检索结果-内蒙古大学图书馆

第二十届全国光散射学术会议（CNCLS 20）

作者：林妙玲周煜李海姚望谭平恒中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室南京工业大学先进材料研究院香港大学物理系理论和计算物理中心

电声耦合作为基础物理前沿科学的研究之一,隐藏着许多新奇的物理现象。范德华异质结中多样的堆垛方式及组分选择性也为调控电声耦合提供了更多自由度。我们通过超低频拉曼光谱研究了六角氮化硼（hBN）/二硫化钨（WS2）范德华异质结中的... 详细信息

电声耦合作为基础物理前沿科学的研究之一,隐藏着许多新奇的物理现象。范德华异质结中多样的堆垛方式及组分选择性也为调控电声耦合提供了更多自由度。我们通过超低频拉曼光谱研究了六角氮化硼（hBN）/二硫化钨（WS2）范德华异质结中的电声耦合,发现了局域在少层WS的二维电子态和波函数延展到上百层范德华异质结的三维层间呼吸（LB）模声子态之间的跨维度耦合。相比在少层WS2中只能观察到少数LB模,在hBN/WS中可观察到大量LB模,且其拉曼强度在激发光能量靠近少层WS的C激子能量时得到共振增强。我们提出了以界面耦合为媒介的微观模型和范德华异质结界面键极化率模型计算了电声耦合的强度,完美解释了hBN/WS异质结中各LB模的相对强度。这个工作为操控多样范德华异质结中电声耦合提供了新的方法,也为探究范德华异质结中与电声耦合相关的新奇量子现象和应用提供了更多的可能性。

关键词：电声耦合范德华异质结二维材料层间振动模激子

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隧道结级联量子阱锁模激光器

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光学学报 2017年第3期37卷 243-249页

作者：刘震王嘉琪于红艳周旭亮陈娓兮丁颖李召松王圩潘教青中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室低维半导体材料与器件北京市重点实验室北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室格拉斯哥大学物理学院

采用两段式被动锁模激光器结构,利用隧道结级联两组量子阱有源区,实现了一种工作在近红外波段的单片集成大功率量子阱被动锁模激光器。对该锁模激光器的锁模特性进行了表征,测试得到该锁锁模激光器工作中心波长为1038nm,激光脉冲重复频... 详细信息

采用两段式被动锁模激光器结构,利用隧道结级联两组量子阱有源区,实现了一种工作在近红外波段的单片集成大功率量子阱被动锁模激光器。对该锁模激光器的锁模特性进行了表征,测试得到该锁锁模激光器工作中心波长为1038nm,激光脉冲重复频率为24.37 GHz,改变激光器的工作条件,其脉冲宽度变化范围为2.19;.27ps,峰值功率变化范围为76;08mW,表明该锁模激光器具有单片集成、体积小、功率大、重复频率高等优良特性。同时,在一定的反向偏压条件下,该锁模激光器呈现出功率双稳态的特性,扩大了有效锁模范围。

关键词：激光器锁模激光器半导体激光器多量子阱超快激光

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大功率高效率2μm锑化镓基量子阱激光器（英文）

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红外与毫米波学报 2016年第6期35卷 672-675页

作者：廖永平张宇杨成奥黄书山柴小力王国伟徐应强倪海桥牛智川中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室北京100083 中国科学技术大学量子信息与量子物理协同创新中心安徽合肥230026

通过MBE外延系统生长了2μmGaSb基AlGaAsSb/InGaSbI型量子阱激光器,并制备了宽面条形波导激光器件,在20℃工作温度下,器件最大连续激射功率达到1.058W,当注入电流为0.5A时,峰值波长为1.977μm,最大能量转换效率为20.2%,在脉冲频率为1000... 详细信息

通过MBE外延系统生长了2μmGaSb基AlGaAsSb/InGaSbI型量子阱激光器,并制备了宽面条形波导激光器件,在20℃工作温度下,器件最大连续激射功率达到1.058W,当注入电流为0.5A时,峰值波长为1.977μm,最大能量转换效率为20.2%,在脉冲频率为1000Hz,占空比为5%的脉冲工作模式下,最大激射功率为2.278W.

