检索结果-内蒙古大学图书馆

红外与激光工程 2022年第8期51卷 535-536页

作者：李森森张宇徐应强牛智川闫秀生光电信息控制和安全技术重点实验室天津300308 中国电子科技集团公司光电研究院天津300308 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室北京100083 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049 晋城市国科半导体研究所山西晋城048000

锑化物作为窄带隙半导体材料,禁带宽度覆盖了1.5~5μm波段,是中红外波段半导体激光器理想的材料体系,利用锑化物半导体激光器产生短波红外(2μm)激光是目前的研究热点,可为红外激光对抗、生物显微镜、医学照明、塑料焊接等提供优质光源... 详细信息

锑化物作为窄带隙半导体材料,禁带宽度覆盖了1.5~5μm波段,是中红外波段半导体激光器理想的材料体系,利用锑化物半导体激光器产生短波红外(2μm)激光是目前的研究热点,可为红外激光对抗、生物显微镜、医学照明、塑料焊接等提供优质光源。笔者团队与中国科学院半导体研究所合作,自2017年以来开展了2μm波段锑化物半导体激光器技术及其应用研究。最近,研究组利用石英光纤透镜直接耦合0.5 W激光芯片获得了0.28 W的短波红外激光输出。

关键词：生物显微镜短波红外中红外波段半导体激光器塑料焊接窄带隙半导体直接耦合锑化物

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于AsP/MoS_(2)异质结的偏振光电探测器

引用

中国光学 2021年第1期14卷 135-144页

作者：任智慧钟绵增杨珏晗魏钟鸣中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室北京100083 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049 中南大学物理与电子学院先进材料超微结构与超快过程研究所长沙410083

线偏振光的探测能力是评价偏振光电探测器件的重要指标。黑砷磷(AsP)是一种较为稳定的平面内各向异性材料,由于其面内结构各向异性,其对线偏振光较为敏感,在偏振探测领域有着重要的应用潜力。本文介绍了一种基于AsP/MoS2的高度偏振敏感... 详细信息

线偏振光的探测能力是评价偏振光电探测器件的重要指标。黑砷磷(AsP)是一种较为稳定的平面内各向异性材料,由于其面内结构各向异性,其对线偏振光较为敏感,在偏振探测领域有着重要的应用潜力。本文介绍了一种基于AsP/MoS2的高度偏振敏感光电探测器。由于AsP各向异性的光吸收、MoS2有效的载流子收集和输运能力以及范德华异质结对暗电流的抑制作用,该光电探测器实现了大于300的电流开关比,0.27 A/W的电流光响应度以及2×10^10 Jones的比探测率。更重要的是,此类光电探测器在638 nm波段实现了高达3.06二向色性比的偏振特性。这些实验结果表明AsP/MoS2异质结构在偏振光电探测领域有着广阔的应用前景。

关键词：光电探测器黑砷磷异质结偏振特性

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

InAs/GaSb超晶格/GaSb体材料中短波双色红外探测器

引用

红外与毫米波学报 2021年第5期40卷 569-575页

作者：马晓乐郭杰郝瑞亭魏国帅王国伟徐应强牛智川云南师范大学云南省光电信息技术重点实验室云南昆明650500 中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室北京100083 中国科学院大学材料科学与光电子工程中心北京100049

采用GaSb体材料和InAs/GaSb超晶格分别作为短波与中波吸收材料,外延生长制备了NIPPIN型短中双色红外探测器。HRXRD及AFM测试表明,InAs/GaSb超晶格零级峰和GaSb峰半峰宽FWHM分别为17.57 arcsec和19.15 arcsec,10μm×10μm范围表面... 详细信息

