检索结果-内蒙古大学图书馆

光电技术应用 2022年第6期37卷 33-37页

作者：陈益航杨成奥王天放张宇徐应强牛智川余红光石建美吴斌张佳鸣中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室北京中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京中国电子科技集团公司第四十一研究所山东青岛

锑化物半导体激光器是目前能够覆盖中红外波段的主要手段。锑化物半导体激光器经过多年的研究和发展,已经逐渐的走向成熟。由于在这个波段具有很多气体分子的吸收峰以及具有较高透过率的大气窗口,使得中红外锑化物半导体激光器在气体检... 详细信息

锑化物半导体激光器是目前能够覆盖中红外波段的主要手段。锑化物半导体激光器经过多年的研究和发展,已经逐渐的走向成熟。由于在这个波段具有很多气体分子的吸收峰以及具有较高透过率的大气窗口,使得中红外锑化物半导体激光器在气体检测、材料加工以及自由空间光通信等领域具有重要的作用。

关键词：锑化物中红外激光气体检测自由空间光通信

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

Sb浸润界面对InAs/InAsSb超晶格晶体结构和探测器性能的影响

引用

材料导报 2020年第S01期34卷 86-89页

作者：齐通通郭杰王国伟郝瑞亭徐应强常发然云南师范大学云南省光电信息技术重点实验室昆明650092 中国科学院半导体研究所超晶格与微系统国家重点实验室北京100083

采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长了PIN型长波红外28 ML InAs/7 ML InAs0.48Sb0.52超晶格探测器材料,研究了Sb浸润界面对其表面形貌、晶体结构和光电性能的影响。结果发现:相对于无界面控制的超晶格,采用Sb浸润界面的超晶格表面更平... 详细信息

采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长了PIN型长波红外28 ML InAs/7 ML InAs0.48Sb0.52超晶格探测器材料,研究了Sb浸润界面对其表面形貌、晶体结构和光电性能的影响。结果发现:相对于无界面控制的超晶格,采用Sb浸润界面的超晶格表面更平整,表面粗糙度仅为1.28;超晶格晶体结构更完整,界面起伏明显减小,与衬底的晶格失配度由3.26%减小到2.97%。InAs/InAsSb超晶格探测器的50%截止波长为10μm,量子效率为3.1%;Sb浸润界面的超晶格具有更低的暗电流和更高的微分阻抗,-50 mV偏压下暗电流密度为0.12 A/cm^ 2,零偏阻抗面积乘积(R 0A)为0.44Ω·cm^2,计算得到探测率为5.06×10^7 cm·Hz 1/2/W。Sb浸润界面有效抑制了Sb的扩散,提高了超晶格的晶体质量和探测性能,但失配应力依然很大。这些结果为高质量长波红外InAs/InAsSb超晶格的界面生长提供了依据。

关键词：长波红外探测器 InAs/InAsSb超晶格分子束外延界面生长

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

利用分子束外延在GaAs基上生长高特征温度的InAs量子点激光器

引用

红外与毫米波学报 2020年第6期39卷 667-670页

作者：袁野苏向斌杨成奥张一尚金铭谢圣文张宇倪海桥徐应强牛智川中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室北京100083 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049 北京量子信息科学研究院北京100193 山西大学物理与电子工程学院固体量子材料中心实验室山西太原030006

通过MBE外延系统生长了1.3µm的GaAs基InAs量子点激光器.为了获得更好的器件性能,InAs量子点的最优生长温度被标定为520℃,并且在有源区中引入Be掺杂.制备了脊宽100µm,腔长2 mm的激光器单管器件,在未镀膜的情况下,达到了峰值功... 详细信息

通过MBE外延系统生长了1.3µm的GaAs基InAs量子点激光器.为了获得更好的器件性能,InAs量子点的最优生长温度被标定为520℃,并且在有源区中引入Be掺杂.制备了脊宽100µm,腔长2 mm的激光器单管器件,在未镀膜的情况下,达到了峰值功率1.008 W的室温连续工作,阈值电流密度为110 A/cm^-2,在80℃下仍然可以实现连续工作,在50℃以下范围内,特征温度达到405 K.