关键词：大功率激光二极管中红外量子阱

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大失配、强极化第三代半导体材料体系生长动力学和载流子调控规律

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发光学报 2016年第11期37卷 1305-1309页

作者：王新强黎大兵刘斌孙钱张进成北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京100871 发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所吉林长春130033 南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室江苏南京210093 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室江苏苏州215123 西安电子科技大学微电子学院宽带隙半导体技术国防重点学科实验室陕西西安710071

高质量氮化镓(Ga N)材料是发展第三代半导体光电子与微电子器件的根基。大失配、强极化和非平衡态生长是Ga N基材料及其量子结构的固有特点,对其生长动力学和载流子调控规律的研究具有重要的科学意义与实用价值,受到各国科学界与产业界... 详细信息

高质量氮化镓(Ga N)材料是发展第三代半导体光电子与微电子器件的根基。大失配、强极化和非平衡态生长是Ga N基材料及其量子结构的固有特点,对其生长动力学和载流子调控规律的研究具有重要的科学意义与实用价值,受到各国科学界与产业界广泛高度重视。本文对大失配、强极化氮化物半导体材料体系外延生长动力学和载流子调控规律进行了研究,旨在攻克蓝光发光效率限制瓶颈,突破高Al和高In氮化物材料制备难题,实现高发光效率量子阱和高迁移率异质结构,制备多波段、高效率发光器件和高频率、高耐压电子器件,实现颠覆性的技术创新和应用,带动电子材料产业转型升级。

关键词：氮化镓大失配强极化生长动力学载流子调控

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Co2FeAl/（Ga,Mn）As双层膜磁性膜的光致自旋动力学研究

Co2FeAl/（Ga,Mn）As双层膜磁性膜的光致自旋动力学研究

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上海市激光学会2015年学术年会

作者：袁昊辰聂帅华赵建华马天平吴义政陈张海赵海斌陈良尧复旦大学光科学与工程系微纳光子结构教育部重点实验室上海超精密光学工程中心中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室复旦大学物理系应用表面物理国家重点实验室先进材料实验室

近十多年来,铁磁半导体（Ga,Mn）As因其在自旋电子学器件中的重要应用价值而受到广泛的关注。但迄今为止,最高的居里温度为200K[1],远低于室温,这成为制约其大规模应用的一个巨大障碍。解决这一问题的思路之一在于利用铁磁临近极化效应... 详细信息

近十多年来,铁磁半导体（Ga,Mn）As因其在自旋电子学器件中的重要应用价值而受到广泛的关注。但迄今为止,最高的居里温度为200K[1],远低于室温,这成为制约其大规模应用的一个巨大障碍。解决这一问题的思路之一在于利用铁磁临近极化效应。08年EMaccherozzi等人便报道了在Fe/（Ga,Mn）As这种铁磁金属和铁磁半导体异质结中发现了靠近铁磁金属一侧的铁磁半导体薄层在室温下仍具有铁磁性[2]。CoFeAl这类Heusler合金具有高的自旋极化率和高的居里温度,而且高质量的CoFeAl也易于外延生长在GaAs上。13年聂帅华等人也报道了实验和理论上得到的CoFeAl/（Ga,Mn）As静态特性,显示两层之间为铁磁性耦合,并且正是由于铁磁临近效应使得400 K的时候靠近铁磁层1.36 nm厚的（Ga,Mn）As仍然具有铁磁性[3]。鉴于此,针对CoFeAl/（Ga,Mn）As的磁性动力学特性的研究将会对界面之间的耦合提供直接的证据,并且可以为日后自旋电子学器件的设计提供借鉴。在这项工作中,我们利用钛宝石振荡级锁模激光器,在低光功率密度<1μJ/cm激发下,可以观察到CoFeAl/（Ga,Mn）As中明显的磁矩进动,并且这一现象在80-300 K温度下均存在。与此相反,CoFeAl/GaAs中并没有激发进动。而从80-5 K,CoFeAl/（Ga,Mn）As的进动激发进一步增强,其振荡的幅值随着温度的下降逐渐升高。并且在5 K时,振荡的衰减也快十液氮温度下的结果。当温度从5 K上升至300 K时,进动的频率逐渐降低,而CoFeAl/GaAs在此温度区间并没有明显的频率变化。这都说明CoFeAl和（Ga,Mn）As之间存在耦合,正是这种耦合受到飞秒脉冲激发调制,从而激发出了CoFeAl中的磁矩进动。

