm,在此基础上制备了1μm厚的^(6)LiF热中子转换层的单晶金刚石中子探测器,并测量了该探测器对^(252)Cf中子源及D-T中子发生器14 MeV中子源的响应谱。研究结果表明,所研制的探测器与不含^(6)LiF转换层的探测器相比,对慢化后的^(252)Cf热中子计数率最大可提高3.2%,响应谱氚特征峰能量分辨率为7.7%,优于奥地利Cividec B6-C金刚石探测器。制备的金刚石探测器对D-T中子发生器14 MeV单能中子响应谱能量分辨率为1.95%。该研究成果有望应用于现有^(252)Cf中子源标定及14 MeV中子响应谱测量,同时为金刚石中子探测器制备和中子束流监测提供理论和数据支撑。.

关键词：金刚石探测器中子探测响应能谱半导体探测器

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阳极退火对Co阳极准垂直结构GaN基肖特基二极管性能影响

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固体电子学研究与进展 2025年第2期45卷 90-95页

作者：吴志勇马群王良臣李晋闽王军喜刘志强伊晓燕中国科学院半导体研究所宽禁带半导体研发中心中国科学院大学材料科学与光电技术学院

在蓝宝石衬底上制备了不同阳极叉指宽度的钴（Co）阳极准垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管（GaN Schottky barrier diode, GaN SBD），在此基础上分别进行300、350、400℃阳极退火。实验结果显示较小的阳极叉指宽度有利于实现较低的比导... 详细信息

在蓝宝石衬底上制备了不同阳极叉指宽度的钴（Co）阳极准垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管（GaN Schottky barrier diode, GaN SBD），在此基础上分别进行300、350、400℃阳极退火。实验结果显示较小的阳极叉指宽度有利于实现较低的比导通电阻，在300℃退火后，阳极界面态密度降低，金属半接触均匀性增加，器件的开启电压和比导通电阻分别降低12.1%和13.2%，阳极界面态密度降低，反向3 V下的漏电流密度降低近一个数量级，击穿电压从89 V提高到97 V；随着退火温度的上升，器件肖特基特性逐渐减弱。综合结果表明300℃阳极退火能够有效改善Co阳极GaN SBD的性能。

关键词：肖特基二极管阳极退火氮化镓准垂直

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不同封装材料的中功率GaN基LED器件老化分析（英文）

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发光学报 2016年第10期37卷 1230-1236页

作者：符佳佳曹海城赵丽霞王军喜李晋闽中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心北京100083

针对中功率蓝光及相应的白光LED器件进行加速老化实验,并具体分析了器件中硅胶和绿红混合荧光粉等封装材料对老化行为的影响和失效机理。在测试器件的光电老化行为之后,利用反射光谱和飞行时间二次离子质谱对失效器件进行了结构分析。... 详细信息

针对中功率蓝光及相应的白光LED器件进行加速老化实验,并具体分析了器件中硅胶和绿红混合荧光粉等封装材料对老化行为的影响和失效机理。在测试器件的光电老化行为之后,利用反射光谱和飞行时间二次离子质谱对失效器件进行了结构分析。结果表明,温度和湿度对蓝光和白光器件老化行为具有不同的影响。对于中功率蓝光LED而言,其光衰的主要原因是由于S、Cl等元素的引入及氧化等因素引起的黄化导致了透明硅胶反射率的下降。而对于绿红混合荧光粉组成的中功率白光LED来说,其光衰和色漂问题主要归结于在高温特别是高湿环境下工作,器件中荧光粉和硅胶等封装材料发生了一些化学反应,使荧光粉发生分解,并引起了荧光转换效率的下降。

关键词：中功率LED 封装材料老化行为

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GaN基发光二极管外延中p型AlGaN电子阻挡层的优化生长

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物理学报 2011年第1期60卷 473-478页

作者：王兵李志聪姚然梁萌闫发旺王国宏中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心北京100083

本文利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法系统地研究了p-AlGaN层掺杂机理及优化设计生长.明确了生长温度、压力及TMAl的流量对AlGaN层Al组分的影响关系,并给出了各自不同的机理与作用.研究发现,Al组分介于10%—30%之间能够很好地将... 详细信息

本文利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法系统地研究了p-AlGaN层掺杂机理及优化设计生长.明确了生长温度、压力及TMAl的流量对AlGaN层Al组分的影响关系,并给出了各自不同的机理与作用.研究发现,Al组分介于10%—30%之间能够很好地将电子限定在量子阱区域并保持高的材料晶体质量.发展了一种新的生长技术来克服p-AlGaN层掺入效率低下和空穴注入不足的问题.优化条件下生长的p型AlGaN电子阻挡层很大地提升了InGaN/GaN基LED的输出光功率.