关键词：量子点激光器分子束外延特征温度中红外

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种基于40 nm CMOS工艺的40 Gbit/s低噪声跨阻放大器

引用

微电子学 2020年第6期50卷 771-776页

作者：刘杨祁楠刘力源刘剑吴南健中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室北京100083 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049

采用40 nm CMOS工艺,设计了一个工作在40 Gbit/s数据速率的高速低噪声跨阻放大器(TIA)。为了同时兼顾噪声和带宽性能,创造性提出了一种多级串联跨阻放大器结构。输入级采用基于反相器结构的伪差分跨阻放大器,通过增加反馈电阻来减小输... 详细信息

采用40 nm CMOS工艺,设计了一个工作在40 Gbit/s数据速率的高速低噪声跨阻放大器(TIA)。为了同时兼顾噪声和带宽性能,创造性提出了一种多级串联跨阻放大器结构。输入级采用基于反相器结构的伪差分跨阻放大器,通过增加反馈电阻来减小输入电流噪声,第二级的前向运放用来抑制后级均衡器的噪声,第三级用连续时间线性均衡器(CTLE)对前级不足的带宽进行补偿,后面的三级限幅放大器(LA)对电压信号进一步放大。限幅放大器利用并联电感峰化技术和负跨导技术来提高带宽和增益。最终,信号由输出驱动器(OD)输出到片外,输出驱动器采用T-COIL技术。仿真结果表明,整条链路可以实现84 dBΩ和63 dBΩ的跨阻增益,带宽分别为31 GHz和34 GHz,输入电流积分噪声(rms)为1.75μA。

关键词：光接收机模拟前端低噪声跨阻放大器连续时间线性均衡器限幅放大器

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种20 MS/s基于VCO比较器的二阶噪声整形SAR ADC设计

引用

信息技术与网络安全 2021年第6期40卷 62-68页

作者：王也刘力源吴南健中国科学技术大学微电子学院安徽合肥230026 中国科学院半导体研究所北京100083 半导体超晶格国家重点实验室北京100083

基于压控振荡器(VCO)结构的比较器,提出了一种二阶噪声整形逐次逼近型(NS-SAR)模数转换器(ADC)。首先采用对电源电压敏感度较低且噪声性能更优越的VCO比较器,随后通过动态放大器优化噪声传递函数的零极点,最后通过噪声整形结构抑制信号... 详细信息

基于压控振荡器(VCO)结构的比较器,提出了一种二阶噪声整形逐次逼近型(NS-SAR)模数转换器(ADC)。首先采用对电源电压敏感度较低且噪声性能更优越的VCO比较器,随后通过动态放大器优化噪声传递函数的零极点,最后通过噪声整形结构抑制信号带内噪声。基于180 nm CMOS工艺,设计了一款12位20 MS/s NS-SAR ADC。仿真结果表明,在1.3 V电源电压下,功耗为1.12 mW,过采样率(OSR)为8时,信号噪声失真比(SNDR)为72.7 dB,无杂散动态范围(SFDR)为88 dB,优值(FoMs)为163 dB;并且在1.3~1.8 V电源电压范围内,其有效位数(ENOB)>11.7 bit。

关键词：模数转换器噪声整形 VCO比较器动态放大器

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

Ⅲ-Ⅴ族硼基化合物半导体反常热导率机理

引用

物理学报 2021年第14期70卷 316-323页

作者：施亨宪杨凯科骆军委中国科学技术大学微电子学院合肥 230022 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室北京 100083 湖南师范大学物理系低维量子结构与调控教育部重点实验室量子效应及其应用协同创新中心长沙 410081 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室北京 100083