关键词： (Ga,Mn)As稀磁半导体时间分辨磁光克尔谱铁磁近邻效应

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CoFeB/AlO_x/Ta及AlO_x/CoFeB/Ta结构中垂直易磁化效应的研究

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物理学报 2013年第13期62卷 470-475页

作者：陈希刘厚方韩秀峰姬扬中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室北京100083 中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室北京100190

本文详细研究了在不同氧化层和铁磁层厚度情况下,底层CoFeB/AlOx/Ta结构和顶层AlOx/CoFeB/Ta结构中的垂直磁各向异性.在底层CoFeB/AlOx/Ta结构中观察到了垂直磁化的磁滞回线,证明了其垂直易磁化效应的存在;而在顶层AlOx/CoFeB/Ta结构中... 详细信息

本文详细研究了在不同氧化层和铁磁层厚度情况下,底层CoFeB/AlOx/Ta结构和顶层AlOx/CoFeB/Ta结构中的垂直磁各向异性.在底层CoFeB/AlOx/Ta结构中观察到了垂直磁化的磁滞回线,证明了其垂直易磁化效应的存在;而在顶层AlOx/CoFeB/Ta结构中却没有观察到类似的磁滞回线.对这种对称结构中的非对称现象进行了分析.研究还发现不同的氧化层和铁磁层厚度均会影响层间界面相互作用的强度,从而导致结构的垂直磁化曲线矫顽力大小发生改变.这项研究将对基于AlOx氧化层垂直磁隧道结的研制具有重要的意义.

关键词：垂直磁各向异性磁隧道结随机存储器

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二维拓扑绝缘体中共存的体态和边缘态之间的散射

二维拓扑绝缘体中共存的体态和边缘态之间的散射

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第十三届国际凝聚态理论与计算材料学会议(The 13th International Conference on Condensed Matter theory and Computational Materials Science)

作者：张艳阳沈曼安兴涛孙庆丰谢心澄常凯李树深中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室北京市100083 北京大学国际量子材料中心和物理系北京市100871

二维拓扑绝缘体的边缘态生活在体带隙里，并受到拓扑保护，导致边缘态的背散射被禁戒，因此能负载无耗散的电流。我们研究了同一个费米面上体态和边缘态共存的情况下的杂质散射。这个时候，对于短程杂质，由于边缘态和体态之间的散射(... 详细信息

二维拓扑绝缘体的边缘态生活在体带隙里，并受到拓扑保护，导致边缘态的背散射被禁戒，因此能负载无耗散的电流。我们研究了同一个费米面上体态和边缘态共存的情况下的杂质散射。这个时候，对于短程杂质，由于边缘态和体态之间的散射(这个散射是不被禁戒的)，边缘态和体态一样容易被局域化。基于k空间和实空间的考虑，我们分别设想了两种方法来抑制体态和边缘态之间的散射。数值实验表明，这样做以后，体态很容易被局域化，但边缘态确实能够在很大程度上恢复鲁棒的输运性质。其中的第二种方法很容易推广到三维，并成为电调控拓扑晶体管的一种实现方式。