关键词：氮化镓基 LED Al组分电子阻挡层

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NH_(3)/N_(2)复合热退火技术改善高浓度Mg掺杂GaN材料性能

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发光学报 2024年第8期45卷 1325-1333页

作者：蒋宗霖闫丹张宁魏同波王军喜魏学成中国科学院半导体研究所宽禁带半导体研发中心北京100083 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049

研究了NH_(3)/N_(2)复合热退火技术对高浓度Mg掺杂GaN材料晶体质量、发光性质及导电性能的影响。实验结果表明,相较于传统N_(2)氛围高温热退火后处理工艺而言,NH_(3)氛围高温热退火后处理工艺可以改善高浓度Mg掺杂GaN材料的晶体质量,同... 详细信息

研究了NH_(3)/N_(2)复合热退火技术对高浓度Mg掺杂GaN材料晶体质量、发光性质及导电性能的影响。实验结果表明,相较于传统N_(2)氛围高温热退火后处理工艺而言,NH_(3)氛围高温热退火后处理工艺可以改善高浓度Mg掺杂GaN材料的晶体质量,同时可以增进Mg受主原子的有效掺杂,使得其光致发光谱中蓝光峰强度增强。采用NH_(3)氛围高温热退火结合N_(2)氛围低温热退火后处理工艺复合技术制备得到的高浓度Mg掺杂GaN材料内部背景电子浓度显著降低。这是由于在NH_(3)氛围高温热退火后处理工艺中,NH_(3)的热分解产物能够有效降低材料内N空位和间隙Ga原子等浅施主型缺陷浓度,最终改善高浓度Mg掺杂GaN材料的导电性能。

关键词：氮化镓 Mg掺杂热退火工艺氨气

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片上集成自动可调谐非对称带通滤波器

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华中科技大学学报（自然科学版） 2009年第9期37卷 4-7页

作者：陈方雄林敏石寅中国科学院半导体研究所苏州中科半导体集成技术研发中心

提出了具有3阶高通、2阶低通的带有自动调谐系统的有源电阻电容非对称带通滤波器结构.带通滤波器的中心频率为4.055 MHz,带宽为2.63 MHz.源阻抗为50Ω时,滤波器带内3阶交调量为18.489 dB.m.滤波器输入参考噪声为47.91×10-6Vrms(均... 详细信息

提出了具有3阶高通、2阶低通的带有自动调谐系统的有源电阻电容非对称带通滤波器结构.带通滤波器的中心频率为4.055 MHz,带宽为2.63 MHz.源阻抗为50Ω时,滤波器带内3阶交调量为18.489 dB.m.滤波器输入参考噪声为47.91×10-6Vrms(均方根电压).滤波器采用基于二进制搜索算法(BSA)的调谐方案,其调谐精度为(-1.65%,2.66%).调谐电路的芯片面积为0.282 mm×0.204 mm,不到主滤波器面积的1/5.调谐系统完成调谐功能后会自动关闭,降低了功耗和对主滤波器的串扰.在1.8 V电源电压下,滤波器消耗电流为1.96 mA.该滤波器已在IBM 0.18μm标准互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺线流片成功.

关键词：模拟集成电路互补金属氧化物半导体带通滤波器自动调谐全球定位系统

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基于InGaN/GaN多量子阱双波长发光二极管生长及发光性能

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光子学报 2013年第10期42卷 1135-1139页

作者：赵玲慧张连王晓东路红喜王军喜曾一平中国科学院半导体研究所照明研发中心北京100083

对基于InGaN/GaN量子阱的蓝绿双波长发光二极管的材料生长和发光性质进行了研究.通过设计生长多组具有不同参量的外延结构,获得了优化的双波长量子阱结构参量,指出量子阱位置的分布、蓝绿阱间垒的宽度以及材料构成对量子阱发光性能均有... 详细信息

对基于InGaN/GaN量子阱的蓝绿双波长发光二极管的材料生长和发光性质进行了研究.通过设计生长多组具有不同参量的外延结构,获得了优化的双波长量子阱结构参量,指出量子阱位置的分布、蓝绿阱间垒的宽度以及材料构成对量子阱发光性能均有较大影响.对双波长发光二极管器件光学性质进行了研究,结果表明,InGaN/GaN量子阱发光更依赖于In团簇形成的局域激子发光,从而导致了小电流下的反常光学现象.通过数值计算材料内部极化场的强度,对波长漂移的原因进行了解释,并通过双波长发光效率拟合分析了发光二极管"droop"效应可能的产生机理.