采用基于玻尔兹曼输运方程的第一性原理计算方法深入研究了硼基Ⅲ-Ⅴ化合物的热导率性质,与Ⅳ族和Ⅲ-Ⅴ族半导体进行对比,发现砷化硼的高热导率主要来源于硼基Ⅲ-Ⅴ化合物中声学支和光学支之间存在一个很大的频率带隙,导致两个声学声子... 详细信息

采用基于玻尔兹曼输运方程的第一性原理计算方法深入研究了硼基Ⅲ-Ⅴ化合物的热导率性质,与Ⅳ族和Ⅲ-Ⅴ族半导体进行对比,发现砷化硼的高热导率主要来源于硼基Ⅲ-Ⅴ化合物中声学支和光学支之间存在一个很大的频率带隙,导致两个声学声子的能量要小于一个光学声子的能量,无法满足三声子散射的能量守恒要求,严重遏制了三声子散射几率.金刚石的高热导率主要来自其拥有极大的声学声子群速度.磷化硼虽然也拥有较大的声学声子群速度,但是其频率带隙比较小,无法有效遏制三声子散射,所以磷化硼的热导率小于砷化硼;尽管锑化硼的频率带隙与砷化硼相当,但是由于其拥有较小的声学声子群速度和较大的耦合矩阵元,导致锑化硼的热导率低于砷化硼.该研究为设计高热导率半导体材料提供了新的认识.

关键词： Ⅲ-Ⅴ族半导体砷化硼热导率非谐声子相互作用

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体极性界面电子结构的理论研究

引用

物理学报 2019年第16期68卷 42-50页

作者：张东娄文凯常凯中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室北京100083 中国科学院大学拓扑量子计算卓越中心北京100190

半导体电子结构的有效调控一直是人们长期关注的科学问题,也是主流半导体材料物性与器件设计的核心科学问题之一.传统栅极技术只能在小范围内改变半导体材料的带隙,作者从理论上通过人工设计半导体极性界面,产生约10 MV/cm的內建电场,... 详细信息

半导体电子结构的有效调控一直是人们长期关注的科学问题,也是主流半导体材料物性与器件设计的核心科学问题之一.传统栅极技术只能在小范围内改变半导体材料的带隙,作者从理论上通过人工设计半导体极性界面,产生约10 MV/cm的內建电场,从而实现对Ge、InN等主流半导体带隙在0-2 eV范围内的有效调控,并显著增强Rashba自旋轨道耦合强度,作者进一步利用构建的多带k.p模型证明增强的Rashba自旋轨道耦合可以将常规半导体驱动至拓扑相.文章重点介绍极性半导体InN的极性界面能隙调控;以及Ⅳ族非极性半导体Ge的极性界面能带调控.半导体极性界面的制备与主流半导体工艺兼容,展现了极性界面在主流半导体量子结构的物性调控与光电器件中潜在的应用前景.

关键词：自旋轨道耦合极化界面与异质结半导体

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

类化学气相沉积法制备缺陷可控的三维石墨烯泡沫及其复合电极电化学性能

引用

物理学报 2020年第14期69卷 245-254页

作者：王文旭任衍彪张世超张临财亓敬波何小武枣庄学院化学化工与材料科学学院枣庄277160 北大先行科技产业有限公司北京102200 北京航空航天大学材料科学与工程学院北京100191 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室北京100083

三维石墨烯为开发高能量密度的电极提供了有效的途径.与二维石墨烯相比,三维石墨烯具有三维导电网络,极大地改善锂离子和电子传输的能力,同时能够承受电极循环期间的结构和体积变化.本文发展了低压封闭化学气相沉积法(CVD),以泡沫镍为模... 详细信息

三维石墨烯为开发高能量密度的电极提供了有效的途径.与二维石墨烯相比,三维石墨烯具有三维导电网络,极大地改善锂离子和电子传输的能力,同时能够承受电极循环期间的结构和体积变化.本文发展了低压封闭化学气相沉积法(CVD),以泡沫镍为模板,采用聚甲基丙烯酸甲酯为固态碳源来制备缺陷可控的三维石墨烯泡沫.分别研究了碳源添加量、反应时间及氢气含量对三维石墨烯泡沫形貌及结构的影响,发展了一种新型的三维石墨烯泡沫制备工艺,所制备的三维石墨烯泡沫具有缺陷密度可控,质量轻及化学性能稳定的特点.以三维石墨烯泡沫为导电框架和活性物载体来制备ZnO/石墨烯泡沫(ZnO/GF)复合电极并作为锂离子电池负极,循环200圈后仍能保持851.5 mA·h·g^-1的高比容量,ZnO/三维石墨烯电极表现出较高的可逆容量以及优异的循环性能.