采用GaSb体材料和InAs/GaSb超晶格分别作为短波与中波吸收材料,外延生长制备了NIPPIN型短中双色红外探测器。HRXRD及AFM测试表明,InAs/GaSb超晶格零级峰和GaSb峰半峰宽FWHM分别为17.57 arcsec和19.15 arcsec,10μm×10μm范围表面均方根粗糙度为1.82Å。77 K下,SiO_(2)钝化器件最大阻抗与面积乘积值RA为5.58×10^(5)Ω∙cm^(2),暗电流密度为5.27×10^(-7) A∙cm^(-2),侧壁电阻率为6.83×10^(6)Ω∙cm。经阳极硫化后,器件最大RA值为1.86×10^(6)Ω∙cm^(2),暗电流密度为4.12×10^(-7)A∙cm^(-2),侧壁电阻率为4.49×10^(7)Ω∙cm。相同偏压下,硫化工艺使器件暗电流降低1-2个数量级,侧壁电阻率提高了1个数量级。对硫化器件进行了光谱响应测试,器件具有依赖偏压极性的低串扰双色探测性能,其短波通道与中波通道的50%截止波长分别为1.55μm和4.62μm,在1.44μm、2.7μm和4μm处,响应度分别为0.415 A/W、0.435 A/W和0.337 A/W。

关键词： InAs/GaSb超晶格 GaSb体材料中短双色红外探测侧壁电阻率低串扰

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

无位错Te-GaSb(100)单晶抛光衬底的晶格完整性

引用

人工晶体学报 2022年第6期51卷 1003-1011页

作者：冯银红沈桂英赵有文刘京明杨俊谢辉何建军王国伟中国科学院半导体研究所低维半导体材料与器件北京市重点实验室中国科学院半导体材料科学重点实验室北京100083 中国科学院大学北京100049 如皋市化合物半导体产业研究所如皋226500 江苏秦烯新材料有限公司如皋226500 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049 中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室北京100083

采用液封直拉(LEC)法批量生长的直径2英寸(1英寸=2.54 cm)n型Te-GaSb(100)单晶的位错腐蚀坑密度(EPD)通常低于300 cm^(-2),达到无位错水平。本文利用X射线摇摆曲线以及倒易空间图(RSM)对这种GaSb单晶抛光衬底的晶格完整性和亚表面损伤... 详细信息

采用液封直拉(LEC)法批量生长的直径2英寸(1英寸=2.54 cm)n型Te-GaSb(100)单晶的位错腐蚀坑密度(EPD)通常低于300 cm^(-2),达到无位错水平。本文利用X射线摇摆曲线以及倒易空间图(RSM)对这种GaSb单晶抛光衬底的晶格完整性和亚表面损伤情况进行了分析表征,结果表明经过工艺条件优化的化学机械抛光处理,GaSb单晶衬底表面达到原子级光滑,不存在亚表面损伤层。利用分子束外延在这种衬底上可稳定生长出高质量的Ⅱ类超晶格外延材料并呈现出优异的红外探测性能。在此基础上,对CaSb衬底材料的物性、生长制备和衬底加工条件之间的内在关系进行了综合分析。

关键词： GaSb 衬底液封直拉法晶格完整性位错腐蚀坑密度倒易空间图亚表面损伤化合物半导体

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

Co基Heusler合金薄膜的结构与性能研究进展

引用

中国材料进展 2021年第10期40卷 743-755,761页

作者：童树成鲁军缪冰锋魏大海赵建华中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室北京100083 北京量子信息科学研究院北京100193 南京大学物理学院固体微结构物理国家重点实验室江苏南京210093 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100190

Co基Heusler合金通常具有远高于室温的居里温度、高自旋极化率、低磁阻尼因子,且与GaAs、MgO等衬底均具有良好的晶格匹配度,在磁性隧道结、自旋阀、磁传感器等自旋电子学器件中展示出潜在的应用前景,受到广泛的关注。首先介绍Co基Heusle... 详细信息