关键词： InGaN GaN量子阱双波长局域激子发光极化效应 'droop'效应

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量子垒高度对深紫外LED调制带宽的影响

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发光学报 2022年第1期43卷 1-7页

作者：郭亮郭亚楠羊建坤闫建昌王军喜魏同波中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心北京100083 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049

AlGaN基深紫外LED由于具有高调制带宽和小芯片尺寸,在紫外光通信领域受到越来越多的关注。本研究通过改变生长AlGaN量子垒层的Al源流量,生长了三种具有不同量子垒高度的深紫外LED,研究了量子垒高度对深紫外LED光电特性和调制特性的影响... 详细信息

AlGaN基深紫外LED由于具有高调制带宽和小芯片尺寸,在紫外光通信领域受到越来越多的关注。本研究通过改变生长AlGaN量子垒层的Al源流量,生长了三种具有不同量子垒高度的深紫外LED,研究了量子垒高度对深紫外LED光电特性和调制特性的影响。研究发现,随着量子垒高度的增加,深紫外LED的光功率出现先增加后减小的趋势,量子垒中Al组分为55%的深紫外LED的光功率相比50%和60%的深紫外LED提升了近一倍。载流子寿命则出现先减小后增大的趋势,且发光峰峰值波长逐渐蓝移。APSYS模拟表明,随着量子垒高度增加,量子垒对载流子的束缚能力增强,电子空穴波函数空间重叠增加,载流子浓度和辐射复合速率增加;但进一步增加量子垒高度又会由于电子泄露,空穴浓度降低,从而辐射复合速率降低。量子垒中Al组分为55%的深紫外LED的-3 dB带宽达到94.4 MHz,高于量子垒Al组分为50%和60%的深紫外LED。

关键词：紫外光通信深紫外发光二极管多量子阱层调制带宽发光功率

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4H-SiC衬底上生长参数对AlGaN基深紫外多量子阱受激辐射特性的影响

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发光学报 2024年第6期45卷 894-904页

作者：张睿洁郭亚楠吴涵刘志彬闫建昌李晋闽王军喜中国科学院半导体研究所宽禁带半导体研发中心北京100083 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049 山西中科潞安紫外光电科技有限公司山西长治046000

SiC衬底是制备高性能AlGaN基深紫外激光器的良好候选衬底。采用金属有机化学气相沉积方法在4H-SiC衬底上生长了深紫外AlGaN/AlN多量子阱结构(MQWs),系统研讨了MQWs生长参数对深紫外激光结构自发辐射和受激辐射特性的影响规律。综合分析M... 详细信息

SiC衬底是制备高性能AlGaN基深紫外激光器的良好候选衬底。采用金属有机化学气相沉积方法在4H-SiC衬底上生长了深紫外AlGaN/AlN多量子阱结构(MQWs),系统研讨了MQWs生长参数对深紫外激光结构自发辐射和受激辐射特性的影响规律。综合分析MQWs的表面形貌和发光性能后发现,随着NH_(3)流量增加和生长温度升高,MQWs表面粗糙度降低,内量子效率提升。经优化,MQWs的内量子效率达到74.1%,室温下的激射阈值光功率密度和线宽分别为1.03 MW/cm~2和1.82 nm,发光波长为248.8 nm。这主要归因于高的NH3流量和生长温度抑制了有源区中的碳杂质并入,载流子辐射复合效率和材料增益增加;同时生长速率降低,改善了MQWs结构的表面形貌,降低了界面散射损耗。采用干法刻蚀和湿法腐蚀的复合工艺制备了光滑陡直的谐振腔,激光器的腔面损耗降低,阈值光功率密度和线宽进一步降低至889 kW/cm~2和1.39 nm。

关键词： AlGaN SiC 光泵浦激光器 Ⅴ/Ⅲ比生长温度

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