关键词：化学气相沉积法可控制备三维石墨烯泡沫循环性能

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

2μm GaSb基被动锁模激光器重复频率变化的研究(特邀)

引用

红外与激光工程 2020年第12期49卷 188-192页

作者：李翔汪宏乔忠良张宇牛智川佟存柱刘重阳新加坡南洋理工大学淡马锡实验室新加坡新加坡637553 新加坡南洋理工大学电子与电气工程学院新加坡新加坡639798 海南师范大学物理与电子工程学院海南海口571158 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室北京100083 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室吉林长春130033

半导体锁模激光器产生的高重复频率的光脉冲序列在众多领域都有着广泛的应用,而对于绝大多数应用,一个固定而准确的重复频率是必须的。由于此种激光器的重复频率主要由激光器波导的有效折射率和腔长来确定,激光器制成以及解理时的不确... 详细信息

半导体锁模激光器产生的高重复频率的光脉冲序列在众多领域都有着广泛的应用,而对于绝大多数应用,一个固定而准确的重复频率是必须的。由于此种激光器的重复频率主要由激光器波导的有效折射率和腔长来确定,激光器制成以及解理时的不确定性就可能会给其重复频率带来偏差。为了弄清此种激光器的各种工作条件会怎样影响其重复频率从而对上述的偏差进行补偿,设计并制成了一种2μm GaSb基单量子阱锁模激光器。激光器采用两段式结构(增益区,饱和吸收体区)并可以在高达60℃实现稳定的锁模工作模式。系统地记录了此激光器重复频率随偏置条件(增益区电流,饱和吸收体区电压)以及工作温度的变化规律,并且对产生这些变化的原因进行了分析。这些工作能够让人们更加清楚地认识锁模激光器的特性,从而更好地达到各种应用所需要的重复频率。

关键词：半导体锁模激光器重复频率 GaSb基材料 2μm波段

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

多级次孔结构ZnMn2O4微球负极的研究

引用

北京航空航天大学学报 2020年第2期46卷 259-265页

作者：任衍彪张世超张临财何小武赵金光枣庄学院化学化工与材料科学学院枣庄277160 北京航空航天大学材料科学与工程学院北京100083 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室北京100083 国网河南省电力公司郑州450000

利用水热法合成了Zn-Mn氧化物前驱体,在温度400、500、600、700℃下,空气气氛中煅烧前驱体,以此来制备纳米片组装成的分级多孔结构的ZnMn2O4微球。其中,在500℃空气中煅烧前驱体制备的ZnMn2O4(ZMO-500)微球具有丰富的多级次孔结构,其作... 详细信息

利用水热法合成了Zn-Mn氧化物前驱体,在温度400、500、600、700℃下,空气气氛中煅烧前驱体,以此来制备纳米片组装成的分级多孔结构的ZnMn2O4微球。其中,在500℃空气中煅烧前驱体制备的ZnMn2O4(ZMO-500)微球具有丰富的多级次孔结构,其作为锂离子电池负极材料,在500 mA/g的电流密度下,ZMO-500微球负极材料循环500次以后仍具有1132 mAh/g高的放电比容量。ZMO-500负极材料优异的电化学性能得益于其分级多孔结构,不仅可以增加电极和电解质之间的接触面积以促进锂离子的迁移,而且还为循环过程中电极体积膨胀提供足够的缓冲空间。

关键词：水热合成法 ZnMn2O4 多级次孔微球负极锂离子电池

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：