Co基Heusler合金通常具有远高于室温的居里温度、高自旋极化率、低磁阻尼因子,且与GaAs、MgO等衬底均具有良好的晶格匹配度,在磁性隧道结、自旋阀、磁传感器等自旋电子学器件中展示出潜在的应用前景,受到广泛的关注。首先介绍Co基Heusler合金的结构特征、磁性和半金属性等性质,综述近年来研究人员通过替换元素、调整原子有序度或化学计量比等手段调控其物理性质方面的研究成果。随后,阐述其在自旋电子学器件中的应用,着重介绍其作为插层,在优化L1_(0)-MnAl基磁性隧道结性质中起到的作用。最后,重点探讨新近发现并引起关注的磁性Weyl半金属Co_(2) MnGa的磁学和输运性质,展望拓扑非平庸电子态的引入对Co基Heusler合金应用的提升和拓展。

关键词： Heusler合金磁性隧道结 Weyl半金属分子束外延

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

1.2W光纤输出2μm锑化物半导体激光器

引用

中国激光 2022年第18期49卷 183-184页

作者：李森森张宇徐广立徐应强牛智川闫秀生光电信息控制和安全技术重点实验室天津300308 中国电子科技集团公司光电研究院天津300308 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室北京100083 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049 晋城市国科半导体研究所山西晋城048006 韦斯泰科技(深圳)有限公司广东深圳518000

锑化物作为窄带隙半导体材料,禁带宽度覆盖1.5~5μm波段,已成为中红外波段半导体激光器理想的材料体系。锑化物半导体激光器是一类新型激光器,利用其产生短波红外(2μm)激光是目前国内外的研究热点。锑化物半导体激光器可为红外激光对... 详细信息

锑化物作为窄带隙半导体材料,禁带宽度覆盖1.5~5μm波段,已成为中红外波段半导体激光器理想的材料体系。锑化物半导体激光器是一类新型激光器,利用其产生短波红外(2μm)激光是目前国内外的研究热点。锑化物半导体激光器可为红外激光对抗、生物显微成像、医学照明、激光泵浦、塑料焊接等提供优质光源。

关键词：半导体激光器新型激光器光纤输出激光泵浦中红外波段红外激光窄带隙半导体塑料焊接

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

交错梳齿型静电驱动MEMS微镜的设计与制作

引用

云南师范大学学报（自然科学版） 2022年第2期42卷 9-13页

作者：李晓明郝瑞亭倪海桥牛智川云南师范大学能源与环境科学学院云南昆明650500 中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室北京100083

设计了一种交错梳齿型(SVC)静电驱动MEMS微镜,首先在底层硅片上通过刻蚀预留出微镜活动空间,并进行固定梳齿组刻蚀,然后再在上面键合顶层硅片,并将顶层硅片减薄抛光至目标厚度,再在其上进行移动梳齿组和镜面结构的刻蚀.该工艺既兼顾了SV... 详细信息

设计了一种交错梳齿型(SVC)静电驱动MEMS微镜,首先在底层硅片上通过刻蚀预留出微镜活动空间,并进行固定梳齿组刻蚀,然后再在上面键合顶层硅片,并将顶层硅片减薄抛光至目标厚度,再在其上进行移动梳齿组和镜面结构的刻蚀.该工艺既兼顾了SVC型微镜偏转角度较大的优点,又避免了使用SOI衬底导致背面套刻精度差的缺点,提高了整个结构的稳定性,该微镜的最大理论角度可达24.7°.

关键词：光刻键合垂直交错梳齿 MEMS 微镜

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

Ⅲ-Ⅴ族硼基化合物半导体反常热导率机理

引用

物理学报 2021年第14期70卷 316-323页

作者：施亨宪杨凯科骆军委中国科学技术大学微电子学院合肥 230022 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室北京 100083 湖南师范大学物理系低维量子结构与调控教育部重点实验室量子效应及其应用协同创新中心长沙 410081 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室北京 100083

采用基于玻尔兹曼输运方程的第一性原理计算方法深入研究了硼基Ⅲ-Ⅴ化合物的热导率性质,与Ⅳ族和Ⅲ-Ⅴ族半导体进行对比,发现砷化硼的高热导率主要来源于硼基Ⅲ-Ⅴ化合物中声学支和光学支之间存在一个很大的频率带隙,导致两个声学声子... 详细信息