关键词：拓扑绝缘体边缘态体态

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MOCVD生长硅掺杂n-AlxGa1-xN材料表面态和深能级缺陷研究

MOCVD生长硅掺杂n-AlxGa1-xN材料表面态和深能级缺陷研究

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第13届全国MOCVD学术会议

作者：时俪洋沈波卢励吾王平张霞闫建昌王军喜北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京100871 中国科学院半导体研究所

应用电流-电压(I-V),电容-电压(C-V),原子力显微镜(AFM),X-射线光电子能谱(XPS)和深能级瞬态谱(DLTS)技术,系统研究具有较宽Al组分(x=0,0.14,0.24,0.33和0.43)AlxGa1-xN薄膜中的表面态和局域态缺陷.I-V,C-V,AFM和XPS研究表明,随着Al组...

关键词：

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Co2Fe1-xMnxAl Heusler合金薄膜中自旋波动力学与磁阻尼研究

Co2Fe1-xMnxAl Heusler合金薄膜中自旋波动力学与磁阻尼研究

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第十五届全国磁学和磁性材料会议

作者：程樗元孟康康李树发赵建华赖天树中山大学光电材料与技术国家重点实验室物理与工程学院广州 510275 中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室北京 100083

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Co2FeAl/（Ga,Mn）As双层磁性膜的光致自旋动力学研究

Co2FeAl/（Ga,Mn）As双层磁性膜的光致自旋动力学研究

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上海市激光学会2013年学术年会

近十多年来,铁磁半导体（Ga,Mn）As因其在自旋电子学器件中的重要应用价值而受到广泛的关注。但迄今为止,最高的居里温度为200K[1],远低于室温,这成为制约其大规模应用的一个巨大障碍。解决这一问题的思路之一在于利用铁磁邻近极化效应... 详细信息

近十多年来,铁磁半导体（Ga,Mn）As因其在自旋电子学器件中的重要应用价值而受到广泛的关注。但迄今为止,最高的居里温度为200K[1],远低于室温,这成为制约其大规模应用的一个巨大障碍。解决这一问题的思路之一在于利用铁磁邻近极化效应。08年***等人便报道了在Fe/（Ga,Mn）As这种铁磁金属和铁磁半导体异质结中发现了靠近铁磁金属一侧的铁磁半导体薄层在室温下仍具有铁磁性[2]。CoFeAl这类Heusler合金具有高的自旋极化率和高的居里温度,而且高质量的CoFeAl也易于外延生长在GaAs上。13年聂帅华等人也报道了实验和理论上得到的CoFeAl/（Ga,Mn）As静态特性,显示两层之间为铁磁性耦合,并且正是由于铁磁邻近效应使得400K的时候靠近铁磁层1.36nm厚的（Ga,Mn）As仍然具有铁磁性[3]。鉴于此,针对CoFeAl/（Ga,Mn）As的磁性动力学特性的研究将会对界面之间的耦合提供直接的证据,并且可以为日后自旋电子学器件的设计提供借鉴。在这项工作中,我们利用钛宝石振荡级锁模激光器,在低光功率密度<1μJ/cm的激发下,可以观察到CoFeAl/（Ga,Mn）As中明显的磁矩进动,并且这一现象在80-300K下均存在。与此相反,CoFeAl/GaAs中没有激发进动。而从80-5K,CoFeAl/（Ga,Mn）As的进动激发进一步增强,其振荡的幅值随着温度的下降逐渐升高。并且在5K时,振荡的衰减也快于液氮温度下的结果。当温度从5K上升至300K时,进动的频率逐渐降低,而CoFeAl/GaAs在此温度区间并没有明显的频率变化。这都说明CoFeAl和（Ga,Mn）As之间存在耦合,正是这种耦合受到飞秒脉冲激发调制,从而激发出了CoFeAl中的磁矩进动。

关键词： (Ga Mn)As稀磁半导体时间分辨磁光克尔谱铁磁邻近效应

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