采用基于玻尔兹曼输运方程的第一性原理计算方法深入研究了硼基Ⅲ-Ⅴ化合物的热导率性质,与Ⅳ族和Ⅲ-Ⅴ族半导体进行对比,发现砷化硼的高热导率主要来源于硼基Ⅲ-Ⅴ化合物中声学支和光学支之间存在一个很大的频率带隙,导致两个声学声子的能量要小于一个光学声子的能量,无法满足三声子散射的能量守恒要求,严重遏制了三声子散射几率.金刚石的高热导率主要来自其拥有极大的声学声子群速度.磷化硼虽然也拥有较大的声学声子群速度,但是其频率带隙比较小,无法有效遏制三声子散射,所以磷化硼的热导率小于砷化硼;尽管锑化硼的频率带隙与砷化硼相当,但是由于其拥有较小的声学声子群速度和较大的耦合矩阵元,导致锑化硼的热导率低于砷化硼.该研究为设计高热导率半导体材料提供了新的认识.

关键词： Ⅲ-Ⅴ族半导体砷化硼热导率非谐声子相互作用

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

2.75μm中红外GaSb基五元化合物势垒量子阱激光器

引用

中国激光 2020年第7期47卷 295-299页

作者：袁野柴小力杨成奥张一尚金铭谢圣文李森森张宇徐应强宿星亮牛智川中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室北京100083 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049 北京量子信息科学研究院北京100193 山西大学物理与电子工程学院固体量子材料中心实验室山西太原030006 光电信息控制和安全技术重点实验室天津300308

设计制备了GaSb基I型InGaAsSb量子阱激光器,其激射波长为2。75μm。五元势垒材料AlGaInAsSb有效降低了势垒的价带能级并提高了价带带阶,使量子阱发光波长红移至2。75μm波段。通过优化分子束外延生长参数,得到了高发光效率的量子阱激光... 详细信息

设计制备了GaSb基I型InGaAsSb量子阱激光器,其激射波长为2。75μm。五元势垒材料AlGaInAsSb有效降低了势垒的价带能级并提高了价带带阶,使量子阱发光波长红移至2。75μm波段。通过优化分子束外延生长参数,得到了高发光效率的量子阱激光器外延材料,在此基础上设计并制备了腔长为1。5 mm、脊宽为50μm、中心波长为2。75μm的法布里-珀罗腔结构的激光器;所设计激光器可以实现室温连续激射,其最大输出功率为60 mW,阈值电流密度为533 A·cm^-2。

关键词：激光器锑化物五元势垒量子阱中红外波段

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

利用高阶DBR实现简单的2.0μm GaSb激光器（英文）

引用

红外与毫米波学报 2018年第6期37卷 653-656页

作者：黄书山杨成奥张宇谢圣文廖永平柴小力徐应强牛智川中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室北京100083 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049

利用高阶Bragg光栅成功制备出Ga Sb基DBR激光器,避免了复杂的制备工艺.利用标准接触曝光制备出16阶和24阶Bragg光栅以及双沟脊条波导结构. 16阶Bragg光栅器件在室温下实现了SMSR高达17. 5 dB的单模激光输出. CW状态下室温最大单模输出... 详细信息

利用高阶Bragg光栅成功制备出Ga Sb基DBR激光器,避免了复杂的制备工艺.利用标准接触曝光制备出16阶和24阶Bragg光栅以及双沟脊条波导结构. 16阶Bragg光栅器件在室温下实现了SMSR高达17. 5 dB的单模激光输出. CW状态下室温最大单模输出功率超过10 mW.随着注入电流变化,器件表现出出色的波长稳定性.在整个注入电流范围内,器件都保持单横模工作状态. 24阶Bragg光栅器件室温SMSR为22. 5 dB.器件的激射波长都在2. 0μm左右.

关键词：激光二极管量子阱红外

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：